NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 1.5A, SOT-89, SANYO PCP, 50V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SANYO PCP. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: hoge gelijkstroom, relaisdrivers, lampdrivers. Maximale hFE-versterking: 4000. Minimale hFE-versterking: 3000. Ic(puls): 3A. Markering op de kast: DI. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Spec info: zeefdruk/SMD-code DI, complementaire transistor (paar) 2SB1126. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.9V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 2A, 30 v. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: Hoge gelijkstroom, relaisdrivers, spanningsregeling. Let op: hFE 3000...4000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Spec info: zeefdruk/SMD-code DJ. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 60V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SANYO--PCP. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Spec info: zeefdruk/SMD-code DK, hFE 120...200. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, SOT-89, SANYO--PCP, 20V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SANYO--PCP. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 180. Id(imp): 8A. Markering op de kast: DK. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Spec info: zeefdruk/SMD-code DK. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V

NPN-transistor, 3.5A, 800V. Collectorstroom: 3.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PF, 800V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 6A, 800V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 1A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 32V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 32V. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 1000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: bipolaire transistor. Maximale hFE-versterking: 270. Minimale hFE-versterking: 120. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: DAQ. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code DAQ. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiaal vlak type . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: +55...+150°C. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 7A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Collectorstroom: 7A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220ML. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: schakelcircuits. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 70. Id(imp): 12A. Let op: complementaire transistor (paar) 2SB1135. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 12A, TO-220FP, TO-220ML, 50V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220ML. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: schakelcircuits. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 70. Id(imp): 15A. Let op: complementaire transistor (paar) 2SB1136. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 5A, 700V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 2A, 40V. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: NF-E-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Spec info: D-PAK (ROHM--CPT3). Type transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, 60V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 1.5A, 160V. Collectorstroom: 1.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: NF/E (F). Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1186A. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 2A, 100V. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. CE-diode: ja. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Let op: >1000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, SMD, D-PAK TO-252, 50V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: SMD. Behuizing (volgens datablad): D-PAK TO-252. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Kosten): 25pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: Schakelen met hoge stroomsterkte. Maximale hFE-versterking: 560. Minimale hFE-versterking: 35. Ic(puls): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1202. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 50V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 35. Ic(puls): 12A. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1204. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale vlakke siliciumtransistors . Tf(max): 20 ns. Tf(min): 20 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 4A, TO-220FP, TO-220ML, 60V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220ML. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: bestuurder . Maximale hFE-versterking: 5000. Minimale hFE-versterking: 2000. Ic(puls): 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Spec info: Epitaxiale vlakke silicium Darlington-transistor . Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 70V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.9V

NPN-transistor, 5A, 700V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), TO-3PML, 800V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): TO-3PML. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Kleuren-tv Horizontale afbuiging Uitgangsversterker.. Maximale hFE-versterking: 10. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 20A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 4A, 80V. Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Minimale hFE-versterking: 3000. Let op: =3000. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB1342. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, M31/C, 6A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M31/C. Collectorstroom Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 1500V/650V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Markering van de fabrikant: silicium. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): 1500V. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): 650V

NPN-transistor, 10A, 650V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 650V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L TV/HA(F). Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1400V

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 25V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Io-sat DC/DC. Maximale hFE-versterking: 350. Minimale hFE-versterking: 200. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 2.5A, 1500V. Collectorstroom: 2.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN