NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 2A, 100V. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Let op: >1000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: NPN. CE-diode: ja

NPN-transistor, 3A, SMD, D-PAK TO-252, 50V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: SMD. Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 25pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: Schakelen met hoge stroomsterkte. Maximale hFE-versterking: 560. Minimale hFE-versterking: 35. Ic(puls): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1202. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 35. Ic(puls): 12A. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale vlakke siliciumtransistors . Tf(max): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1204

NPN-transistor, 4A, TO-220FP, TO-220ML, 60V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220ML. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Maximale hFE-versterking: 5000. Minimale hFE-versterking: 2000. Ic(puls): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 70V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.9V. Spec info: Epitaxiale vlakke silicium Darlington-transistor

NPN-transistor, 5A, 700V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 5A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PML. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Kleuren-tv Horizontale afbuiging Uitgangsversterker.. Maximale hFE-versterking: 10. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 20A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: laagfrequente eindversterker. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1274

NPN-transistor, 4A, 80V. Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Minimale hFE-versterking: 3000. Let op: =3000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Type transistor: NPN. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1342

NPN-transistor, PCB-solderen, M31/C, 6A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M31/C. Collectorstroom Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 1500V/650V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Markering van de fabrikant: silicium. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): 1500V. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): 650V

NPN-transistor, 10A, 650V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 650V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Functie: S-L TV/HA(F)

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 25V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Io-sat DC/DC. Maximale hFE-versterking: 350. Minimale hFE-versterking: 200. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 2.5A, 1500V. Collectorstroom: 2.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): 2-10R1A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Kosten): 35pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Markering op de kast: D2012. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1366. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220FP, 3A, TO-220, TO-220, 80V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220FP. Collectorstroom Ic [A], max.: 3A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V/60V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 30W. Markering van de fabrikant: silicium. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): 30W. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 3.5A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), 600V. Collectorstroom: 3.5A. Behuizing: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 3A, 100V. Collectorstroom: 3A. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 140 MHz. Functie: Io-zat. Let op: >500. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 6A, 600V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 10A, 110V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TOP-3L. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: optimaal voor 120W hifi-uitgang. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 3500. Ic(puls): 15A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planair type darlington met drievoudige diffusie . Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.3A, 30 v. Collectorstroom: 0.3A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-3FP, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 3A. Behuizing (volgens datablad): TO-3FP. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: IBp=2A

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50MHz. Functie: Vermogensversterking met hoge voorwaartse stroom. Maximale hFE-versterking: 1000. Minimale hFE-versterking: 500. Ic(puls): 6A. Temperatuur: +150°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: 2.37k Ohms. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P ( MT-100 ). Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 55 MHz. Functie: hFE 5000. Minimale hFE-versterking: 5000. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1560. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 210 MHz. Functie: S Io-sat. Let op: zeefdruk/SMD-code DT. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1561

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FN. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 8 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 6A. Markering op de kast: D2394. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V