NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 5A, 800V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Spec info: MONITOR. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 7A, 600V. Collectorstroom: 7A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Spec info: MONITOR. Type transistor: NPN. Vcbo: 1400V

NPN-transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Markering op de kast: C3886A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Spec info: MONITOR. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.02A, 25V. Collectorstroom: 0.02A. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 450 MHz. Functie: TV/IF. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 7A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 600V. Collectorstroom: 7A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: HA, Hi-res. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Spec info: Rbe 60 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 8A, 600V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: HA, Hi-res. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Spec info: MONITOR. Type transistor: NPN. Vcbo: 1400V

NPN-transistor, 8A, 600V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: HA, Hi-res. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Spec info: MONITOR. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 15A, 800V. Collectorstroom: 15A. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: HA hi-def.. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Spec info: MONITOR. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 400V. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Functie: Hoogspanningsdrivertoepassingen. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Spec info: hFE 100...200. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 15A, TO-247, TO-247, 450V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Spec info: 500/2200ns. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 600V

NPN-transistor, 0.065A, 10V. Collectorstroom: 0.065A. Collector-emitterspanning Vceo: 10V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: UHF. Spec info: 9000MHZ. Vermogen: 200mW. Type transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 1.5V

NPN-transistor, 7A, TO-220, TO-220AB, 400V. Collectorstroom: 7A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Spec info: 2SD4106M. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 500V

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 400V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: Snelle schakelsnelheid. Maximale hFE-versterking: 50. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 20A. Markering op de kast: C4107. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.3us. Type transistor: NPN. Vcbo: 500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V

NPN-transistor, 7A, TO-220FP, TO-220F, 120V. Collectorstroom: 7A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: DC/DC-spanningsomvormer. Maximale hFE-versterking: 220. Minimale hFE-versterking: 70. Ic(puls): 14A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Spec info: COB--110pF (VCB=10V, f=1MHzC). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 200V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V

NPN-transistor, 0.7A, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 0.7A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 270 MHz. Functie: hFE1 1500, hFE2 600 . Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Spec info: Lo-Sat Vce(sat)<0.5V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SMV-5, 0.15A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SMV-5. Collectorstroom Ic [A], max.: 0.15A. RoHS: ja. Componentfamilie: dubbele NPN bipolaire transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 5. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 80 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, 3A, 800V. Collectorstroom: 3A. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 8 MHz. Functie: (F). Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1200V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 3A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 8 MHz. Functie: Schakelende vermogenstransistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Spec info: HFX-serie. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1200V

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Ic(puls): 20A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1200V

NPN-transistor, 10A, TO-247, TO-247, 150V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: S-L. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1633. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.3A, 30 v. Collectorstroom: 0.3A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: VHF Breedbandversterker. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 2A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 200V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): FM20 (TO220F). Collector-emitterspanning Vceo: 200V. BE-diode: NINCS. Kosten): 35pF. CE-diode: NINCS. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: Hoogspannings-NPN-transistor voor audio- en algemene toepassingen.. Minimale hFE-versterking: 60. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1668. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 200V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 8A, 120V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1671. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V

NPN-transistor, 10A, 140V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1672. Type transistor: NPN. Vcbo: 180V

NPN-transistor, 15A, 160V. Collectorstroom: 15A. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 85W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1673. Type transistor: NPN. Vcbo: 200V