NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 110V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Kosten): 200pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1 MHz. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 130V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 230. Minimale hFE-versterking: 60. RoHS: NINCS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 70V

NPN-transistor, 1A, 30 v. Collectorstroom: 1A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Type transistor: NPN. Spec info: vervanging

NPN-transistor, 0.1A, 30 v. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Type transistor: NPN. Spec info: vervanging

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Ic(puls): 4A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale vlakke silicium Darlington-transistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB892. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2SD1279. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 600V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, M37/J, 7A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M37/J. Collectorstroom Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W

NPN-transistor, 8A, 120V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.5A, 25V. Collectorstroom: 0.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: 2.32k Ohms. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.5A, 25V. Collectorstroom: 0.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Io-zat. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Minimale hFE-versterking: 8:1. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Drievoudig diffuus vlak . Tf(max): 0.7us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 5A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: fr--IC=1A; VCE=10V, 3MHz

NPN-transistor, 5A, TO-247, TO-247, 600V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: Rbe 50 Ohms

NPN-transistor, PCB-solderen, M46/J, 6A, 600V. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M46/J. Collectorstroom Ic [A], max.: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 1500V/600V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 80W. Markering van de fabrikant: silicium. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 80W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): NPN. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): 1500V

NPN-transistor, 6A, 600V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 7A, 600V. Collectorstroom: 7A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, PCB-solderen, M31/J, 3A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M31/J. Collectorstroom Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 1.5 kV. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Markering van de fabrikant: silicium. Afsnijfrequentie ft [MHz]: NPN

NPN-transistor, 4A, 1500V. Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 4A, 1500V. Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, 600V. Collectorstroom: 3A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, PCB-solderen, M31/J, 5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M31/J. Collectorstroom Ic [A], max.: 5A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 1500V/600V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Markering van de fabrikant: silicium. Afsnijfrequentie ft [MHz]: NPN. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): 600V

NPN-transistor, PCB-solderen, M37/J, 6A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M37/J. Collectorstroom Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: Darlington NPN-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W

NPN-transistor, 1A, 30 v. Collectorstroom: 1A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 6A, 1500V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: (F). Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Spec info: geïsoleerd