NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FN. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Kosten): 55pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Maximale hFE-versterking: 2000. Minimale hFE-versterking: 1000. Ic(puls): 6A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 12A, TO-3PF, 150V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 12A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1588

NPN-transistor, 10A, TO-3PF, 160V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 10A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 55 MHz. Functie: hFE 5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1588

NPN-transistor, 6A, 110V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Let op: >5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Type transistor: NPN. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1625

NPN-transistor, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 6A. Behuizing (volgens datablad): 2-16E3A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-weerstand: 40 Ohms. Kosten): 95pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: CTV-HA. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 12A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Drievoudig diffuus MESA-type . Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 6A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 6A. Behuizing (volgens datablad): 2-16E3A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-weerstand: 40 Ohms. Kosten): 95pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: CTV-HA. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 12A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Drievoudig diffuus MESA-type . Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 40 Ohms. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 8A, 700V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CRT-HA Hi-r. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Vebo: 5V. Spec info: Rbe 50 Ohms. Let op: Vce(sat)=5V

NPN-transistor, 80V, 3A, MT-3-A1. Collector-emitterspanning VCEO: 80V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: MT-3-A1. Type transistor: NPN-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 1.5W. Maximale frequentie: 50 MHz

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220, 110V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: TO-220. Maximale hFE-versterking: 12000. Minimale hFE-versterking: 5000. Markering op de kast: D2589. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 110V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1659

NPN-transistor, 2A, TO-220, 50V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Weerstand B: NINCS. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-220AB. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 8 MHz. Functie: 2A. Ic(puls): 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Maximale hFE-versterking: 8:1. Minimale hFE-versterking: 3. Ic(puls): 7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 5A, 700V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 22W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 1.5A, 60V. Collectorstroom: 1.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-1, 300mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-1. Collectorstroom Ic [A], max.: 300mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.15W

NPN-transistor, 2A, TO-220, TO-220, 150V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 40. Ic(puls): 3A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 200V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V/80V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1W

NPN-transistor, 0.7A, 25V. Collectorstroom: 0.7A. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 280 MHz. Functie: algemeen gebruik. Let op: hFE 120...240. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 5A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge resolutie . Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220AB, 4A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Collectorstroom Ic [A], max.: 4A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 30W

NPN-transistor, PCB-solderen, D18/C, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D18/C. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 12A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 12A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2SD551. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 150V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 100W

NPN-transistor, 1A, TO-126, 120V, TO-126 (TO-225, SOT-32). Collectorstroom: 1A. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Functie: laagfrequente eindversterker. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 2A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 100 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB631K

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-236, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-236. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/25V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 700mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 700mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/15V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 140 MHz. Functie: laagfrequente eindversterker. Maximale hFE-versterking: 120. Minimale hFE-versterking: 60. Ic(puls): 2A. Let op: 9mm. Markering op de kast: D667. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon NPN Epitaxial. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB647