NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SC-70, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SC-70. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 65V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 65V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Markering op de kast: 8AC. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 250mV. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 600mV. Vebo: 6V. Spec info: SMD 8AC. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Kosten): 1.5pF. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 220. Minimale hFE-versterking: 110. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 1E. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.09V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 1E. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1. Spec info: zeefdruk/SMD-code 1F

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1F. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1F. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, 100mA, SOT-363 ( SC-88 ), SOT-363, 45V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-363 ( SC-88 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-363. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: DUAL NPN & PNP. Maximale hFE-versterking: 450. Minimale hFE-versterking: 200. Ic(puls): 200mA. Markering op de kast: 13. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP & NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 6. Spec info: zeefdruk/SMD-code 13. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SC-88, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SC-88. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-363. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 13. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.22W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: paar NPN- en PNP-transistors

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 45V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Kosten): 4.5pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 250. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.225W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 6V. Aantal per doos: 1. Spec info: zeefdruk/SMD-code 1G. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1g. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: zeefdruk/SMD-code 1K

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1g. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1g. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.31W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1Ls. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 250 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.33W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1L. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SC-70, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SC-70. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-323. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V. Spec info: SMD 2G

NPN-transistor, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT89. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Kosten): 22pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 170 MHz. Maximale hFE-versterking: 375. Minimale hFE-versterking: 85. Ic(puls): 3A. Markering op de kast: CAC. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.35W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 32V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code CAC. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 2A, SOT-89, SOT89, 20V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT89. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Kosten): 22pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 170 MHz. Maximale hFE-versterking: 375. Minimale hFE-versterking: 160. Ic(puls): 3A. Markering op de kast: CDC. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.35W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 32V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code CDC. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), TSSOP6, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: TSSOP6. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 6. Markering van de fabrikant: M1. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 250 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: paar NPN- en PNP-transistors

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 1.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Collectorstroom Ic [A], max.: 1.5A. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 130 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

NPN-transistor, 1A, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 45V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Kosten): 6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: Audio-, telefonie- en automobieltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: BCP54/16. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.35W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BCP51-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS