NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 160000. Minimale hFE-versterking: 8000. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Spec info: VEBO 12V

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 50V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: algemeen gebruik. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200MHz. Minimale hFE-versterking: 30000. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 10V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC516. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 1.2A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 1.2A. RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC517. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC517. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 200 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, 1.2A, TO-92, 30V, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Collectorstroom: 1.2A. Behuizing: TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: 30V. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Uitvoering: Darlington-transistor. Vermogen: 0.625W. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200MHz. Minimale hFE-versterking: 30000. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 40V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 10V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC516

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 65V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 65V. Conditioneringseenheid: 2000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 220. Minimale hFE-versterking: 90. Ic(puls): 0.2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC556A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, TO-92, 0.1A, TO-92, 65V. Behuizing: TO-92. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 65V. RoHS: ja. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-92. Kosten): 6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 450. Minimale hFE-versterking: 200. Ic(puls): 0.2A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.09V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC556B. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, TO-92, 100mA, 80V, 0.2A. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Collector-emitterspanning VCEO: 80V. Collectorstroom: 0.2A. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC546B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 65V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 65V, 0.1A, TO-92. Collector-emitterspanning VCEO: 65V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 0.5W

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92, 65V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 65V. Kosten): 6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 420. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planaire epitaxiale transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 100mA, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 45V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 220. Minimale hFE-versterking: 90. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale planaire transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC557A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC547B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale planaire transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC557B

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC547B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, TO-92, 100mA, TO-92, 45V. Behuizing: TO-92. Collectorstroom: 100mA. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. RoHS: ja. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-92. Kosten): TO-226. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 800. Minimale hFE-versterking: 270. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale planaire transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC557C. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC547C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC547C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC547C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 45V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92 ( Ammo Pack ), 30 v. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( Ammo Pack ). Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: algemeen gebruik. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Spec info: complementaire transistor (paar) BC558B

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC548B. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC548C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.1A, 30 v. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 30 v. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BC549C. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 250 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 45V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Kosten): 2.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 450. Minimale hFE-versterking: 200. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) BC560B. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS