NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 6A, SOT-82, 100V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: SOT-82. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF-L. Let op: >750. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 4A, TO-126, 22V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 4A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 22V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 4A, 45V, TO-126, TO-126, 45V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning VCEO: 45V. Behuizing: TO-126. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 36W. Maximale frequentie: 3MHz. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 130. Minimale hFE-versterking: 30. Ic(puls): 7A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD438

NPN-transistor, 4A, TO-126F, TO-126F, 45V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 4A, SOT-32, 60V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 4A. Behuizing (volgens datablad): SOT-32. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 130. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 7A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD440

NPN-transistor, 80V, 4A, TO-126. Collector-emitterspanning VCEO: 80V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-126. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 36W. Maximale frequentie: 3MHz

NPN-transistor, 4A, 80V, 4A, TO-126, TO-126F, TO-126F, 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Collector-emitterspanning VCEO: 80V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-126. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Markering van de fabrikant: BD441G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 36W. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 36W. Maximale frequentie: 3MHz. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD649. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 62.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, 45V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD677. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD677A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-225, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD677AG. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD679. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 4A, TO-126, 80V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 4A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Minimale hFE-versterking: 750. Ic(puls): 6A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.8V. BE-weerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. Spec info: complementaire transistor (paar) BD680A. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 4A, 100V, TO-126, TO-126, 100V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Behuizing: TO-126. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Uitvoering: Darlington-transistor. Ingebouwde diode: ja. Vermogen: 40W. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Maximale hFE-versterking: 750. Ic(puls): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BD682

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-225, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD681G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 4A, 80V. Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD809G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 1.5 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 90W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: Vermogen lineair en schakelend. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 40. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Weerstand B: NPN-vermogenstransistor. BE-weerstand: 100V. C(inch): 15A. Kosten): 90W. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BD912. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF/L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BD912. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Collectorstroom Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-264. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDP949. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: 1. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Functie: hFE 1000. Spec info: complementaire transistor (paar) BDT64C. BE-diode: ja. CE-diode: ja

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-247, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDV65BG. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, 15A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDW42G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 85W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, SOT-93, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: SOT-93. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-93. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-93. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDW83C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Afsnijfrequentie ft [MHz]: hFE 750 (@3V, 6A). Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C