PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, TO-126, 80V, 1.5A, -80V, -1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing: TO-126. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 1.5A. Collector-emitterspanning VCEO: -80V. Collectorstroom: -1.5A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Markering van de fabrikant: BD140-16. Maximale dissipatie Ptot [W]: 12.5W. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 12.5W. Maximale frequentie: 50MHz. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 250. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 12.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD139-16

NPN-transistor, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 1.5A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 2A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 12.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55°C tot +150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD139. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, 45V. Collectorstroom: 1.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 2A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-126. Kosten): SOT-32. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Audio-, vermogenslineaire en schakeltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 6A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD237. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-225, TO-225, 80V, 2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD238G. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

NPN-transistor, -80V, -2A, TO-126. Collector-emitterspanning VCEO: -80V. Collectorstroom: -2A. Behuizing: TO-126. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 25W. Maximale frequentie: 3MHz

NPN-transistor, 2A, TO-220, TO-220, 115V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 4A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD239C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 10. Ic(puls): 8A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD241C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 3A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD242CG. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, TO-220AB, 100V, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 6A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD244C. Maximale dissipatie Ptot [W]: 65W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 15. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD243C

NPN-transistor, TO-220, 6A, TO-220, 100V. Behuizing: TO-220. Collectorstroom: 6A. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Weerstand B: vermogenstransistor. BE-weerstand: -100V. C(inch): -6A. Kosten): 65W. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65°C...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD243C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF/L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) BD245C. CE-diode: ja

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF/L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) BD245C. CE-diode: ja

NPN-transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 115V. Collectorstroom: 25A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) BD249C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Collectorstroom: 25A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-218. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) BD249C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Collectorstroom: 25A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-218. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: complementaire transistor (paar) BD249C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, SOT-93, SOT-93, 100V, 25A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: SOT-93. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-93. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD250C. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, SOT-32, 32V, 4A, TO-126, 32V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 32V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 32V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD438. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Type transistor: PNP

NPN-transistor, -45V, -4A, TO-126, 4A, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collector-emitterspanning VCEO: -45V. Collectorstroom: -4A. Behuizing: TO-126. Collectorstroom: 4A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 36W. Maximale frequentie: 3MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 130. Minimale hFE-versterking: 30. Ic(puls): 7A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD437

NPN-transistor, -45V, -4A, TO-126 FULLPACK. Collector-emitterspanning VCEO: -45V. Collectorstroom: -4A. Behuizing: TO-126 FULLPACK. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Vermogen: 36W. Maximale frequentie: 3MHz

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD440. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, SOT-32, 80V, 4A, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Collectorstroom: 4A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD442. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 7A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD441

NPN-transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Spec info: geïsoleerde behuizing. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 45V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 12 MHz. Functie: NF-L. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 8A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 20. Vebo: 1.5V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 7 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 1500. Minimale hFE-versterking: 750. Ic(puls): 12A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms)