FET- en MOSFET-transistors

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, -100V, -0.68A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: -100V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.68A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP316. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 2.2 Ohms @ -0.61A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 110 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 370pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, -250V, -0.26A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Afvoerbronspanning Uds [V]: -250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.26A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSP92P. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 12 Ohms @ -0.26A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 101 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 104pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-92, -50V, -170mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Afvoerbronspanning Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -170mA. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BSS110. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 10 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 45pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.63W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 130mA, 46.4k Ohms, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. ID (T=25°C): 130mA. Idss (max): 46.4k Ohms. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Spanning Vds(max): 50V. C(inch): 25pF. Kosten): 15pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Direct interface to C-MOS, TTL, etc. Id(imp): 520mA. Binnendiameter (T=100°C): 75mA. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: 11W. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Aan-weerstand Rds Aan: 6 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 7 ns. Td(aan): 3 ns. Technologie: Verbeterende modus verticale D-MOS-transistor . Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Spec info: zeefdruk/SMD-code 11W. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 13. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 3 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 7 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 45pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.18A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.18A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: VS. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 4.5 Ohms @ -0.1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2.1V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 13 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 48 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 36pF

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, TO-236AB, -50V, -0.13A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: -50V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -0.13A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: Pd (vermogensdissipatie, max.). Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 10 Ohms @ -0.13A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 3.6 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 12 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.225W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 36pF

P-kanaaltransistor, 8A, 10mA, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Spanning Vds(max): 200V. C(inch): 734pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: AUDIO VERMOGEN Versterker MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 120ns. Technologie: P-kanaal MOSFET-vermogenstransistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 14V. Poort/bronspanning (uit) max.: 1.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.15V. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: complementaire transistor (paar) BUZ901. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 12A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 1uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 1802pF. Kosten): 415pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 30 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 80A. Binnendiameter (T=100°C): 9A. Markering op de kast: P3020LS. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0116 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 46 ns. Td(aan): 5.1 ns. Technologie: SINGLE P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Diversen: Hoge schakelsnelheid, lage ingangs-/uitgangslekkage. Functie: Lage inschakelweerstand, lage poortdrempelspanning, lage ingangscapaciteit. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 16A, 10mA, TO-264 ( TOP-3L ), TO-264, 200V. ID (T=25°C): 16A. Idss (max): 10mA. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Spanning Vds(max): 200V. Pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(inch): 1850pF. Kosten): 850pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Diversen: HIFI-eindversterker. Type transistor: MOSFET. Functie: AUDIO VERMOGEN Versterker MOSFET. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 250W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 105 ns. Td(aan): 150 ns. Technologie: P-kanaal MOSFET-vermogenstransistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 14V. Poort/bronspanning (uit) max.: 1.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.1V. Spec info: complementaire transistor (paar) ECW20N20. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 8A, 10mA, TO-247, TO-247, 200V. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 10mA. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Spanning Vds(max): 200V. Pinout: 1 - G, 2 - S, 3 - D. C(inch): 500pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Diversen: HIFI-eindversterker. Type transistor: MOSFET. Functie: AUDIO VERMOGEN Versterker MOSFET. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 100 ns. Technologie: P-kanaal MOSFET-vermogenstransistor. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 14V. Poort/bronspanning (uit) max.: 1.5V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.15V. Spec info: complementaire transistor (paar) ECX10N20. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 4.3A, 1uA, TSOP, SUPERSOT-6, 35V. ID (T=25°C): 4.3A. Idss (max): 1uA. Behuizing: TSOP. Behuizing (volgens datablad): SUPERSOT-6. Spanning Vds(max): 35V. C(inch): 530pF. Kosten): 105pF. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 16 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID s (min): 1uA. Let op: zeefdruk/SMD-code 365P. Markering op de kast: 365 P. Aantal aansluitingen: 6. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.6W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.045 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 15 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: PowerTrench® MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: Omvormers, voedingen. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23/6, -20V, -4.5A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23/6. Afvoerbronspanning Uds [V]: -20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.5A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 6. Markering van de fabrikant: .638. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.039 Ohms @ -4.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 33 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1160pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.6W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 4A, 10uA, TSOP, SUPERSOT-6, 20V. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 10uA. Behuizing: TSOP. Behuizing (volgens datablad): SUPERSOT-6. Spanning Vds(max): 20V. C(inch): 700pF. Kosten): 110pF. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID s (min): 1uA. Let op: zeefdruk/SMD-code 642. Markering op de kast: 642. Aantal aansluitingen: 6. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.6W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.045 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 120ns. Td(aan): 6 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Functie: lastschakelaar, batterijbescherming. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

P-kanaaltransistor, 4A, 1uA, SSOT, SUPERSOT-6, 20V. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 1uA. Behuizing: SSOT. Behuizing (volgens datablad): SUPERSOT-6. Spanning Vds(max): 20V. C(inch): 630pF. Kosten): 160pF. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 17 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 20A. ID s (min): 250uA. Let op: zeefdruk/SMD-code FDC642P. Markering op de kast: FDC642P. Aantal aansluitingen: 6. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.2W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0525 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 23.5 ns. Td(aan): 23 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V. Functie: lastschakelaar, batterijbescherming. Spec info: Faible charge de grille (6.9nC typique). G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 58A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 40V. ID (T=25°C): 58A. Idss (max): 1uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 40V. C(inch): 2085pF. Kosten): 360pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: High performance greppeltechnologie . Id(imp): 100A. Binnendiameter (T=100°C): 50A. Let op: Logische niveau-gated transistor. Markering op de kast: FDD4141. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 69W. Aan-weerstand Rds Aan: 12.3m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 38 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: extreem lage RDS(aan)-weerstand. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 15A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 60V. ID (T=25°C): 15A. Idss (max): 1uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 60V. RoHS: ja. C(inch): 759pF. Kosten): 90pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): opbouwcomponent (SMD). Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer. Id(imp): 45A. Binnendiameter (T=100°C): 15A. ID s (min): 1uA. Let op: Logische niveau-gated transistor. Markering op de kast: FDD5614P. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.076 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 19 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 40A, 1uA, D-PAK ( TO-252 ), TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ), 30 v. ID (T=25°C): 40A. Idss (max): 1uA. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 1715pF. Kosten): 440pF. Kanaaltype: P. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 26 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: DC/DC-spanningsomvormer. Id(imp): 100A. Binnendiameter (T=100°C): 11A. Let op: Logische niveau-gated transistor. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 52W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.014 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 43 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: PowerTrench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, -12V, -2.6A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: -12V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -2.6A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 306. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ -2.6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 61 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 1138pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 1.6A, 0.1uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 20V. ID (T=25°C): 1.6A. Idss (max): 0.1uA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Spanning Vds(max): 20V. C(inch): 451pF. Kosten): 75pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Batterijbeheer. Id(imp): 5A. ID s (min): n/a. Let op: zeefdruk/SMD-code 338. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.088 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 16 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: Specified PowerTrench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 8V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.4V

P-kanaaltransistor, 1.5A, 10uA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 30 v. ID (T=25°C): 1.5A. Idss: 10uA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 182pF. Kosten): 56pF. Kanaaltype: P. Conditionering: rol. Conditioneringseenheid: 3000. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Single P-Channel, Logic Level. Id(imp): 5A. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 358. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.105 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: PowerTrench MOSFET. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, -60V, -1.25A. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Afvoerbronspanning Uds [V]: -60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -1.25A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 618. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.185 Ohms @ -1A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 6.5 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 16.5 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 430pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

P-kanaaltransistor, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 1uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 1604pF. Kosten): 408pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 42 ns. Td(aan): 13 ns. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: P-kanaal. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 9A, 10uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 10uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 2010pF. Kosten): 590pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 36ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 50A. ID s (min): 1uA. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.015 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 100 ns. Td(aan): 12 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: P-kanaal. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

P-kanaaltransistor, 8.8A, 1uA, SO, SO-8, 30 v. ID (T=25°C): 8.8A. Idss (max): 1uA. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 30 v. C(inch): 1385pF. Kosten): 275pF. Kanaaltype: P. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 29 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: acculaadregelaar. Id(imp): 50A. Aantal aansluitingen: 8:1. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.016 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 10 ns. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 25V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Technologie: P-kanaal. Spec info: HBM ESD-beschermingsniveau van 3,8 kV. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: ja