NPN-transistor, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V - 2SA1358Y

NPN-transistor, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V - 2SA1358Y. NPN-transistor, 1A, TO-126F, TO-126F (2-8A1H), 120V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F (2-8A1H). Collector-emitterspanning Vceo: 120V. BE-diode: NINCS. Kosten): 30pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3421Y. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V. Origineel product van fabrikant Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 08/06/2025, 13:25.