NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, TO-92, PCB-solderen, 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing: PCB-solderen. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC550C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 250 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 45V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. C(inch): 50pF. Kosten): 7pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 40. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. C(inch): 50pF. Kosten): 7pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC639. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Pd (vermogensdissipatie, max.): 800mW. Spec info: complementaire transistor (paar) BC640-16. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. C(inch): 50pF. Kosten): 7pF. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Pd (vermogensdissipatie, max.): 800mW. Spec info: complementaire transistor (paar) BC640-16. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC639-16. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.83W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC639-16. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.83W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 170 MHz. Functie: NF-TR. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 1A. Markering op de kast: 6As. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. RoHS: ja. Spec info: SMD 6As. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 45V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: NF-TR. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 1A. Markering op de kast: 6A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. RoHS: ja. Spec info: SMD 6A. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23-3. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: NF-TR. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 160. Ic(puls): 1A. Markering op de kast: 6B. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 6B. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 800mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 6B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.31W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 6B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, SOT23, 45V. Behuizing: SOT23. Collector-emitterspanning VCEO: 45V. Uitvoering: transistor voor toepassingen met laag vermogen. Polariteit: NPN. Vermogen: 0.31W. Collector-base spanning VCBO: 50V. Montagetype: SMD. Bandbreedte MHz: 100MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 250. Stroom Max 1: 0.8A. Serie: BC

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 800mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 6B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.31W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.5A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23-3, 45V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23-3. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Kosten): 3pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: NF-TR. Maximale hFE-versterking: 600. Minimale hFE-versterking: 250. Ic(puls): 1A. Markering op de kast: 6C. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: SMD 6C. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 6C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 800mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 6g. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.31W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 6g. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, SOT23, 65V. Behuizing: SOT23. Collector-emitterspanning VCEO: 65V. Uitvoering: transistor voor toepassingen met laag vermogen. Polariteit: NPN. Vermogen: 0.25W. Collector-base spanning VCBO: 80V. Montagetype: SMD. Bandbreedte MHz: 100MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 200. Stroom Max 1: 0.1A. Serie: BC

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SC-70, 100mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SC-70. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 1B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 65V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 65V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Markering op de kast: 8AC. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.33W. RoHS: ja. Spec info: SMD 8AC. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 250mV. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 600mV. Vebo: 6V