NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 15A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 100V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1 MHz. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 750. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 7us. Tf(min): 0.9us. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BDW84C

NPN-transistor, 12A, TO-220, 12A, TO-220AB, 100V, 100V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220. Collectorstroom Ic [A], max.: 12A. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Markering van de fabrikant: BDW93C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 20 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 80W. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Uitvoering: Darlington-transistor. Vermogen: 80W. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 12A, TO-220FP, TO-220F, 100V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 33W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Functie: complementaire transistor (paar) BDW94CF. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

NPN-transistor, 100V, 12A, TO-220FP. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220FP. Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Uitvoering: Darlington-transistor. Vermogen: 33W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 12A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collectorstroom Ic [A], max.: 12A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BDW93C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 80W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Maximale hFE-versterking: 750. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 15A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 2.5V. Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Uitvoering: Darlington-transistor. Ingebouwde diode: ja. Vermogen: 70W. Maximale frequentie: 20MHz. Aantal aansluitingen: 3. Functie: 10k Ohms (R1), 150 Ohms (R2). Spec info: complementaire transistor (paar) BDX34C

NPN-transistor, 80V, 8A, TO-220-F. Collector-emitterspanning VCEO: 80V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220-F. Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Uitvoering: Darlington-transistor. Vermogen: 20W. Maximale frequentie: 20MHz

NPN-transistor, 8A, TO-220, TO-220AB, 100V, 100V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Collector-emitterspanning VCEO: 100V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Maximale hFE-versterking: +150°C. Minimale hFE-versterking: 750. Ic(puls): 12A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Complementaire Power Darlington-transistoren. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Uitvoering: Darlington-transistor. Vermogen: 60W. Maximale frequentie: 20MHz. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: complementaire transistor (paar) BDX54C. Functie: audio-versterker. Spec info: R1 typ.=10k Ohms, R2 typ.=150 Ohms

NPN-transistor, 15A, TO-3 ( TO-204 ), TO3, 350V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO3. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: schakelende voeding. Pd (vermogensdissipatie, max.): 95W. RoHS: NINCS. Td(uit): 3.5us. Td(aan): 0.5us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+175°C. Vcbo: 750V. Aantal per doos: 1

NPN-transistor. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 25mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 25V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Kosten): 3.5pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1100 MHz. Functie: TV-IF. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55°C tot +150°C. Vcbo: 40V. Vebo: 4 v. Weerstand B: NPN-transistor. BE-weerstand: RF-POWER. C(inch): 25V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor. Functie: TV-IF-reVHF. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 25mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 25mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BF240. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 150 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 30mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.22W

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 300V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 90 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 25mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 25mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, 300V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Kosten): 2pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 6V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 500mA, TO-92, TO-92, 300V. Collectorstroom: 500mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Minimale hFE-versterking: 50. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 800mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) BF421. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 50mA, TO-92, TO-92, 250V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Kosten): 1.6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Minimale hFE-versterking: 50. Ic(puls): 100mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 250V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: complementaire transistor (paar) BF423. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, 160V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 90 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 100mA, TO-126, 300V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 100mA. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kosten): 5.5pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 90 MHz. Functie: VID-L. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 300mA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.5A, 250V. Collectorstroom: 0.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 250V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 45 MHz. Functie: VID-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 0.5A, 300V. Collectorstroom: 0.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 45 MHz. Functie: VID-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 0.05A, 400V. Collectorstroom: 0.05A. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1. Spec info: TO-93