FET- en MOSFET-transistors

P-kanaaltransistor, 4.4A, 4.4A, TO-220FP, TO-220F, 200V. ID (T=25°C): 4.4A. Idss (max): 4.4A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 200V. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 3.3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 33W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Advanced Power MOSFET

P-kanaaltransistor, 3A, 3A, 200V. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 3A. Spanning Vds(max): 200V. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 28W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Technologie: V-MOS (F)

P-kanaaltransistor, 3.4A, 3.4A, 250V. ID (T=25°C): 3.4A. Idss (max): 3.4A. Spanning Vds(max): 250V. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Binnendiameter (T=100°C): 2.6A. Let op: On 13ns, Off 40ns. Pd (vermogensdissipatie, max.): 33W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.3 Ohms. Technologie: V-MOS TO220F

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, -30V, -2.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L7. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 380pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, -30V, -2.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L7. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.13 Ohms @ -2.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 380pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, -30V, -2.7A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.7A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: N7. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.138 Ohms @ -2.2A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 60 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 340pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, MS-012, -60V, -1.2A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.2A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: N9. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.34 Ohms @ -1.25A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 60 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 210pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.7W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, -12V, -3A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: M5. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -3.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -0.9V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 715pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, -40V, -3.1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: -40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -3.1A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: P7. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.077 Ohm @ -4.4A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 60 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 27 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 595pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, -20V, -4.7A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.7A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: D3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.7A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.0V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 25 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 71 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1020pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.75W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, -12V, -7.1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -7.1A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.035 Ohms @ -5.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 70 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1225pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, -12V, -6A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: O4. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.023 Ohms @ -5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 26 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 45 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1275pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 2.45A, 5nA, TSOP, TSOP-6, 20V. ID (T=25°C): 2.45A. Idss (max): 5nA. Behuizing: TSOP. Behuizing (volgens datablad): TSOP-6. Spanning Vds(max): 20V. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 50 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 16A. Binnendiameter (T=100°C): 1.95A. ID s (min): 1nA. Aantal aansluitingen: 6. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1nA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Vgs(th) min.: 0.45V

P-kanaaltransistor, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (max): 10uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 40V. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 35ms. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 50A. Binnendiameter (T=100°C): 5.9A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.011 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 97 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V

P-kanaaltransistor, 8.7A, 10uA, SO, SO-8, 40V. ID (T=25°C): 8.7A. Idss (max): 10uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 40V. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 45ms. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 50A. Binnendiameter (T=100°C): 5.9A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.013 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 55 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

P-kanaaltransistor, 11.4A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 11.4A. Idss (max): 5uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 41ms. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 50A. Binnendiameter (T=100°C): 9.1A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.01 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 100 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, MS-012, -30V, -5.7A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.7A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4431BDY-T1-E3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.03 Ohms @ -7.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1600pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, MS-012, -30V, -5.6A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -5.6A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4431CDY-T1-GE3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.032 Ohms @ -7A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1006pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.6W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 7A, 5uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 5uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 60 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 50A. Binnendiameter (T=100°C): 5.6A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 110 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V

P-kanaaltransistor, 8.8A, 8.8A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 8.8A. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: P-kanaal MOSFET-transistor. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.015 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: D-S-MOSFET

P-kanaaltransistor, 7.1A, 7.1A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.1A. Idss (max): 7.1A. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: ja. Aantal per doos: 2. Trr-diode (min.): 60 ns. G-S-bescherming: NINCS. Binnendiameter (T=100°C): 5.7A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.02 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET

P-kanaaltransistor, 7.3A, 7.3A, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 7.3A. Idss (max): 7.3A. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 2. Functie: td(on) 10ns, td(off) 45ns. Binnendiameter (T=100°C): 5.9A. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.024 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET

P-kanaaltransistor, 2.4A, 2.4A, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 2.4A. Idss (max): 2.4A. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 60V. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 2500. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.4W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 50 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SO8, MS-012, 60V, 3.1A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Behuizing (JEDEC-standaard): MS-012. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 3.1A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Markering van de fabrikant: SI4948BEY-T1-GE3. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.12 Ohms @ -3.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 15 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 800pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.4W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

P-kanaaltransistor, 4.7A, 10nA, SO, SO-8, 60V. ID (T=25°C): 4.7A. Idss (max): 10nA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 60V. C(inch): 600pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. G-S-bescherming: NINCS. Id(imp): 30A. Binnendiameter (T=100°C): 3.8A. ID s (min): 1nA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 3.2W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 35 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: TrenchFET ® Power MOSFET (D-S) MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V