NPN-transistor, 0.15A, 60V - KSA733-Y
| Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.42€ | 0.51€ |
| 10 - 24 | 0.40€ | 0.48€ |
| 25 - 49 | 0.39€ | 0.47€ |
| 50 - 99 | 0.38€ | 0.46€ |
| 100 - 249 | 0.37€ | 0.45€ |
| 250 - 499 | 0.36€ | 0.44€ |
| 500+ | 0.35€ | 0.42€ |
| Hoeveelheid | U.P | |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 0.42€ | 0.51€ |
| 10 - 24 | 0.40€ | 0.48€ |
| 25 - 49 | 0.39€ | 0.47€ |
| 50 - 99 | 0.38€ | 0.46€ |
| 100 - 249 | 0.37€ | 0.45€ |
| 250 - 499 | 0.36€ | 0.44€ |
| 500+ | 0.35€ | 0.42€ |
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
NPN-transistor, 0.15A, 60V - KSA733-Y. NPN-transistor, 0.15A, 60V. Collectorstroom: 0.15A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Type transistor: PNP. Origineel product van fabrikant --. Aantal op voorraad bijgewerkt op 26/07/2025, 13:25.
Gelijkwaardige producten :
BC212B
NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volge...
NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 280 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V
NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 280 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V
2SA733
NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens...
NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Ic(puls): 0.5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V
NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Ic(puls): 0.5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 60V. Vebo: 5V
Wij raden ook aan :
Wij raden ook aan :
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.