NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 80V, SOT32. Collector-emitterspanning VCEO: 80V. Behuizing: SOT32. Polariteit: NPN. Vermogen: 36W. Uitvoering: Vermogen. Collector-base spanning VCBO: 80V. Montagetype: PCB-doorvoermontage. Bandbreedte MHz: 3MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 15. Stroom Max 1: 4A. Serie: BD

NPN-transistor, 4A, PCB-solderen, TO-225. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Markering van de fabrikant: BD441G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 36W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD649. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 62.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, 45V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD677. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD677A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-225, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD677AG. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, SOT32, 80V. Behuizing: SOT32. Collector-emitterspanning VCEO: 80V. Uitvoering: Darlington-transistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 40W. Collector-base spanning VCBO: 80V. Montagetype: PCB-doorvoermontage. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 750. Stroom Max 1: 4A. Serie: BD679

NPN-transistor, 4A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 80V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: R1 typ=15k Ohms, R2 typ=100 Ohms. CE-diode: ja. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Minimale hFE-versterking: 750. Ic(puls): 6A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BD680A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.8V

NPN-transistor, 100V, 4A, TO-126. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-126. Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Uitvoering: Darlington-transistor. Ingebouwde diode: ja. Vermogen: 40W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-225, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-225. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-225. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD681G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 40W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 4A, 80V. Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: NF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BD809G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 1.5 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 90W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 100V, 15A, TO-220. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-220. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 90W

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220, 100V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Functie: NF/L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BD912. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, SOT223, 60V. Behuizing: SOT223. Collector-emitterspanning VCEO: 60V. Uitvoering: transistor voor toepassingen met laag vermogen. Polariteit: NPN. Vermogen: 5W. Collector-base spanning VCBO: 60V. Montagetype: SMD. Bandbreedte MHz: 100MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 15. Stroom Max 1: 3A. Serie: BDP

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Collectorstroom Ic [A], max.: 3A. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-264. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDP949. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220, 120V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: ja. CE-diode: ja. Darlington-transistor?: 1. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: hFE 1000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Spec info: complementaire transistor (paar) BDT64C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-247, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDV65BG. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, 15A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDW42G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 85W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 100V, 15A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-93. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Collectorstroom: 15A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1 MHz. Functie: hFE 750 (@3V, 6A). Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Spec info: complementaire transistor (paar) BDW84C

NPN-transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1 MHz. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 750. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BDW84C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 7us. Tf(min): 0.9us. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 120V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1 MHz. Functie: hFE 750 (@3V, 6A). Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BDW84D. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, TO220, 100V. Behuizing: TO220. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Uitvoering: Darlington-transistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 80W. Collector-base spanning VCBO: 100V. Montagetype: PCB-doorvoermontage. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 100. Stroom Max 1: 12A. Serie: BDW93

NPN-transistor, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: complementaire transistor (paar) BDW94CF. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 15A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 33W. RoHS: ja. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V