BD646

BD646. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 7 MHz. Functie: NF-L. Maximale hFE-versterking: 1500. Minimale hFE-versterking: 750. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 12A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 5V. Spec info: Be--R1 (10k Ohms), R2 (750 Ohms). Aantal op voorraad bijgewerkt op 15/01/2025, 21:25.