NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 10A, 600V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: VCE(sat) 3V max. Let op: Drievoudig diffuus MESA-type . Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR, Hi-res (F)

NPN-transistor, 14A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 14A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 64kHz. Functie: Monitor HA,hi-res, fH--64KHz. Ic(puls): 28A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: VCE(sat) max. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 14A, TO-3FP, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 14A. Behuizing (volgens datablad): TO-3FP. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Kosten): 190pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: HA, Hi-res. Ic(puls): 28A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf (type): 0.15us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: fH--64KHz. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 8A, TO-3PFM, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 8A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PFM. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 64kHz. Functie: CTV/Monitor Horizntal Deflection Output. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 16A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Spec info: Silicon NPN Triple Diffused

NPN-transistor, 12A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 700V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PFM. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Horizontale afbuigingsuitgang. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 10. Ic(puls): 24A. Markering op de kast: C5449. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.15us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 70mA, SSFP 1.4x0.8x0.6mm, 10V. Collectorstroom: 70mA. Behuizing (volgens datablad): SSFP 1.4x0.8x0.6mm. Collector-emitterspanning Vceo: 10V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 7GHz. Functie: VHF/UHF. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 90. Markering op de kast: LN. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.1W. Type transistor: NPN. Vcbo: 20V. Spec info: zeefdruk/SMD-code LN

NPN-transistor, 17A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 1500V. Collectorstroom: 17A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TOP-3L. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Maximale hFE-versterking: 12:1. Minimale hFE-versterking: 6. Ic(puls): 30A. Markering op de kast: C5583. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Functie: Samsung Monitor 19 inch. Spec info: Triple diffusie mesa-type

NPN-transistor, 15A, 800V. Collectorstroom: 15A. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hi-res, monitor 19. Let op: hFE 22...45 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Spec info: Triple diffusion mesa tipe

NPN-transistor, 12A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 12A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PMLH. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: hoge snelheid. Maximale hFE-versterking: 11. Minimale hFE-versterking: 3. Ic(puls): 36A. Markering op de kast: C5696. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 85W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Silicon Transistor . Tf(max): 0.3us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. BE-weerstand: ja. CE-diode: ja

NPN-transistor, 8A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 8A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PMLH. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Maximale hFE-versterking: 7. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 16A. Markering op de kast: C5698. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Functie: hoge snelheid, CTV-HA

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-251, 7.5A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-251. Collectorstroom Ic [A], max.: 7.5A. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 400 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 15W

NPN-transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 400 MHz. Functie: DC-DC-converter, TFT-voeding. Maximale hFE-versterking: 560. Minimale hFE-versterking: 200. Ic(puls): 7.5A. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf(max): 35 ns. Tf(min): 35 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.135V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA2039

NPN-transistor, 8A, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 80V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 100dB. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 330 MHz. Functie: DC-DC-converter, TFT-voeding. Maximale hFE-versterking: 560. Minimale hFE-versterking: 200. Ic(puls): 11A. Markering op de kast: C5707. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.11V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA2040. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 8A, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 80V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 330 MHz. Functie: DC-DC-converter, TFT-voeding. Maximale hFE-versterking: 560. Minimale hFE-versterking: 200. Ic(puls): 11A. Markering op de kast: C5707T. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale Planaire Siliciumtransistor . Tf(max): 25 ns. Tf(min): 25 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.11V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA2040FA

NPN-transistor, 21A, 700V. Collectorstroom: 21A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: Icp 10A/64kHz, 8A/100kHz. Let op: Vce(sat) 3Vmax

NPN-transistor, 20A, 800V. Collectorstroom: 20A. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Ultrahigh-Definition CRT Display Horizontal Def.Ou. Let op: hFE 4...7 (Vce sat 3V, Vbe sat 1.5V). Type transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Spec info: Triple Diffused Planar Silicon Transistor

NPN-transistor, 12A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 12A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 24A. Markering op de kast: C5803. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V

NPN-transistor, 22A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Collectorstroom: 22A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): 2-21F2A. Collector-emitterspanning Vceo: 750V. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: Voor horizontale afbuiging met hoge resolutie, HD TV. Maximale hFE-versterking: 60. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 44A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Drievoudig diffuus MESA-type . Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 23A, TO-264 ( TOP-3L ), 2-21F2A, 750V. Collectorstroom: 23A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): 2-21F2A. Collector-emitterspanning Vceo: 750V. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: Voor horizontale afbuiging met hoge resolutie, HD TV. Maximale hFE-versterking: 55. Minimale hFE-versterking: 4.5. Ic(puls): 46A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 210W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Drievoudig diffuus MESA-type . Tf(max): 0.15us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 6A, TO-220FP, TO-220F, 1500V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CRT-HA (F). Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 20A, TO-3PMLH, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 20A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PMLH. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Ultrahigh-Definition CRT Display, High-speed.. Maximale hFE-versterking: 15. Minimale hFE-versterking: 4. Ic(puls): 40A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: Horizontal Deflection Output Applications

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220F-3SG, 50V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220F-3SG. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 85pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 195 MHz. Maximale hFE-versterking: 560. Minimale hFE-versterking: 200. Ic(puls): 20A. Markering op de kast: C6082. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 23W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 6V. Functie: Relaisdrivers, lampdrivers, motordrivers. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA2210. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 200mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V/30V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-92, 50mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/25V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

NPN-transistor, 0.03A, 15V. Collectorstroom: 0.03A. Collector-emitterspanning Vceo: 15V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 600 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.12W. Type transistor: NPN