NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ), 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SC-59 ( 2.9x1.5x1.15mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: transistor met voorspanningsweerstandsnetwerk. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 60. Let op: Panasonic NV-SD450. Let op: B1GBCFLL0035. Markering op de kast: 8B. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 338mW. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 8B. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Digitale transistors (BRT). Type transistor: NPN. Vcbo: 50V

NPN-transistor. BE-diode: NINCS. C(inch): 9pF. Kosten): 3.5pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 250V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. BE-diode: NINCS. C(inch): 9pF. Kosten): 6pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: audio-eindversterker. Productiedatum: 201452 201512. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 45. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) NJW1302. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, 60V. Collectorstroom: 15A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2.5 MHz. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Let op: hFE 20...70. Let op: complementaire transistor (paar) NTE219. Temperatuur: +200°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 115W. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3.3V. Vebo: 7V

NPN-transistor. BE-diode: NINCS. Kosten): 135pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 8A, SOT-199, SOT-199, 700V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: SOT-199. Behuizing (volgens datablad): SOT-199. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Gemaakt voor Grundig. Pd (vermogensdissipatie, max.): 34W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 600mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P2N2222A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 6.2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Collectorstroom: 6.2A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Kosten): 35pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Maximale hFE-versterking: 500. Minimale hFE-versterking: 75. Ic(puls): 15A. Let op: complementaire transistor (paar) PBSS4041PX. Markering op de kast: 6F. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Spec info: zeefdruk/SMD-code 6F. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf (type): 220 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 35mV. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 320mV. Vebo: 5V

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Transistor met ingebouwde voorspanningsweerstand. Minimale hFE-versterking: 80. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: *08. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code P08/T08. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NPN-schakeltransistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Spec info: 130.41594. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 15V

NPN-transistor, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 500 MHz. Functie: Hoge snelheidsschakelen. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Spec info: zeefdruk/SMD-code P1J, T1J. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 15V

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. C(inch): 30pF. Kosten): 8pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: Hoge snelheidsschakelen. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 0.8A. Markering op de kast: p2X, t2X, W2X. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Spec info: zeefdruk/SMD-code P2X, T2X, W2X, complementaire transistor (paar) PMBT4401. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.75V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 75V. BE-diode: NINCS. Kosten): 19pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Versterker voor algemeen gebruik. Spec info: hFE 80...450. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 45V

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 75V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 75V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Versterker voor algemeen gebruik. Spec info: hFE 240...600. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 45V

NPN-transistor, 0.6A, TO-92, TO-92, 40V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. BE-diode: NINCS. Kosten): 75pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: Versterker voor algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 35. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-363, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-363. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: paar NPN- en PNP-transistors. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 6. Markering van de fabrikant: D*2. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 180 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 100pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: DTR.. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. Spec info: zeefdruk/CMS-code XJ. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, ITO-218, 8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-218. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: S2000N. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 1.5 kV. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 1500V, 8A, TO-247-T. Collector-emitterspanning VCEO: 1500V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-247-T. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Toepassingen: schakel. Vermogen: 50W. Ingebouwde diode: ja

NPN-transistor, 8A, TO-247, TO-247F, 1500V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247F. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. BE-diode: NINCS. Kosten): 9pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 15A, 160V. Collectorstroom: 15A. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. Kosten): 35pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NF/L, HI-FI Audio. Let op: hFE 5000...20000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Spec info: complementaire transistor (paar) SAP15P. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 15A, 160V. Collectorstroom: 15A. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. BE-diode: NINCS. Kosten): 35pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NF/L, HI-FI Audio. Let op: hFE 5000...20000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Spec info: complementaire transistor (paar) SAP15P. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 15A, 400V. Collectorstroom: 15A. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Kosten): 8pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Type transistor: NPN. Vcbo: 850V

NPN-transistor, SOT23, 4.87k Ohms. Behuizing: SOT23. Collector-emitterspanning VCEO: 4.87k Ohms. Uitvoering: transistor voor toepassingen met laag vermogen. Polariteit: NPN. Vermogen: 0.36W. Collector-base spanning VCBO: 4.87k Ohms. Montagetype: SMD. Bandbreedte MHz: 50MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 25. Stroom Max 1: 0.5A. Serie: SMBTA

NPN-transistor, 1.5A, TO-92, TO-92 (Ammo-Pack), 25V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 (Ammo-Pack). Collector-emitterspanning Vceo: 25V. BE-diode: NINCS. Kosten): 9pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 120. Markering op de kast: S8050 C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V