NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO3P ), 180V, TO3P-3L. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3P ( TO3P ). Collector-emitterspanning Vceo: 180V. Behuizing (volgens datablad): TO3P-3L. Kosten): 250pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Maximale hFE-versterking: 180. Minimale hFE-versterking: 50. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Functie: voor hifi-audioversterkers. Technologie: NPN epitaxiale vlakke transistor. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1386A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 700mA, TO-92, SC-43B, TO92, 25V. Collectorstroom: 700mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): SC-43B, TO92. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250MHz. Functie: Hi-beta. Maximale hFE-versterking: 3200. Minimale hFE-versterking: 800. Ic(puls): 1A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 25V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.14V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 15V. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, PCB-solderen, M31/J, 8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M31/J. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 1500V/800V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 150W

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Aantal per doos: 1. Spec info: Hi-deflect (MONITOR)

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Aantal per doos: 1. Spec info: Hi-deflect (MONITOR)

NPN-transistor, 0.5A, 80V. Collectorstroom: 0.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: Laagfrequente aandrijftoepassingen. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Type transistor: NPN. Let op: hFE 140...280. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1480

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-98, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-98. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/18V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-98, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-98. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 35V/30V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-98, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-98. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 35V/30V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, TO-220FP, TO-220F. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Functie: S-L. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V/16V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

NPN-transistor, 0.2A, 200V. Collectorstroom: 0.2A. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 400 MHz. Functie: Hi-def. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1476

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 550V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 550V. C(inch): 4pF. Kosten): 10pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 900V. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 2A, TO-126F, TO-126LP, 30 v. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126LP. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Weerstand B: 22. BE-weerstand: 22. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 260 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Functie: hFE 800. Aantal per doos: 1. Spec info: Hi-Ube, lo-sat.

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-98, 20mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-98. Collectorstroom Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/30V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.1W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-98, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-98. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.05A, 75V. Collectorstroom: 0.05A. Collector-emitterspanning Vceo: 75V. Weerstand B: 47. BE-weerstand: 10. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: TV-ZF-E. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, MF20 TO220F, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): MF20 TO220F. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Kosten): 50pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Minimale hFE-versterking: 500. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Aantal per doos: 1. Functie: Stuurprogramma voor solenoïde en motor. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 160V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3PB, 200V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PB. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Markering op de kast: C3856. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1492

NPN-transistor, 5A, 800V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Aantal per doos: 1. Spec info: MONITOR

NPN-transistor, 7A, 600V. Collectorstroom: 7A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Aantal per doos: 1. Spec info: MONITOR