N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, 200V, 46A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 200V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 46A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP260PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.055 Ohms @ 28A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 23 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5200pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 280W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 24A, 38A, 250uA, 0.075 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. Binnendiameter (T=100°C): 24A. ID (T=25°C): 38A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.075 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 250V. C(inch): 5400pF. Kosten): 870pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 410 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 150A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 110 ns. Td(aan): 22 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Functie: snel schakelen, dynamische dv/dt. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 18A, 27A, 250uA, 0.18 Ohms, TO-247, TO-247AC, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 18A. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.18 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 4660pF. Kosten): 460pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 620 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: SMPS MOSFET, Low Gate Charge. Id(imp): 110A. ID s (min): 50uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 500W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 43 ns. Td(aan): 27 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 148A, 209A, 250uA, 3.6m Ohms, TO-247, TO-247AC, 75V. Binnendiameter (T=100°C): 148A. ID (T=25°C): 209A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.6m Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 75V. C(inch): 13000pF. Kosten): 2100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 140 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: AUTOMOTIVE MOSFET. Id(imp): 870A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 470W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 23 ns. Technologie: HEXFET ® Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, 75V, 90A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP2907PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 125A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 23 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 130 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 13000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 470W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, 75V, 90A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 75V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 90A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP2907ZPBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0045 Ohms @ 90A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 19 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 97 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 7500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 310W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 190A, 270A, 250uA, 2.1M Ohms, TO-247, TO-247AC. Binnendiameter (T=100°C): 190A. ID (T=25°C): 270A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.1M Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. C(inch): 8970pF. Kosten): 1020pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogefficiënte synchrone gelijkrichting in schakelende voedingen. Id(imp): 1080A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 375W. RoHS: ja. Gewicht: 4.58g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 118 ns. Td(aan): 16 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 20A, 31A, 2mA, 0.15 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 20A. ID (T=25°C): 31A. Idss (max): 2mA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.15 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 5000pF. Kosten): 553pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 170 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 124A. ID s (min): 50uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 460W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 54 ns. Td(aan): 28 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 3V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 140A, 200A, 250uA, 2.4M Ohms, TO-247, TO-247AC, 60V. Binnendiameter (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.4M Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 6540pF. Kosten): 720pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 33 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoge snelheid stroomschakeling. Id(imp): 840A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 55 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, 150V, 43A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 150V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 43A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP3415PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.042 Ohms @ 22A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 72 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2400pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 9.6A, 16A, 250uA, 0.3 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. Binnendiameter (T=100°C): 9.6A. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.3 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 400V. C(inch): 2600pF. Kosten): 660pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 87 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: HEXFET-vermogens-MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, 400V, 19A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 19A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP350PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.3 Ohms @ 9.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 87 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2600pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 190W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 400V. C(inch): 4500pF. Kosten): 1100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 420 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 92A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 14A, 23A, 250uA, 0.20 Ohms, TO-247, TO-247AC, 400V. Binnendiameter (T=100°C): 14A. ID (T=25°C): 23A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 400V. C(inch): 3400pF. Kosten): 540pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 400 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 91A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 42 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 400V, 23A, 0.20 Ohms, TO-247AC HV, 400V. Afvoerbronspanning Uds [V]: 400V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 23A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.20 Ohms. Behuizing: TO-247AC HV. Afvoerbronspanning (Vds): 400V. Markering van de fabrikant: IRFP360PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 14A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 18 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 100 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4500pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 280W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 23A. Vermogen: 280W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 40A, 57A, 250uA, 0.026 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.026 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 3000pF. Kosten): 640pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 210 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 180A. ID s (min): 25uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 58 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 40A, 51A, 51A, 0.023 Ohms, TO-247, TO-247AC, 100V. Binnendiameter (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 51A. Idss (max): 51A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.023 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 100V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: FastSwitch. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, 100V, 40A, 180W. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 40A. Behuizing (JEDEC-standaard): 180W. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP3710PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.025 Ohms @ 28A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 58 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 46A, 65A, 1mA, 0.021 Ohms, TO-247, TO-247AC, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 46A. ID (T=25°C): 65A. Idss (max): 1mA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.021 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 4600pF. Kosten): 460pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP MOSFET. Id(imp): 260A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 21 ns. Td(aan): 33 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 31A, 44A, 1mA, 0.038 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. Binnendiameter (T=100°C): 31A. ID (T=25°C): 44A. Idss (max): 1mA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.038 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 250V. C(inch): 4560pF. Kosten): 390pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP MOSFET. Id(imp): 180A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 310W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 25 ns. Td(aan): 44 ns. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Gewicht: 5.8g. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 33A, 46A, 150uA, 0.049 Ohms, TO-247, TO-247AC, 300V. Binnendiameter (T=100°C): 33A. ID (T=25°C): 46A. Idss (max): 150uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.049 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 300V. C(inch): 7370pF. Kosten): 520pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 300 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 190A. ID s (min): 5uA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +175°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 430W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power-MOSFET, PDP SWITCH. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Idm--190Ap.. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 40A, 57A, 1mA, 0.029 Ohms, TO-247, TO-247AC, 250V. Binnendiameter (T=100°C): 40A. ID (T=25°C): 57A. Idss (max): 1mA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.029 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 250V. C(inch): 5860pF. Kosten): 530pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 190 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: PDP-schakelaar. Id(imp): 230A. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 360W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power-MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -40...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Spec info: Idm--230Ap. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-247AC, 100V, 195A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Afvoerbronspanning Uds [V]: 100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 195A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRFP4468PBF. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0026 Ohms @ 180A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 52 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 160 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 19860pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 520W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

N-kanaaltransistor, 8.7A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 8.7A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 2600pF. Kosten): 420pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 540 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 56A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 92us. Td(aan): 17us. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 8.6A, 14A, 250uA, 0.4 Ohms, TO-247, TO-247AC, 500V. Binnendiameter (T=100°C): 8.6A. ID (T=25°C): 14A. Idss (max): 250uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247AC. Spanning Vds(max): 500V. C(inch): 2200pF. Kosten): 320pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 30. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 580us. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultra low Gate Charger. Id(imp): 56A. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 190W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 30 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: NINCS