NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 12A, 600V. Collectorstroom: 12A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Vce(sat) 3V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Let op: Monitor HA (F). Spec info: VEBO 5V. CE-diode: ja

NPN-transistor, 5A, D-PAK ( TO-252 ), CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ), 80V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): CPT3 ( DPAK ) ( TO252 ) ( SOT428 ). Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Maximale hFE-versterking: 270. Minimale hFE-versterking: 120. Ic(puls): 10A. Markering op de kast: C5103. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf(max): 0.3 ns. Tf(min): 0.1 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Vebo: 5V. Functie: Motordriver, LED-driver. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1952

NPN-transistor, 10A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 10A. Behuizing (volgens datablad): 2-16E3A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1.7 MHz. Functie: MONITOR HA,Hi-res. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 10. Ic(puls): 20A. Markering op de kast: C5129. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Drievoudig diffuus MESA-type . Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: valtijd 0,15..03us (64kHz). CE-diode: ja

NPN-transistor, 10A, 600V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: MONITOR. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Functie: HA, Hi-res. CE-diode: ja

NPN-transistor, 20A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F2A ), 600V. Collectorstroom: 20A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264 ( 2-21F2A ). Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1.7 MHz. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 10. Ic(puls): 40A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Spec info: Monitor -HA

NPN-transistor, 8A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 8A. Behuizing (volgens datablad): 2-16E3A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 8:1. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Drievoudig diffuus MESA-type . Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Vebo: 5V. Functie: Horizontal Deflection Output, high speed Switch

NPN-transistor, 8A, 2-16E3A, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 8A. Behuizing (volgens datablad): 2-16E3A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 2 MHz. Functie: snelle bediening, voor horizontale afbuiging (TV). Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 8:1. Ic(puls): 16A. Markering op de kast: C5149. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.5us. Tf(min): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Spec info: Drievoudig diffuus MESA-type

NPN-transistor, 10A, 700V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: VCE(sat) 3V max. Let op: MONITOR, HA,Hi-res, fT--2MHz. Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Spec info: TO-3P (Plastic). CE-diode: ja

NPN-transistor, 2A, TO-220FP, TO-220F, 180V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 50. Markering op de kast: C5171. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type . Type transistor: NPN. Vcbo: 180V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.16V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1930. Functie: TV, SL. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 8A, 120V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: HIFI. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1940

NPN-transistor, 10A, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 140V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): 2-16C1B. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Kosten): 170pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: HIFI-eindversterker. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 80. Markering op de kast: C5198 O. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 140V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1941. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264 ( 2-21F1A ). Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Kosten): 200pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: HIFI-eindversterker. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 80. Markering op de kast: C5200 (Q). Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 230V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1943. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 230V, 15A, TO-264. Collector-emitterspanning VCEO: 230V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-264. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Functie: HIFI-eindversterker. Maximale frequentie: 30MHz. Vermogen: 150W

NPN-transistor, 15A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1A, 230V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): 2-16C1A. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Kosten): 200pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: HIFI. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 5. Markering op de kast: C5242. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 230V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1962. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TOP-3L, 1700V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TOP-3L. Collector-emitterspanning Vceo: 1700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3 MHz. Maximale hFE-versterking: 12:1. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple diffusie mesa-type . Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.12us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 12A, 800V. Collectorstroom: 12A. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Display-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR. CE-diode: ja

NPN-transistor, 8A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 8A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PML. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-weerstand: 43 Ohms. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf (type): 0.1 ns. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 8A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 8A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PML. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 16A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V

NPN-transistor, 10A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 10A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PML. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Voor horizontale afbuiging met hoge resolutie. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 25A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Spec info: Display-HA MONITOR. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 20A, 800V. Collectorstroom: 20A. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: 8.729.033.99. CE-diode: ja

NPN-transistor, 15A, TO-3PML, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 15A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PML. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Ultrahigh-Definition CRT Display. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 4. Ic(puls): 35A. Markering op de kast: C5302. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Silicon Transistor . Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.1us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Vebo: 6V. Spec info: hoge snelheid (tf=100ns typ)

NPN-transistor, PCB-solderen, D35/B, 20mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D35/B. Collectorstroom Ic [A], max.: 20mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.1W

NPN-transistor, 15A, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264 ( 2-21F1A ), 230V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264 ( 2-21F1A ). Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1987. CE-diode: ja

NPN-transistor, 150mA, TO-92, TO-92S, 50V. Collectorstroom: 150mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92S. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: algemeen gebruik. Ic(puls): 400mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA608. CE-diode: ja

NPN-transistor, 8A, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 8A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1.7 MHz. Functie: High Switching, Horizontal Deflection out. Maximale hFE-versterking: 35. Minimale hFE-versterking: 4.3. Ic(puls): 16A. Markering op de kast: C5386. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Drievoudig diffuus MESA-type . Tf(max): 0.3us. Tf(min): 0.15us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 5V. Spec info: MONITOR Hi-res