Transistoren

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 5 MHz. Functie: Versterker- en schakeltoepassingen. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 15A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+165°C. Vcbo: 90V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N6491. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 5 MHz. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 90V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N6491

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N6488G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 15mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 5 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.075W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 5 MHz. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 15A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N6488

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 5 MHz. Collectorstroom: 15A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Vcbo: 90V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N6488

Kosten): 6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: NPN epitaxiale siliciumtransistor. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 350V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N6520. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Behuizing: TO-92. Weerstand B: vermogenstransistor. BE-weerstand: -350V. C(inch): 100pF. Kosten): 6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 350V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N6517. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-46. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N6550. Afvoerbronspanning Uds [V]: 20V. Afvoerstroom Idss [A] @ Ug=0V: 10mA. Poortbronbreekpuntspanning Ugss [V] @ Uds=0V: -3V @ +10V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W. Componentfamilie: N-kanaals JFET-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +125°C

C(inch): 60pF. Kosten): 25pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (max): 1000uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 2n7000. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Aan-weerstand Rds Aan: 5 Ohms. Gewicht: 0.18g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 10 ns. Td(aan): 10 ns. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): O-92Ammo-Pack. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 60pF. Kosten): 25pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 0.5A. ID (T=25°C): 0.2A. Idss (max): 1000uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 2n7000. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Aan-weerstand Rds Aan: 5 Ohms. Gewicht: 0.18g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 10 ns. Td(aan): 10 ns. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3V. Vgs(th) min.: 0.8V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. C(inch): 50pF. Kosten): 25pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Klein signaal MOSFET-transistor. Id(imp): 0.8A. Binnendiameter (T=100°C): 0.075A. ID (T=25°C): 0.115A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: 702. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Aan-weerstand Rds Aan: 7.5 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 40 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: V-MOS. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Spec info: 702. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: K72. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.210A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 2.8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 7.6 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 50pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.37W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 22pF. Kosten): 11pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 2. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 0.8A. Binnendiameter (T=100°C): 0.14A. ID (T=25°C): 0.23A. Idss (max): 500uA. ID s (min): 1uA. Markering op de kast: K72. Aantal aansluitingen: 6. Pd (vermogensdissipatie, max.): 400mW. Aan-weerstand Rds Aan: 3.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 11 ns. Td(aan): 7 ns. Technologie: Verbeteringsmodus MOSFET . Behuizing: SOT-363 ( SC-88 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 1V. Functie: Motorcontrole, energiebeheer. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 72. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 0.115A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 13.5 Ohms @ 0.05A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 20 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 20 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 50pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

C(inch): 580pF. Kosten): 86pF. Kanaaltype: N. Functie: Stuurprogramma voor plasmascherm. Collectorstroom: 30A. Ic(puls): 60.4k Ohms. Ic(T=100°C): 30A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 120ns. Td(aan): 87 ns. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220D-A1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High speed hall time--tf=200nS(typ). CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

C(inch): 1200pF. Kosten): 125pF. Kanaaltype: N. Functie: VGE(th) VCE=10V, IC=1mA 3.0V...5.5V. Collectorstroom: 40A. Ic(puls): 230A. Ic(T=100°C): 40A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 200 ns. Td(aan): 75 ns. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220D-A1. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.95V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 540V. Poort-/emitterspanning VGE: 30 v. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 3V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 5.5V. Spec info: High-speed switching--tf=185ns (typ). CE-diode: NINCS. Germaniumdiode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Functie: S-L, Low-sat. Collectorstroom: 5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2562

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: CTV-NF/VA. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 60. Collectorstroom: 1A. Markering op de kast: A1013. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2383. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: CTV-NF/VA. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 160. Collectorstroom: 1A. Markering op de kast: A1013-Y. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2383. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 4pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: audio-versterker. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 0.15A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92, 2-5F1B. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+125°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC1162. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 4pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: hFE.120-240. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Collectorstroom: 0.15A. Markering op de kast: 1015 Y. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +125°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -...+125°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC1815Y. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: RM-60. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 12A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 120W

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2581

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 200V. Collectorstroom Ic [A], max.: 17A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Markering van de fabrikant: silicium. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 17A. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): PNP. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): 200V

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-32. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2SA1120. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 35V. Collectorstroom Ic [A], max.: 5A. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 170 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor