N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 6A, 200uA, 1.87 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 200uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.87 Ohms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 950pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 900ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 24A. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 110 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: TT-MOSV. Bedrijfstemperatuur: -...+150°. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 15A, 25A, 10uA, 0.045 Ohms, TO-220FP, TO–220FM, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.045 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO–220FM. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 740pF. Kosten): 380pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoge snelheid stroomschakeling. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 10 ns. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 10A, 10A, 1.05 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 900V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.05 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): 2-16C1B. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 2150pF. Kosten): 220pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: FIELD EFFECT MOS Type--(TT-MOS-III). Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: DC-DC-omzetter, relais en motoraandrijving. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 12.5A, 25A, 10uA, 0.028 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.028 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 790pF. Kosten): 240pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 75A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 65 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 1.6A, 2A, 10uA, 0.32 Ohms, SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ), SOT-89 ( MTP3 ), 60V. Binnendiameter (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 10uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.32 Ohms. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89 ( MTP3 ). Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 160pF. Kosten): 85pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 8A. Markering op de kast: KE. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 120ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: MOS FET. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.8V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code KE. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 4A, 100uA, 1.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.6 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 550pF. Kosten): 115pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 1.3us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) min.: 2.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: POWER-schakelende MOSFET, industrieel gebruik. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, n/a, 30A, 100uA, 38m Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), 2-16C1B, 200V. Binnendiameter (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 38m Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): 2-16C1B. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 5400pF. Kosten): 1900pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 190 ns. Td(aan): 55 ns. Technologie: Veldeffecttransistor MOS-V. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Schakelmodus Regelaar, DC-DC-converter, motordriver. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 5A, 100uA, 1.2 Ohms, TO-220FP, TO220F-3L, 500V. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO220F-3L. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 650pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 2us. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 20A. ID s (min): 0.1uA. Equivalenten: FS5KM-10-AW. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: V-MOS (F). Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 7A, 7A, 1.62 Ohms, TO-220FP, TO-220F15, 800V. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 7A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.62 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F15. Spanning Vds(max): 800V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 28A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SILICON POWER MOS-FET. Aantal per doos: 1. Functie: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power

N-kanaaltransistor, 10A, 250uA, 0.58 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.58 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1200pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 0.75us. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 40A. ID s (min): 25uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: Panasonic--B1CERR000022. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 21A, 250uA, 0.29 Ohms, TO-3PF, 600V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). ID (T=25°C): 21A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.29 Ohms. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Spanning Vds(max): 600V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). C(inch): 2280pF. Kosten): 290pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 0.7us. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 84A. ID s (min): 25uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 78 ns. Td(aan): 26 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 7A, 7A, 250uA, 1.46 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 800V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.46 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 800V. C(inch): 740pF. Kosten): 105pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 2.3 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 28A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 21 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 8A, 8A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.75 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 1050pF. Kosten): 110pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 32A. Markering op de kast: K3561. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 38 ns. Td(aan): 26 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 6A, 6A, 100uA, 6A, 0.9 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 6A. Idss: 100uA. Idss (max): 6A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.9 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1050pF. Kosten): 110pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1000 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 24A. Markering op de kast: K3562. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 5A, 5A, 100uA, 5A, 1.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Idss: 100uA. Idss (max): 5A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.35 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 550pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 20A. Markering op de kast: K3563. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 3A, 3A, 100uA, 3.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.7 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 700pF. Kosten): 75pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 850 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 9A. Markering op de kast: K3564. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 125 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 5A, 5A, 100uA, 2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 1150pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 900ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 15A. Markering op de kast: K3565. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 170 ns. Td(aan): 70 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 2.5A, 2.5A, 100uA, 5.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 5.6 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 470pF. Kosten): 50pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 720 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 7.5A. Markering op de kast: K3566. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 3.5A, 3.5A, 100mA, 3.5A, 1.7 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss: 100mA. Idss (max): 3.5A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.7 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 14A. Markering op de kast: K3567. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 12A, 12A, 100uA, 0.4 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 1500pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 48A. Markering op de kast: K3568. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 170 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 10A, 100uA, 0.54 Ohms, TO-220FP, SC-67, 2-10U1B, 600V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): SC-67, 2-10U1B. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1500pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 40A. Markering op de kast: K3569. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Gewicht: 1.7g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 180 ns. Td(aan): 50 ns. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Veldeffecttransistor, MOS-type (TT-MOSVI). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 100uA, 3.7 Ohms, TO-92, TO-92. Idss: 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.7 Ohms. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. C(inch): 700pF. Kosten): 75pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 850 ns. Type transistor: MOSFET. Aantal aansluitingen: 3. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 125 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 7.5A, 7.5A, 100uA, 0.75 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.75 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 30A. Markering op de kast: K3667. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 9A, 250uA, 1.22 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.22 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 1100pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 3.2us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: K3679. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 95W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 3.7A, 3.7A, 250uA, 3.31 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 3.7A. ID (T=25°C): 3.7A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.31 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 430pF. Kosten): 60pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 14.8A. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: K3699. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 43W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 32 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: Super FAP-G Series. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. G-S-bescherming: NINCS