PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, PCB-solderen, SOT-93, SOT-93, 100V, 25A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: SOT-93. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-93. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD250C. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 32V, 4A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 32V. Collectorstroom: 4A. Type transistor: PNP. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Spec info: complementaire transistor (paar) BD435. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 45V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. RoHS: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 130. Minimale hFE-versterking: 30. Ic(puls): 7A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Spec info: complementaire transistor (paar) BD437. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, -45V, -4A, TO-126 FULLPACK. Collector-emitterspanning VCEO: -45V. Collectorstroom: -4A. Behuizing: TO-126 FULLPACK. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 36W. Maximale frequentie: 3MHz

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD440. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, SOT-32, 80V, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD442. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Spec info: geïsoleerde behuizing. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 45V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 12 MHz. Functie: NF-L. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 8A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 20. Vebo: 1.5V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 7 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 1500. Minimale hFE-versterking: 750. Ic(puls): 12A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62.5W. RoHS: ja. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD652. Maximale dissipatie Ptot [W]: 62.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, 45V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD678. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 60V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Minimale hFE-versterking: 750. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Spec info: complementaire transistor (paar) BD677A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, SOT-32, 80V, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD680. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10MHz. Functie: Vermogen lineair en schakelend. Minimale hFE-versterking: 750. Ic(puls): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 14W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BD679A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.8V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 100V, 4A. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Collectorstroom: 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Spec info: complementaire transistor (paar) BD681. Type transistor: PNP. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-diode: ja. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF-L. Minimale hFE-versterking: 750

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-225, TO-225, 100V, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD682G. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 4A, 120V. Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF-L. Let op: >750. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD810G. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 1.5 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 90W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-202. Behuizing (volgens datablad): TO-202; SOT128B. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 75 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 8W. Spec info: complementaire transistor (paar) BD829. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 8A, 100V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1 MHz. Functie: NF-L. Let op: >750. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Spec info: complementaire transistor (paar) BD901. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 15A, 45V. Collectorstroom: 15A. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF/L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Vermogen lineair en schakelend. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 40. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BD911. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-225. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF/L. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BD911. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP