2SA1370

2SA1370. C(inch): 1.7pF. Kosten): 2.6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 100mA. Ic(puls): 200mA. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Type transistor: PNP. Vcbo: 200V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Vebo: 5V. Functie: video. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 16:25.