Transistoren

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 220. Minimale hFE-versterking: 130. Collectorstroom: 50mA. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: A1123. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal schaaftype . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Vebo: 5V

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V/55V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 90 MHz. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 15A. Markering op de kast: A1141. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOT-199. Behuizing (volgens datablad): SOT-199. Type transistor: PNP. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.6V. Collector-emitterspanning Vceo: 115V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Collectorstroom: 0.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 8W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 180V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Collectorstroom: 0.05A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 150V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: audio-versterker. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 80. Collectorstroom: 50mA. Let op: 9mm. Markering op de kast: A1145 O. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Type transistor: PNP. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2705. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Functie: VCE(sat) 2V max. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 30. Collectorstroom: 10A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. Vcbo: 140V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2706

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 35V/30V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

Weerstand B: 47. BE-weerstand: 47. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Functie: algemeen gebruik. Collectorstroom: 0.1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D6/C. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-236. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 55V/50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 150mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 140 MHz. Functie: algemeen gebruik. Collectorstroom: 0.05A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 80V

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-89. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 150V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: Hoogspanningsschakeling. Collectorstroom: 0.07A. Ic(puls): 0.14A. Let op: 9 mm hoogte. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): SANYO--MP. Type transistor: PNP. Vcbo: 180V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.14V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2910

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: Snelle schakelsnelheid. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 140mA. Markering op de kast: A1209. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: PNP. Vcbo: 180V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC2911. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Kosten): 40pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 120. Collectorstroom: 2A. Markering op de kast: NY. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): 2-5K1A. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk / SMD-code NY. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D3/B. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: HI-FI, NF-E. Collectorstroom: 10A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO3P ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3182. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 35 MHz. Collectorstroom: 15A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3263

Kosten): 500pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 35 MHz. Functie: HIFI-audio. Maximale hFE-versterking: 140. Minimale hFE-versterking: 50. Collectorstroom: 15A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale Planaire Transistor . Tf(max): 1.5us. Tf(min): 0.35us. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): MT-100. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3263. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 35 MHz. Collectorstroom: 17A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3264. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 230V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: HIFI-NF-E. Collectorstroom: 12A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3280

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: HIFI-NF-E. Collectorstroom: 15A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3281

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Collectorstroom: 14A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3284. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Collectorstroom: 1.5A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SC3298. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS