N-kanaaltransistor, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - AO3400A

N-kanaaltransistor, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v - AO3400A. N-kanaaltransistor, 4.7A, 5.7A, 1uA, 5.7A, 22m Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 30 v. Binnendiameter (T=100°C): 4.7A. ID (T=25°C): 5.7A. Idss: 1uA. Idss (max): 5.7A. Aan-weerstand Rds Aan: 22m Ohms. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 630pF. Kosten): 75pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 16.8 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakel- of PWM-toepassingen. Id(imp): 25A. ID s (min): 1uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1uA. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 21.5 ns. Td(aan): 3.2 ns. Technologie: Verbeteringsmodus veldeffecttransistor . Poort-/bronspanning Vgs: 12V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 20/04/2025, 08:25.