NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 0.1A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Kosten): 4.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO39, 60V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO39. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. RoHS: ja. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): 80pF. Kosten): 25pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: voor middenvermogen en schakeltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC161-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 500. Minimale hFE-versterking: 240. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 500. Minimale hFE-versterking: 240. Let op: ( E,C,B ). Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 45V. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 280 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. CE-diode: ja

NPN-transistor, 0.2A, 45V. Collectorstroom: 0.2A. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 280 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Spec info: BC237/25

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC237BG. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, 120V, 0.5A, TO-39. Collector-emitterspanning VCEO: 120V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-39. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 0.85W. Maximale frequentie: 120MHz

NPN-transistor, 60V, 0.5A, TO-39. Collector-emitterspanning VCEO: 60V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-39. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 0.85W. Maximale frequentie: 120MHz

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Kosten): 15pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 210 MHz. Maximale hFE-versterking: 630. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC327-25. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC337-25. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC337-25. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 210 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, 50V, 0.8A, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: 50V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 0.63W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC337-25. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 800mA, TO-92, 45V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC337-40. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC327-40

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC337-40. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 210 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, 50V, 0.8A, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: 50V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 0.63W

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC327-16. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 160. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC327-25. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 45V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92Ammo-Pack. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 630. Minimale hFE-versterking: 250. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC327-40. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 50V, 0.8A, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: 50V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 0.63W. Maximale frequentie: 100MHz

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Kosten): 40pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 63. Ic(puls): 2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Maximale hFE-versterking: 375. Minimale hFE-versterking: 85. Ic(puls): 2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 32V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC369