NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-225, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: NINCS. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: MJE803. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

NPN-transistor, 1000V, 5A, TO-220-F. Collector-emitterspanning VCEO: 1000V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220-F. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 35W. Maximale frequentie: 13MHz

NPN-transistor, 8A, TO-220FP, TO-220F, 450V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Kosten): 80pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: (F). Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 600V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. BE-weerstand: 50. Kosten): 156pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 13 MHz. Functie: schakelcircuits. Maximale hFE-versterking: 35. Minimale hFE-versterking: 18. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 175 ns. Tf(min): 110 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Vcbo: 1200V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.83V. Vebo: 10V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 15A, 650V. Collectorstroom: 15A. Collector-emitterspanning Vceo: 650V. Kosten): 2.3pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: NF-L, TO-264. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: TO-3PBL. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO–3PBL, 250V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO–3PBL. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Kosten): 6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Maximale hFE-versterking: 75. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxial-Base . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJL21193. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 250V, 16A, TO-264. Collector-emitterspanning VCEO: 250V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-264. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Functie: HIFI-eindversterker. Vermogen: 200W

NPN-transistor, 16A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 250V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: hFE=25 Min @ IC=8Adc. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.4V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJL21195. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 260V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Collector-emitterspanning Vceo: 260V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: Complementaire bipolaire vermogenstransistor. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 45. Ic(puls): 25A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 260V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJL1302A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 350V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 35 MHz. Functie: Krachtige audio, lage harmonische vervorming. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 50. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) MJL4302A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon Power Bipolar Transistor. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -60...+150°C. Vcbo: 350V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 16A, TO-247, TO-247, 400V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Uitstekende versterkingslineariteit. Maximale hFE-versterking: 80. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) MJW21195. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-247, TO-247, 230V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Kosten): 2.8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: Complementaire bipolaire vermogenstransistor. Productiedatum: 201444 201513. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 50. Ic(puls): 25A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 230V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Technologie: Bipolaire vermogenstransistor. Spec info: complementaire transistor (paar) MJW1302A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 75V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 75V. Kosten): 5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: UNI. Minimale hFE-versterking: 100. Markering op de kast: 1 P. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Spec info: SMD 1P. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 600mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1P. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 200mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1S. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 15V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 60V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Kosten): 1.6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 1.2A. Markering op de kast: 2F. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 225mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: SMD '2F'. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 200mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1AM. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.2A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 60V. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. RoHS: ja. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen (SMD). C(inch): SOT-23. Kosten): 1.6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: UNI. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Markering op de kast: 1AM. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Spec info: SMD 1AM. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 40V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Kosten): 80pF. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: Schakeltransistor. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 0.9A. Markering op de kast: 2x. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf(max): 30 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V. Spec info: zeefdruk/CMS-code 2X. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 600mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 150V. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 150V. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2L. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 150V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.250W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor. Markering op de kast: 2 L. Equivalenten: MMBT5401LT1G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code (2Lx datumcode)

NPN-transistor, 0.6A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 160V. Collectorstroom: 0.6A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 60. Markering op de kast: G1. Equivalenten: MMBT5551LT1G. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V. Spec info: zeefdruk/SMD-code G1 (3S Fairchild). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 600mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: G1. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 160V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1GM. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1GM. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 300V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25. Let op: 1D. Markering op de kast: 1D. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 240mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) MMBTA92. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS