NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 20V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. BE-diode: NINCS. Kosten): 28pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Klasse B push-pull-bediening. Maximale hFE-versterking: 135. Minimale hFE-versterking: 96. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Spec info: uitstekende hFE-lineariteit. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.16V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 270 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.45W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220AB, 400V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 32. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 8A. Markering op de kast: 13005A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 400V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 16. Ic(puls): 16A. Markering op de kast: 13007A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 350 ns. Tf(min): 40 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220, 400V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 50. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 15...28. Markering op de kast: ST13009L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Spec info: ST13009L. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V

NPN-transistor. BE-diode: NINCS. Kosten): 122pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 1.5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 400V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 1000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelende hoogspanningstransistor. Maximale hFE-versterking: 32. Minimale hFE-versterking: 4. Ic(puls): 3A. Markering op de kast: N83003. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.6W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) STN93003. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V

NPN-transistor, 5A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 60V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Kosten): 215pF. CE-diode: NINCS. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 1000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Functie: Snel schakelende NPN-vermogenstransistor met lage spanning. Maximale hFE-versterking: 350. Minimale hFE-versterking: 30. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.6W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.32V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 700V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: HIGH SWITCH. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Spec info: hoge snelheid. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 7A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Collectorstroom: 7A. Behuizing: ISOWATT218. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 8k Ohms (R1), 120 Ohms (R2). CE-diode: ja. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: schakelen, audioversterker. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 1000. Ic(puls): 15A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP107. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V

NPN-transistor, 2A, 60V. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 1000. Minimale hFE-versterking: 500. Ic(puls): 4A. Let op: >1000. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Spec info: 10k Ohms (R1), 600 Ohms (R2). Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 4A, 80V. Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. Kosten): 2pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: >1000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Spec info: TO-220. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collectorstroom Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP120. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 65W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collectorstroom Ic [A], max.: 5A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP122. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 65W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, TO220, 100V. Behuizing: TO220. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Uitvoering: Darlington-transistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 65W. Collector-base spanning VCBO: 100V. Montagetype: PCB-doorvoermontage. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 1000. Stroom Max 1: 5A. Serie: TIP122G

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP132. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-247, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP142. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: R1 typ=5k Ohms, R2 typ=60 Ohms. CE-diode: ja. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Darlington-transistor met complementaire voeding. Maximale hFE-versterking: 1000. Minimale hFE-versterking: 500. Ic(puls): 20A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP147T. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Monolithisch Darlington. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, TO-247, 15A, TO-247, 100V. Behuizing: TO-247. Collectorstroom: 15A. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. RoHS: ja. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: audio-versterker. Maximale hFE-versterking: 70. Minimale hFE-versterking: 20. Let op: complementaire transistor (paar) TIP2955. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Spec info: Lage collector-emitter-verzadigingsspanning. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 70V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 24. Minimale hFE-versterking: 10. Ic(puls): 5A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP32C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, TO-247, 25A, TO-247, 100V. Behuizing: TO-247. Collectorstroom: 25A. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. RoHS: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistors. Productiedatum: 1450. Maximale hFE-versterking: 50. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 50A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP36C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. BE-diode: NINCS. Kosten): 35pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-247, 25A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Collectorstroom Ic [A], max.: 25A. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: TIP35CG. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220AB, 100V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistors. Maximale hFE-versterking: 75. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) TIP42C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 100V, 6A, TO-220. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-220. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 65W. Maximale frequentie: 3MHz