NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220C, 400V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220C. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Fast-switching. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 8:1. Ic(puls): 24A. Markering op de kast: D13009K. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.7us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.8V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 12A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 400V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 8:1. Ic(puls): 24A. Markering op de kast: D209L. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(min): 0.7us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-323, 40mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-323. Collectorstroom Ic [A], max.: 40mA. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogfrequente NPN -transistor. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 32. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 5.5V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 2.4GHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 45V. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Kosten): 4.5pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 450. Minimale hFE-versterking: 200. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.1A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.2A, TO-18 ( TO-206 ), TO-18, 25V. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. BE-diode: NINCS. Kosten): 4.5pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: algemeen gebruik. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V

NPN-transistor, 1A, TO-39 ( TO-205 ), TO39, 60V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO39. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. RoHS: ja. BE-diode: NINCS. C(inch): 80pF. Kosten): 25pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: voor middenvermogen en schakeltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Spec info: complementaire transistor (paar) BC161-16. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 500. Minimale hFE-versterking: 240. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 500. Minimale hFE-versterking: 240. Let op: ( E,C,B ). Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 45V. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 280 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.2A, 45V. Collectorstroom: 0.2A. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 280 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Spec info: BC237/25. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC237BG. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 120V, 0.5A, TO-39. Collector-emitterspanning VCEO: 120V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-39. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 0.85W. Maximale frequentie: 120MHz

NPN-transistor, 60V, 0.5A, TO-39. Collector-emitterspanning VCEO: 60V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-39. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 0.85W. Maximale frequentie: 120MHz

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Kosten): 15pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 210 MHz. Maximale hFE-versterking: 630. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BC327-25. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC337-25. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC337-25. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 210 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC337-25. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, TO92, 45V. Behuizing: TO92. Collector-emitterspanning VCEO: 45V. Uitvoering: transistor voor toepassingen met laag vermogen. Polariteit: NPN. Vermogen: 0.625W. Collector-base spanning VCBO: 50V. Montagetype: PCB-doorvoermontage. Bandbreedte MHz: 100MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 170. Stroom Max 1: 0.8A. Serie: BC

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 800mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC337-40. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 210 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BC327-16. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92, 45V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 160. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BC327-25. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.8A, TO-92, TO-92Ammo-Pack, 45V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92Ammo-Pack. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. BE-diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 630. Minimale hFE-versterking: 250. Ic(puls): 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) BC327-40. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 20V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. BE-diode: NINCS. Kosten): 40pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 63. Ic(puls): 2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V