NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, 2-10R1A, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): 2-10R1A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Kosten): 35pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Markering op de kast: D2012. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1366. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Silicon NPN Triple Diffused Type. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, TO-220, TO-220, 80V, 3A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Collectorstroom: 3A. Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 8 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

NPN-transistor, 3.5A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), 600V. Collectorstroom: 3.5A. Behuizing: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V

NPN-transistor, 6A, 600V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 10A, 110V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 8A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 160V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TOP-3L. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: optimaal voor 120W hifi-uitgang. Maximale hFE-versterking: 20000. Minimale hFE-versterking: 3500. Ic(puls): 15A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Planair type darlington met drievoudige diffusie . Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 0.3A, 30 v. Collectorstroom: 0.3A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3FP, 600V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3FP. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Spec info: IBp=2A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50MHz. Functie: Vermogensversterking met hoge voorwaartse stroom. Maximale hFE-versterking: 1000. Minimale hFE-versterking: 500. Ic(puls): 6A. Temperatuur: +150°C. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: 2.37k Ohms. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 150V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 55 MHz. Functie: hFE 5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1560. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P ( MT-100 ), 150V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P ( MT-100 ). Collector-emitterspanning Vceo: 150V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 55 MHz. Functie: hFE 5000. Minimale hFE-versterking: 5000. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1560. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 2A, SOT-89, SOT-89, 60V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 210 MHz. Functie: S Io-sat. Let op: zeefdruk/SMD-code DT. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1561. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FN. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 8 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 6A. Markering op de kast: D2394. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220FN, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FN. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. Kosten): 55pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Maximale hFE-versterking: 2000. Minimale hFE-versterking: 1000. Ic(puls): 6A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 150V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hFE 5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1588. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V

NPN-transistor, 10A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 160V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 55 MHz. Functie: hFE 5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1588. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 6A, 110V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Let op: >5000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1625. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): 2-16E3A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 40 Ohms. Kosten): 95pF. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: CTV-HA. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 12A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Drievoudig diffuus MESA-type . Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 2-16E3A, 600V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): 2-16E3A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 40 Ohms. Kosten): 95pF. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: CTV-HA. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 12A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Spec info: Rbe 40 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Drievoudig diffuus MESA-type . Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.3us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 8A, 700V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CRT-HA Hi-r. Let op: Vce(sat)=5V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 6A, TO-220, TO-220, 110V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: TO-220. Maximale hFE-versterking: 12000. Minimale hFE-versterking: 5000. Markering op de kast: D2589. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1659. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 1.1us. Tf(min): 1.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 110V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V

NPN-transistor, 2A, TO-220, 50V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 8 MHz. Ic(puls): 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V

NPN-transistor, 5A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 700V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Maximale hFE-versterking: 8:1. Minimale hFE-versterking: 3. Ic(puls): 7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 5A, 700V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 22W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 1.5A, 60V. Collectorstroom: 1.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN