Transistoren

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: Io-zat. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3299

Kosten): 30pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Collectorstroom: 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F (2-8A1H). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3421Y. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 2.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 80. Collectorstroom: 0.05A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): 2-8H1A. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 150V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3423. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C(inch): 1.7pF. Kosten): 2.6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Type transistor: PNP. Vcbo: 200V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Vebo: 5V. Functie: video. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 3.1pF. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: Audiospanningsversterker, CRT-definitie, video-uitgang. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 0.1A. Ic(puls): 0.2A. Markering op de kast: A1381-E. Pd (vermogensdissipatie, max.): 7W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: PNP. Vcbo: 300V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3503. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 500pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40 MHz. Collectorstroom: 15A. Markering op de kast: A1386A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Gewicht: 6g. Behuizing: TO-3P ( TO3P ). Behuizing (volgens datablad): MT-100(TO3P). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3519A. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V/50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 170 MHz. Functie: algemeen gebruik. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 35V

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/25V. Collectorstroom Ic [A], max.: 300mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Collectorstroom: 15A. Markering op de kast: A1492. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3856

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Collectorstroom: 17A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3858

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 400 MHz. Functie: Hi-def, Cre=2.2pF. Collectorstroom: 0.2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3953

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NF/S. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.75W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Spec info: TO-92M (hauteur 9mm)

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: NF-S. Collectorstroom: 2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 400V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: TV-NF-L. Collectorstroom: 2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC4381

Kosten): 60pF. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: Hoogspanning PNP-transistor voor audio- en algemene toepassingen.. Minimale hFE-versterking: 60. Collectorstroom: 2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): FM20 (TO220F). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 200V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC4382. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: NF-L. Minimale hFE-versterking: 50. Collectorstroom: 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC4466

Kosten): 36pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: NF, lo-sat. Maximale hFE-versterking: 270. Minimale hFE-versterking: 120. Collectorstroom: 2A. Ic(puls): 5A. Markering op de kast: AG*. Equivalenten: LG 0TRRH80034A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89 ( MTP3 ). Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC4672. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 30pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): 2-10R1A. Type transistor: PNP. Vcbo: 230V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC4793. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 320pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: HIFI-eindversterker. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 80. Collectorstroom: 10A. Markering op de kast: A1941. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): 2-16C1A. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 140V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC5198. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 360pF. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30MHz. Functie: HIFI-eindversterker. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 80. Collectorstroom: 15A. Markering op de kast: A1943 (O). Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264 ( 2-21F1A ). Type transistor: PNP. Vcbo: 230V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC5200. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS