NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Minimale hFE-versterking: 8:1. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Drievoudig diffuus vlak . Tf(max): 0.7us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 5A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 800V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Spec info: fr--IC=1A; VCE=10V, 3MHz. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, TO-247, TO-247, 600V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 600V, 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Collectorstroom: 6A. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Spec info: Rbe 50 Ohms. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 6A, 600V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 7A, 600V. Collectorstroom: 7A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, PCB-solderen, M31/J, 3A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M31/J. Collectorstroom Ic [A], max.: 3A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 1.5 kV. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W

NPN-transistor, 4A, 1500V. Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 4A, 1500V. Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, 600V. Collectorstroom: 3A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, 600V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, PCB-solderen, M37/J, 6A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M37/J. Collectorstroom Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: Darlington NPN-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W

NPN-transistor, 1A, 30 v. Collectorstroom: 1A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 6A, 1500V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: (F). Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Spec info: geïsoleerd. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-93. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA (geïsoleerd). Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 7A, 600V. Collectorstroom: 7A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 10A, 600V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA (geïsoleerd). Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1400V

NPN-transistor, 3.5A, 600V. Collectorstroom: 3.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 6A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), 600V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 2A, 700V. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 1500V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Maximale hFE-versterking: 15. Minimale hFE-versterking: 4. Ic(puls): 17A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 0.1A, 160V. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NF/SL. Let op: hFE 100...200. Spec info: 2SD1609-C. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 2A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 140. Ic(puls): 4A. Let op: complementaire transistor (paar) 2SB1123S. Markering op de kast: DF. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code DF. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale Planaire Siliciumtransistor . Tf(max): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 2A, 60V. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Let op: hFE 200...400. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Spec info: zeefdruk/SMD-code DF, complementaire transistor (paar) 2SB1123T. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 3A, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89, 50V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 140. Ic(puls): 6A. Markering op de kast: DG. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code DG. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale vlakke siliciumtransistors . Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V