NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 4A, 100V. Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 8 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Type transistor: NPN. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB682

NPN-transistor, 8A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 120V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 12 MHz. Functie: audio-eindversterker. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 55. Ic(puls): 10A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB688. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 6A, 600V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 0.7A, TO-92, 25V. Collectorstroom: 0.7A. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 3A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collectorstroom Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 25W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 6A, 120V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: B=1000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 6A, 120V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: NF/SL. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 1A, 60V. Collectorstroom: 1A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB764. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 6A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2SD871. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 1500V/600V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W

NPN-transistor, 3A, 30 v. Collectorstroom: 3A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Io-zat. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.75W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220, TO-220, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-126, 30 v, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 3A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Kosten): 45pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 90 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 60. Ic(puls): 7A. Markering op de kast: D882. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB772. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, M31/J, 7A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M31/J. Collectorstroom Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 330V/200V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W

NPN-transistor, 2A, TO-126, 40V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 2A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: hFE 4000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Spec info: TO-126

NPN-transistor, 0.02A, 120V. Collectorstroom: 0.02A. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Type transistor: NPN. Functie: NF

NPN-transistor, 5A, TO-92, TO-92, 20V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Kosten): 50pF. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: AF-uitgangsversterker. Maximale hFE-versterking: 600. Minimale hFE-versterking: 340. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.35V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, D8/C, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D8/C. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220C, 400V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220C. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Fast-switching. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 8:1. Ic(puls): 24A. Markering op de kast: D13009K. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.7us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 8:1. Ic(puls): 24A. Markering op de kast: D209L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(min): 0.7us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 1.5A, TO-126F, TO-126F, 490V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Collector-emitterspanning Vceo: 490V. Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Maximale hFE-versterking: 20. Minimale hFE-versterking: 16. Ic(puls): 3A. Markering op de kast: 4202BD. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.7us. Tf(min): 0.7us. Type transistor: NPN. Vcbo: 800V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.18V. Vebo: 13V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-323, 40mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-323. Collectorstroom Ic [A], max.: 40mA. RoHS: ja. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 32. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 5.5V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2.4GHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Weerstand B: NINCS. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-18. Kosten): 4.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 450. Minimale hFE-versterking: 200. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS