N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 8A, 100uA, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F ( SC-67 ), 900V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F ( SC-67 ). Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 2200pF. Kosten): 190pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1700 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 24A. Markering op de kast: K3799. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 120ns. Td(aan): 65 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 0.7A, 100uA, 14 Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ), 600V. ID (T=25°C): 0.7A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 14 Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252AA ( DPAK ) ( SOT428 ). Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 96pF. Kosten): 29pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 2.8A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: K3850. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 16 ns. Td(aan): 9 ns. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 5.3A, 9A, 100uA, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 5.3A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 2200pF. Kosten): 45pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1.4us. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Id(imp): 27A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: K3878. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 120ns. Td(aan): 65 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Spec info: Vth=2.0 to 4.0V (VDS=10V, ID=1mA). G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 20A, 500uA, 0.22 Ohms, TO-3PN, 2-16C1B, 600V. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.22 Ohms. Behuizing: TO-3PN. Behuizing (volgens datablad): 2-16C1B. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 4250pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1350 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaar. Id(imp): 80A. Markering op de kast: K3911. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 80 ns. Td(aan): 45 ns. Technologie: Veldeffect MOS-type (MACH-II-MOS VI). Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 23A, 500uA, 0.20 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 4250pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 380 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaar. Id(imp): 92A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 80 ns. Td(aan): 45 ns. Technologie: Veldeffect MOS-type (MACH-II-MOS VI). Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 4 v. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 13A, 100uA, 0.33 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. ID (T=25°C): 13A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.33 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 2400pF. Kosten): 220pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1000 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Id(imp): 52A. Markering op de kast: K4012. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 95 ns. Td(aan): 70 ns. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Veldeffecttransistor, MOS-type (TT-MOS VI). G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 6A, 100uA, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F ( 2-10U1B ), 800V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.35 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F ( 2-10U1B ). Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 1400pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Id(imp): 18A. Markering op de kast: K4013 Q. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 220 ns. Td(aan): 80 ns. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Veldeffecttransistor, MOS-type (TT-MOS IV). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 5A, 5A, 0.09 Ohms, TO-251 ( I-Pak ), TO-251AA ( I-PAK ), 60V. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.09 Ohms. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Chopper Regulator, DC-DC Converter, Motor driver. Id(imp): 20A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Veldeffecttransistor, MOS-type (U-MOS III)

N-kanaaltransistor, 28A, 60A, 1uA, 5.2m Ohms, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. Binnendiameter (T=100°C): 28A. ID (T=25°C): 60A. Idss (max): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5.2m Ohms. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 2900pF. Kosten): 450pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakeltoepassingen met hoge stroomsterkte. Id(imp): 180A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: K4075. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 52W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 54 ns. Td(aan): 18 ns. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1.5V. Technologie: POWER MOSFET, veldeffecttransistor. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, n/a, 20A, 100uA, 0.21 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 500V. Binnendiameter (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.21 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): 2-16C1B. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 3400pF. Kosten): 320pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Id(imp): 80A. ID s (min): n/a. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 280 ns. Td(aan): 130 ns. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Veldeffecttransistor, MOS-type (MOS VI). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 5A, 5A, 800V. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Spanning Vds(max): 800V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: V-MOS. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W

N-kanaaltransistor, 3A, 5A, 5A, 2.5 Ohms, 850V. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Aan-weerstand Rds Aan: 2.5 Ohms. Spanning Vds(max): 850V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W

N-kanaaltransistor, 5A, 5A, 800V. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Spanning Vds(max): 800V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Technologie: V-MOS

N-kanaaltransistor, 1.5A, 3A, 3A, 4 Ohms, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 1.5A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Aan-weerstand Rds Aan: 4 Ohms. Spanning Vds(max): 800V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Technologie: V-MOS. Let op: (F)

N-kanaaltransistor, 3A, 3A, 500uA, 4 Ohms, TO-220, TO-220AB, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 4 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 900pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoge snelheid schakelen. Id(imp): 12A. ID s (min): 10uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: V-MOS S-L. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2.1V. Spec info: Samsung B4054-0018. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 0.6A, 0.6A, 1.2 Ohms, TO-92, TO-92MOD, 100V. ID (T=25°C): 0.6A. Idss (max): 0.6A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92MOD. Spanning Vds(max): 100V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1.8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Functie: Relaisaandrijving, motoraandrijving

N-kanaaltransistor, 12A, 25A, 25A, 0.046 Ohms, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 25A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.046 Ohms. Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Technologie: V-MOS

N-kanaaltransistor, 9A, 9A, 1 Ohm, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 800V. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 800V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 26A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: F-II Series POWER MOSFET

N-kanaaltransistor, 0.15A, 10uA, 3.7 Ohms, SMD, SSFP, 30 v. ID (T=25°C): 0.15A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.7 Ohms. Behuizing: SMD. Behuizing (volgens datablad): SSFP. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 7pF. Kosten): 5.9pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 0.6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.15W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 150 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: silicium MOSFET-transistor. Poort/bronspanning (uit) max.: 1.3V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.4V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-343, 12.5V, 30mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-343. Afvoerbronspanning Uds [V]: 12.5V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 30mA. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 4. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 1V. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.1W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +125°C

N-kanaaltransistor, 0.035 Ohms, TO-247AC, 1200V. Aan-weerstand Rds Aan: 0.035 Ohms. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning (Vds): 1200V. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 52A. Vermogen: 228W. Ingebouwde diode: ja

N-kanaaltransistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: AUDIO POWER MOSFET. ID s (min): 10mA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 100 ns. Poort-/bronspanning Vgs: 14V. Spec info: complementaire transistor (paar) ALF08P20V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (max): 5.7A. Aan-weerstand Rds Aan: 22m Ohms. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 630pF. Kosten): 75pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 16.8 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakel- of PWM-toepassingen. Id(imp): 25A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1uA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 21.5 ns. Td(aan): 3.2 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 4.9A, 5.8A, 5uA, 23.4m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 4.9A. ID (T=25°C): 5.8A. Idss (max): 5uA. Aan-weerstand Rds Aan: 23.4m Ohms. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 621pF. Kosten): 118pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 15.5 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.4W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15.1 ns. Td(aan): 4.5 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 3.5A, 4.1A, 1uA, 4.1A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v, 0.052 Ohms. Binnendiameter (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 4.1A. Idss: 1uA. Idss (max): 4.1A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 30 v. Aan-weerstand Rds Aan: 0.052 Ohms. C(inch): 520pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 11 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakel- of PWM-toepassingen. Id(imp): 25A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.4W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 19 ns. Td(aan): 7.5 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS