NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 200V. Functie: NF/L. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1695

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 140V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 200V. Functie: NF/L. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1695

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, FM20 (TO220F), 50V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): FM20 (TO220F). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 30pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Functie: High hFE, LOW Vce(sat). Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Technologie: NPN drievoudige diffuus vlakke transistor. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 3A, TO-220FP, TO-220F, 550V. Collectorstroom: 3A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 550V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 6 MHz. Functie: Hoogspanningsschakelaar-transistor. Maximale hFE-versterking: 30. Minimale hFE-versterking: 10. Ic(puls): 6A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Type transistor: NPN. Vcbo: 900V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 10A, 600V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: (F). Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 10A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), SOT-93, 600V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-93. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge resolutie . Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

NPN-transistor, PCB-solderen, D35/B, 100mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D35/B. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30 v. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

NPN-transistor, 1.5A, SC-71, SC-71, 160V. Collectorstroom: 1.5A. Behuizing: SC-71. Behuizing (volgens datablad): SC-71. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Kosten): 14pF. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2500. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Ic(puls): 2.5A. Markering op de kast: 12.9k Ohms. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 80 ns. Tf(min): 80 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.13V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1770. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 10mA, 1500V. Collectorstroom: 10mA. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Ic 10mA/30mApp. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Functie: dynamische focus, hoogspanningsschakeling. Spec info: TO-220FI (Forming)

NPN-transistor, 10mA, 1800V. Collectorstroom: 10mA. Collector-emitterspanning Vceo: 1800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Let op: Ic 10mA/30mApp. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Type transistor: NPN. Vcbo: 2000V. Functie: dynamische focus. Spec info: TO-220FI

NPN-transistor, 2A, SOT-89, 50V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: SOT-89. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Kosten): 25pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 210 MHz. Functie: Io-zat. Maximale hFE-versterking: 270. Minimale hFE-versterking: 120. Let op: zeefdruk/SMD-code DK. Markering op de kast: DK. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.13V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.35V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1797. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 50mA, 1200V. Collectorstroom: 50mA. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 5.5 MHz. Functie: TV dynamische focustoepassingen. Let op: Hoogspanningsschakeltoepassingen. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: TO-220F

NPN-transistor, 5A, 80V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: HI-FI NF-E. Pd (vermogensdissipatie, max.): 55W. Type transistor: NPN. Let op: (F). Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1803

NPN-transistor, 6A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 1500V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: MONITOR. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 6A, TO-3PFM ( 13-16A1A ), TO-3PFM, 1500V. Collectorstroom: 6A. Behuizing: TO-3PFM ( 13-16A1A ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PFM. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Aantal per doos: 1. Compatibiliteit: CVM4967A. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Display-HA, Hi-res. Maximale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 16A. Equivalenten: SAMSUNG 891 464744AA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Drievoudig verspreid . Tf(max): 0.4us. Type transistor: NPN. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Vebo: 6V. Spec info: MONITOR

NPN-transistor, 10A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 10A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Display-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

NPN-transistor, 7A, 600V. Collectorstroom: 7A. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge resolutie . Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: VGA-monitor

NPN-transistor, 7A, TO-3FP, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 7A. Behuizing (volgens datablad): TO-3FP. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 7A, TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ), TO3PML, 800V. Collectorstroom: 7A. Behuizing: TO-3PF ( SOT399 / 2-16E3A ). Behuizing (volgens datablad): TO3PML. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Maximale hFE-versterking: 8:1. Minimale hFE-versterking: 3. Ic(puls): 16A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Technologie: Triple Diffused Planar Silicon Transistor . Tf (type): 0.1us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 1500V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 5V. Vebo: 7V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-220FP, 2-10R1A, 230V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): 2-10R1A. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Kosten): 20pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 100. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 230V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1837. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-220FP, TO-220F, 230V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: NF-L. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 10A, 800V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Kosten): 220pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge resolutie . Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR

NPN-transistor, 8A, TO-3PFM, 1500V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 8A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PFM. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge resolutie . Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Spec info: MONITOR

NPN-transistor, 7A, TO-3PF, 800V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 7A. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: Display-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Spec info: MONITOR (F). CE-diode: ja

NPN-transistor, 7A, 800V. Collectorstroom: 7A. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Display-HA. Let op: MONITOR. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V