Transistoren

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRG4PH40K. Collector-emitterspanning Uce [V]: 1.2 kV. Collectorstroom Ic [A]: 30A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 30 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 200 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 160W. Maximale collectorstroom (A): 60A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 1800pF. Kosten): 120pF. Kanaaltype: N. Functie: Up to 40kHz in hard switching,>200kHz res.mode. Collectorstroom: 41A. Ic(puls): 82A. Ic(T=100°C): 21A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 220 ns. Td(aan): 24 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.43V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: IGBT-transistor met ingebouwde snelle vrijloopdiode . Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247AC. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-247AC. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRG4PH40UD. Collector-emitterspanning Uce [V]: 1.2 kV. Collectorstroom Ic [A]: 41A. Inschakeltijd ton [nsec.]: 46 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 90 ns. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 6V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 160W. Maximale collectorstroom (A): 82A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 2800pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Collectorstroom: 45A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 24A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 200 ns. Td(aan): 36ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Bedrijfstemperatuur: -40...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.77V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). Spec info: td (on) 36ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 2800pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Trr-diode (min.): 90 ns. Collectorstroom: 45A. Ic(puls): 90A. Ic(T=100°C): 24A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 140 ns. Td(aan): 87 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.77V. Collector-emitterspanning Vceo: 1220V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 90A (pulsed). CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

Kosten): 160pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Collectorstroom: 45A. Ic(puls): 180A. Ic(T=100°C): 24A. Markering op de kast: IRG4PH50U. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 200 ns. Td(aan): 35 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ) MOS-N-IGBT. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.56V. Collector-emitterspanning Vceo: 1200V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Functie: Ic 45A @ 25°C, 24A @ 110°C, Icm 180A (pulsed). C(inch): 3600pF. Spec info: td(on) 35ns, td(off) 200ns, TJ=25°C. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 850pF. Kosten): 75pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Trr-diode (min.): 92 ns. Collectorstroom: 31A. Ic(puls): 62A. Ic(T=100°C): 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 208W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 184 ns. Td(aan): 34 ns. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 20V. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3.5V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.5V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: Ultrafast Soft Recovery Diode. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 3025pF. Kosten): 245pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 25. Collectorstroom: 90A. Ic(puls): 144A. Ic(T=100°C): 48A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 165 ns. Td(aan): 145 ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.65V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. CE-diode: ja. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 2250pF. Kosten): 110pF. Kanaaltype: N. Conditioneringseenheid: 25. Collectorstroom: 70A. Ic(puls): 250A. Ic(T=100°C): 40A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 112 ns. Td(aan): 36ns. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247 ( AC ). Bedrijfstemperatuur: -40...+140°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.29V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.57V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2.6V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5V. Aantal aansluitingen: 3. CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L1004S. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.7V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5330pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 6590pF. Kosten): 1710pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 63 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 640A. Binnendiameter (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.004 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 38 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 160A. Vermogen: 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.004 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): 40V

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 790A. Binnendiameter (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss (max): 200A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.005 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 40V. Functie: Snel schakelende poortaandrijving op logisch niveau

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRL1404ZPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.7V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 19 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5080pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 230W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 5080pF. Kosten): 970pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 26 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 790A. Binnendiameter (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (max): 200A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.5M Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263 ( D2PAK ). Spanning Vds(max): 40V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3290pF. Kosten): 1270pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 400A. Binnendiameter (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 116A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 23 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRL2203NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.7V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3290pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 130W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L2203NS. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3290pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 180W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L2203NS. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3290pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 180W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. Binnendiameter (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. Idss (max): 104A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L2505S. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 3700pF. Kosten): 630pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 190A. Binnendiameter (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.026 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 49 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRL3502. Afvoerbronspanning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 96 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 140W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L3502S. Afvoerbronspanning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 96 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 140W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 3600pF. Kosten): 870pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 94us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 310A. Binnendiameter (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.01 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 37 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 2V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: Gate Drive op logisch niveau, snel schakelen. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS