NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, 1.5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Collectorstroom Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD139-10. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 12.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

NPN-transistor, 80V, 1A, TO-126 FULLPACK. Collector-emitterspanning VCEO: 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-126 FULLPACK. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 10W

NPN-transistor, 1.5A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 1.5A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-126. Kosten): SOT-32. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 3A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 12.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD140-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126 plastic. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 12.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD140-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 80V, 1.5A, TO-126. Collector-emitterspanning VCEO: 80V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-126. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 12.5W

NPN-transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126 plastic, 80V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126 plastic. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 12.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD140-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, TO126, 375V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 0.5A. Behuizing (volgens datablad): TO126. Collector-emitterspanning Vceo: 375V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, 60V. Collectorstroom: 1.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-225, 3mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Collectorstroom Ic [A], max.: 3mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD179G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.03W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

NPN-transistor, 1.5A, 100V. Collectorstroom: 1.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 125 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 12.5W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, 2A, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. Collectorstroom: 2A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD237. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Ic(puls): 6A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD238

NPN-transistor, 2A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 2A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 6A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD238. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-225, 2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Collectorstroom Ic [A], max.: 2A. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD237G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

NPN-transistor, 2A, TO-220, 100V, TO-220, 115V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-220. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 30W. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD240C

NPN-transistor, TO-220, 100V, 3A, 5A, TO-220, 100V. Behuizing: TO-220. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Collectorstroom: 3A. Collectorstroom: 5A. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 40W. Maximale frequentie: 3MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 10. Ic(puls): 8A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD242C

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 10. Ic(puls): 5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 115V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD242C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 6A, 100V, 6A, TO-220. Collectorstroom Ic [A], max.: 6A. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-220. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD243C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 65W. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 65W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistor. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD244C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 6A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collectorstroom Ic [A], max.: 6A. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD243C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 65W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Complementaire vermogenstransistor. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD244C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 6A, TO-220, 100V, TO-220AB, 100V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-220. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 65W. Maximale frequentie: 3MHz. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 100V

NPN-transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 115V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN. Spec info: complementaire transistor (paar) BD246C

NPN-transistor, 10A, 115V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN. Spec info: complementaire transistor (paar) BD246C

NPN-transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218AB, 115V. Collectorstroom: 25A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-218AB. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 40A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD250C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 25A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218, 115V. Collectorstroom: 25A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-218. Collector-emitterspanning Vceo: 115V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Spec info: complementaire transistor (paar) BD250C