PNP bipolaire transistoren

NPN-transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Spec info: geïsoleerde behuizing. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 45V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 12 MHz. Functie: NF-L. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 8A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 20. Vebo: 1.5V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 60V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 7 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 1500. Minimale hFE-versterking: 750. Ic(puls): 12A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62.5W. RoHS: ja. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

FT: 10 MHz

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, TO-220AB, 120V, 8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD652. Maximale dissipatie Ptot [W]: 62.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, 45V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD678. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, SOT-32, 60V, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD678. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, SOT-32, 80V, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD680. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 80V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10MHz. Functie: Vermogen lineair en schakelend. Minimale hFE-versterking: 750. Ic(puls): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 14W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BD679A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.8V. Vebo: 5V

NPN-transistor, -100V, -4A, TO-126. Collector-emitterspanning VCEO: -100V. Collectorstroom: -4A. Behuizing: TO-126. Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: PNP. Uitvoering: Darlington-transistor. Ingebouwde diode: ja. Vermogen: 40W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-225, TO-225, 100V, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD682G. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 4A, 120V. Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF-L. Let op: >750. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, TO-220, 80V, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD810G. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 1.5 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 90W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, TO-202, TO-202; SOT128B, 100V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-202. Behuizing (volgens datablad): TO-202; SOT128B. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 75 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 8W. Spec info: complementaire transistor (paar) BD829. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 8A, 100V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1 MHz. Functie: NF-L. Let op: >750. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Spec info: complementaire transistor (paar) BD901. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 15A, 45V. Collectorstroom: 15A. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF/L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Vermogen lineair en schakelend. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 40. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BD911. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Weerstand B: Vermogen. BE-weerstand: TO220. C(inch): 90W. Kosten): -100V

NPN-transistor, 15A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-225, 100V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-225. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF/L. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BD911. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP

NPN-transistor, 5A, 45V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Type transistor: PNP

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, TO-264, 60V, 3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-264. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja. Componentfamilie: PNP-vermogenstransistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDP950. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: ja. CE-diode: ja. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 1500. Minimale hFE-versterking: 750. Ic(puls): 20A. Let op: 3k Ohms (R1), 45 Ohms (R2). Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Spec info: complementaire transistor (paar) BDT65C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Darlington-transistor. Tf(max): 2.5us. Tf(min): 0.5us. Type transistor: PNP. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 2.5V

NPN-transistor, 15A, 100V. Collectorstroom: 15A. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Spec info: 130.42144. Type transistor: PNP

NPN-transistor, TO-247, TO-247, 100V, 10A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Collectorstroom: 10A. RoHS: ja. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Spec info: complementaire transistor (paar) BDV65B. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Minimale hFE-versterking: 1000. Ic(puls): 20A. Aantal aansluitingen: 3