NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-98, 20mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-98. Collectorstroom Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/30V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.1W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-98, 20mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-98. Collectorstroom Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/30V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.1W

NPN-transistor, 0.2A, TO-92, TO-92, 60V. Collectorstroom: 0.2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 232. Minimale hFE-versterking: 50. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Vcbo: 45V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V/25V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V/25V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 0.5A, TO-92, TO-92, 40V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/35V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-solderen, A21/B, 30mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: A21/B. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 15V/10V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.12W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 1A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 1A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 1000V/500V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 22W

NPN-transistor, 0.2A, 60V. Collectorstroom: 0.2A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 220 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.05A, 50V. Collectorstroom: 0.05A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.7A, 20V. Collectorstroom: 0.7A. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: lo-zat . Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 8A, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 140V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. BE-diode: NINCS. Kosten): 120pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: Audio-eindversterker, DC-DC-converter. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 60. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB817. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 12A, TO-220, TO-220AB, 50V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: hogesnelheidsomvormers, converters, low-sat. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 70. Ic(puls): 15A. Markering op de kast: D1062. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB826. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 1.2us. Tf(min): 0.4us. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 110V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 110V. Kosten): 200pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1 MHz. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 130V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220, 50V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 230. Minimale hFE-versterking: 60. RoHS: NINCS. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 70V

NPN-transistor, 1A, 30 v. Collectorstroom: 1A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Spec info: vervanging. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, 30 v. Collectorstroom: 0.1A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Spec info: vervanging. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 2A, TO-92, TO-92MOD ( 2-5J1A ), 50V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. BE-diode: NINCS. Kosten): 12pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Ic(puls): 4A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SB892. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale vlakke silicium Darlington-transistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Vebo: 6V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2SD1279. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 600V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 3 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, PCB-solderen, M37/J, 7A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M37/J. Collectorstroom Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W

NPN-transistor, 8A, 120V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.5A, 25V. Collectorstroom: 0.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: 2.32k Ohms. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.5A, 25V. Collectorstroom: 0.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Io-zat. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 5A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V