NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-93. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA (geïsoleerd). Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 7A, 600V. Collectorstroom: 7A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 10A, 600V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA (geïsoleerd). Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1400V

NPN-transistor, 3.5A, 600V. Collectorstroom: 3.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 6A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 2A, 700V. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1500V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Maximale hFE-versterking: 15. Minimale hFE-versterking: 4. Ic(puls): 17A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.1A, 160V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NF/SL. Let op: hFE 100...200. Type transistor: NPN. Spec info: 2SD1609-C

NPN-transistor, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 140. Ic(puls): 4A. Let op: complementaire transistor (paar) 2SB1123S. Markering op de kast: DF. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale Planaire Siliciumtransistor . Tf(max): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Spec info: zeefdruk/SMD-code DF. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 2A, 60V. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Let op: hFE 200...400. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Type transistor: NPN. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Spec info: zeefdruk/SMD-code DF, complementaire transistor (paar) 2SB1123T. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 140. Ic(puls): 6A. Markering op de kast: DG. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale vlakke siliciumtransistors . Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Spec info: zeefdruk/SMD-code DG

NPN-transistor, 1.5A, SOT-89, SANYO PCP, 50V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SANYO PCP. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: hoge gelijkstroom, relaisdrivers, lampdrivers. Maximale hFE-versterking: 4000. Minimale hFE-versterking: 3000. Ic(puls): 3A. Markering op de kast: DI. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.9V. Vebo: 10V. Spec info: zeefdruk/SMD-code DI, complementaire transistor (paar) 2SB1126. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 2A, 30 v. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Let op: hFE 3000...4000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Type transistor: NPN. Functie: Hoge gelijkstroom, relaisdrivers, spanningsregeling. Spec info: zeefdruk/SMD-code DJ

NPN-transistor, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 60V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SANYO--PCP. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Spec info: zeefdruk/SMD-code DK, hFE 120...200

NPN-transistor, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 20V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SANYO--PCP. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 180. Id(imp): 8A. Markering op de kast: DK. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Spec info: zeefdruk/SMD-code DK

NPN-transistor, 3.5A, 800V. Collectorstroom: 3.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 5A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 6A, 800V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 32V. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 1000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: bipolaire transistor. Maximale hFE-versterking: 270. Minimale hFE-versterking: 120. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: DAQ. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiaal vlak type . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: +55...+150°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code DAQ

NPN-transistor, 7A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Collectorstroom: 7A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220ML. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: schakelcircuits. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 70. Id(imp): 12A. Let op: complementaire transistor (paar) 2SB1135. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 12A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220ML. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: schakelcircuits. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 70. Id(imp): 15A. Let op: complementaire transistor (paar) 2SB1136. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 5A, 700V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 2A, 40V. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: NF-E-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3)

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1.5A, 160V. Collectorstroom: 1.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: NF/E (F). Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: NPN. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1186A