Transistoren

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L1004S. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 130A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0065 Ohms @ 78A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.7V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 25 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5330pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 6590pF. Kosten): 1710pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 63 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 640A. Binnendiameter (T=100°C): 110A. ID (T=25°C): 160A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.004 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 38 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 40V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 160A. Vermogen: 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.004 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): 40V

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 790A. Binnendiameter (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss (max): 200A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.005 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 40V. Functie: Snel schakelende poortaandrijving op logisch niveau

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRL1404ZPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.003 Ohms @ 75A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.7V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 19 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 30 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5080pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 230W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 5080pF. Kosten): 970pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 26 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Snel schakelen. Id(imp): 790A. Binnendiameter (T=100°C): 140A. ID (T=25°C): 200A. Idss: 20uA. Idss (max): 200A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 230W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.5M Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 30 ns. Td(aan): 19 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): TO-263 ( D2PAK ). Spanning Vds(max): 40V. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 3290pF. Kosten): 1270pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 56 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Fast Switching, Dynamic dv/dt Rating. Id(imp): 400A. Binnendiameter (T=100°C): 60A. ID (T=25°C): 116A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.07 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 23 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRL2203NPBF. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 100A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.7V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3290pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 130W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L2203NS. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3290pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 180W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L2203NS. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 75A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 60A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 11 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 23 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3290pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 180W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 360A. Binnendiameter (T=100°C): 74A. ID (T=25°C): 104A. Idss (max): 104A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.008 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 55V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L2505S. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.008 Ohms @ 54A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 43 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 3700pF. Kosten): 630pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 190A. Binnendiameter (T=100°C): 39A. ID (T=25°C): 55A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.026 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 49 ns. Td(aan): 11 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 100V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V

RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRL3502. Afvoerbronspanning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 96 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 140W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L3502S. Afvoerbronspanning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 110A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.007 Ohms @ 64A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 10 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 96 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4700pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 140W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 3600pF. Kosten): 870pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 94us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 310A. Binnendiameter (T=100°C): 63A. ID (T=25°C): 89A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 170W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.01 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 37 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 55V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 2V. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: Gate Drive op logisch niveau, snel schakelen. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: IRL3705N. Afvoerbronspanning Uds [V]: 55V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 89A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.01 Ohms @ 46A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 12 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 37 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 170W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 3600pF

C(inch): 5890pF. Kosten): 3130pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 75 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 1040A. Binnendiameter (T=100°C): 180A. ID (T=25°C): 260A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 20uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 330W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.003 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 16 ns. Technologie: SMPS MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: zeer lage Rds. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Zeer lage Rds-on-weerstand. Binnendiameter (T=100°C): 170A. ID (T=25°C): 200A. Idss (max): 200A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.003 Ohms. Technologie: SMPS MOSFET. Spanning Vds(max): 30 v. Let op: UltraLow Gate

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L3713S. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 260A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.004 Ohms @ 30A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 16 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 40 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5890pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 170W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

C(inch): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 470A. Binnendiameter (T=100°C): 98A. ID (T=25°C): 140A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.006 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 29 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET Power MOSFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 140A. Vermogen: 200W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.006 Ohms. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C. Afvoerbronspanning (Vds): 30V

C(inch): 5000pF. Kosten): 1800pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 120ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Poortbesturing op logisch niveau. Id(imp): 470A. Binnendiameter (T=100°C): 83A. ID (T=25°C): 60.4k Ohms. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.006 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 29 ns. Td(aan): 14 ns. Technologie: HEXFET® Power MOSFET. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+175°C. Spanning Vds(max): 30 v. Poort-/bronspanning Vgs: 16V. Vgs(th) max.: 1V. Vgs(th) min.: 1V. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: L3803S. Afvoerbronspanning Uds [V]: 30 v. Drain Current Id [A] @ 25°C: 140A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.006 Ohms @ 71A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 14 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 29 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK/7. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 7. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 360A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0005 Ohms @ 100A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.4V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 67 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 222 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 19680pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 416W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C