NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 0.1A, TO-126F, TO-126ML, 160V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126ML. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 160...320. Spec info: complementaire transistor (paar) HSB1109. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 500mA, TO-5, TO-5, 75V. Collectorstroom: 500mA. Behuizing: TO-5. Behuizing (volgens datablad): TO-5. Collector-emitterspanning Vceo: 75V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 35...125. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Spec info: Lo-Pwr BJT. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Spec info: TO-92M. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Spec info: TO-92M. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Spec info: TO-92M. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.7A, 140V. Collectorstroom: 0.7A. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. BE-diode: NINCS. Kosten): 2.6pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V

NPN-transistor, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Collectorstroom: 200mA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: Kleur TV Chroma-uitvoer (VID-L). Maximale hFE-versterking: 140. Minimale hFE-versterking: 70. Markering op de kast: C1507 O. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 200mA, TO-220, TO-220, 300V. Collectorstroom: 200mA. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: Kleur TV Chroma-uitvoer (VID-L). Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Markering op de kast: C1507 Y. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Spec info: fT--40...80MHz, VCE=30V, IC=10mA. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92 3L (AMMO), 120V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 3L (AMMO). Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. Kosten): 1.6pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 110 MHz. Functie: HIFI-audioversterker. Maximale hFE-versterking: 600. Minimale hFE-versterking: 300. Markering op de kast: C1845. Equivalenten: 2SC1845. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) KSA992. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.07V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.7A, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 0.7A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 170 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. Kosten): 50pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: TV verticale afbuigingsuitgang. Maximale hFE-versterking: 125. Minimale hFE-versterking: 60. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) KSA940. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1.5A, TO-220, TO-220, 150V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. Kosten): 50pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: TV verticale afbuigingsuitgang. Maximale hFE-versterking: 125. Minimale hFE-versterking: 40. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) KSA940. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 150V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Collectorstroom: 0.05A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92L (9mm magas). Collector-emitterspanning Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. Kosten): 3.5pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 140. Minimale hFE-versterking: 70. Markering op de kast: C2310 O. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: NINCS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 200V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.05A, TO-92, TO-92L (9mm magas), 150V. Collectorstroom: 0.05A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92L (9mm magas). Collector-emitterspanning Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. Kosten): 3.5pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Markering op de kast: C2310 Y. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: NINCS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 200V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 2A, 30 v. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Weerstand B: 10. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 10. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm). Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92M ( 9mm ), 300V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Weerstand B: 10. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 10. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: 0501-000367. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Spec info: 9 mm hoogte. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.7A, TO-92, TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ), 60V. Collectorstroom: 0.7A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92L ( SC-51 ) ( 9mm ). Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Kosten): 60pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: hFE 120...240. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 800V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. Kosten): 60pF. CE-diode: NINCS. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: Hoge snelheidsschakelen. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 10A. Markering op de kast: KSC5027 (O). Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.3us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 800V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. Kosten): 60pF. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: Hoge snelheidsschakelen. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.5us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: 0...+150°C. Vcbo: 1100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 0.1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 900V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 900V. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 10. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Dyn Focus. Pd (vermogensdissipatie, max.): 4W. Spec info: HV switch. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 8A, 800V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 10. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge resolutie . Let op: MONITOR. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 7A, TO-3PF (SOT399), TO-3PF, 800V. Collectorstroom: 7A. Behuizing: TO-3PF (SOT399). Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 10. CE-diode: ja. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: High Switching 0.1us. Maximale hFE-versterking: 22. Minimale hFE-versterking: 8:1. Ic(puls): 16A. Markering op de kast: C5386. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Spec info: VEBO 6V. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Silicon Transistor . Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 4.2V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. Kosten): 80pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CRT-HA (F). Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Spec info: Monitor 68KHz. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. Kosten): 90pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CRT-HA (F). Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Spec info: Rbe 50 Ohms, monitor 69kHz. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CRT-HA (F). Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 24A. Markering op de kast: C5803. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Spec info: For C-Monitor (85KHz). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V