NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 25mA, 15V. Collectorstroom: 25mA. Collector-emitterspanning Vceo: 15V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: UHF-V M/O. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.36W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 300V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Minimale hFE-versterking: 50. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: 1V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Spec info: zeefdruk/SMD-code. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V

NPN-transistor, 50mA, 275V. Collectorstroom: 50mA. Collector-emitterspanning Vceo: 275V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 90MHz. Id(imp): 300mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 7W. RoHS: NINCS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 20V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 700 MHz. Functie: VHF TV-IF. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 35. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 3V

NPN-transistor, 150mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Collectorstroom: 150mA. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Collector-emitterspanning Vceo: 15V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 7GHz. Functie: VHF/UHF-A 7GHz breedbandtransistor. Maximale hFE-versterking: 130. Minimale hFE-versterking: 80. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Vcbo: 25V. Vebo: 2V

NPN-transistor, 200mA, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223, 15V. Collectorstroom: 200mA. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Collector-emitterspanning Vceo: 15V. BE-diode: NINCS. Kosten): 0.7pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 7GHz. Functie: Voor VHF/UHF-antenneversterker en RF-communicatietoepassingen. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 60. Aantal aansluitingen: 4. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 3V

NPN-transistor, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: SOT-143. Behuizing (volgens datablad): SOT-143B. Collector-emitterspanning Vceo: 10V. BE-diode: NINCS. C(inch): 1.3pF. Kosten): 0.7pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 8GHz. Functie: UHF wideband transistor. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 60. Markering op de kast: V3%. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW (total 380mW). RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/CMS-code V3. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -60...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V

NPN-transistor, 50mA, SOT-143, SOT-143B, 10V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: SOT-143. Behuizing (volgens datablad): SOT-143B. Collector-emitterspanning Vceo: 10V. BE-diode: NINCS. C(inch): 1.3pF. Kosten): 0.7pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 8GHz. Functie: UHF wideband transistor. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 60. Markering op de kast: %MW. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW (total 380mW). RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code MW. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V

NPN-transistor, 0.1A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 300V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: VID-L. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 300V

NPN-transistor, 80mA, SOT-143, SOT-143, 12V. Collectorstroom: 80mA. Behuizing: SOT-143. Behuizing (volgens datablad): SOT-143. Collector-emitterspanning Vceo: 12V. BE-diode: NINCS. C(inch): 0.9pF. Kosten): 0.28pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 8GHz. Functie: UHF wideband transistor. Maximale hFE-versterking: 140. Minimale hFE-versterking: 70. Markering op de kast: RC s. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 580mW (total 380mW). RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code RC s. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2V

NPN-transistor, 0.3A, 100V. Collectorstroom: 0.3A. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge resolutie . Let op: Tc.=115°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3W. Spec info: complementaire transistor (paar) BFQ252. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.15A, 25V. Collectorstroom: 0.15A. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: UHF-A. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 1.25A, 36V. Collectorstroom: 1.25A. Collector-emitterspanning Vceo: 36V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 175 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 4W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 210mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 210mA. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogfrequente NPN -transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: R7s. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 15V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 5GHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.7W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.045A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. Collectorstroom: 0.045A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. BE-diode: NINCS. C(inch): 0.64pF. Kosten): 0.23pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 5GHz. Functie: 5GHz breedbandtransistor (UHF-A). Maximale hFE-versterking: 140. Minimale hFE-versterking: 70. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.28W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 15V. Vebo: 2.5V

NPN-transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Collectorstroom: 25mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 15V. BE-diode: NINCS. C(inch): 1.2pF. Kosten): 0.6pF. CE-diode: NINCS. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 5GHz. Functie: 5GHz breedbandtransistor (UHF-A). Maximale hFE-versterking: 135. Minimale hFE-versterking: 65. Let op: zeefdruk/SMD-code P2P. Markering op de kast: P2p. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 45mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 45mA. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogfrequente NPN -transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: GFs. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 15V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 5GHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.28W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 35mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Collectorstroom: 35mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 12V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 6GHz. Functie: UHF-A, RF wideband amplifiers and oscillators.. Maximale hFE-versterking: 90. Minimale hFE-versterking: 40. Markering op de kast: R2. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Spec info: SMD R2. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 15V. Vebo: 2V

NPN-transistor, 100mA, SOT-37 ( TO-50 ), SOT-37 ( TO-50 ), 15V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-37 ( TO-50 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-37 ( TO-50 ). Collector-emitterspanning Vceo: 15V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 5GHz. Functie: RF-versterker tot GHz-bereik voor antenneversterker.. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 25. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 700W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Planaire RF-transistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V

NPN-transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 15V. Collectorstroom: 25mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 15V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2.8GHz. Functie: VHF-UHF 3GHz wideband transistor. Maximale hFE-versterking: 90. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 50mA. Markering op de kast: E2. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 25V. Vebo: 2.5V

NPN-transistor, 25mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 20V. Collectorstroom: 25mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 450 MHz. Functie: IF en VHF dikke- en dunnefilmcircuit . Maximale hFE-versterking: 140. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 25mA. Let op: zeefdruk/SMD-code G1p, G1t, G1W. Markering op de kast: G1*. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 30 v. Vebo: 4 v

NPN-transistor, 0.2A, 30 v. Collectorstroom: 0.2A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: UHF-A. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 200mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogfrequente NPN -transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-264. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BFU590G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 24V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 8.5GHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 140V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: hoogspanningstransistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. Spec info: complementaire transistor (paar) BFV421. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 50mA, TO-72, TO-72, 10V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: TO-72. Behuizing (volgens datablad): TO-72. Collector-emitterspanning Vceo: 10V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1.6GHz. Functie: VHF-UHF-A. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 100mA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V