Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 4 | 1.54€ | 1.86€ |
5 - 9 | 1.46€ | 1.77€ |
10 - 24 | 1.39€ | 1.68€ |
25 - 49 | 1.31€ | 1.59€ |
50 - 69 | 1.18€ | 1.43€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 4 | 1.54€ | 1.86€ |
5 - 9 | 1.46€ | 1.77€ |
10 - 24 | 1.39€ | 1.68€ |
25 - 49 | 1.31€ | 1.59€ |
50 - 69 | 1.18€ | 1.43€ |
2SA1358Y. Kosten): 30pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Collectorstroom: 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F (2-8A1H). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3421Y. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 16:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.