2N6517

Hoeveelheid	excl. BTW	incl. BTW
1 - 9	0.26€	0.31€
10 - 24	0.25€	0.30€
25 - 49	0.23€	0.28€
50 - 99	0.22€	0.27€
100 - 249	0.21€	0.25€
250 - 345	0.18€	0.22€

Hoeveelheid	U.P
1 - 9	0.26€	0.31€
10 - 24	0.25€	0.30€
25 - 49	0.23€	0.28€
50 - 99	0.22€	0.27€
100 - 249	0.21€	0.25€
250 - 345	0.18€	0.22€

Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!

Hoeveelheid in voorraad : 345

Set van 1

2N6517. Kosten): 6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 40MHz (min), 200MHz (max). Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 0.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: NPN epitaxiale siliciumtransistor. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 350V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Vebo: 6V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N6520. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 12/01/2025, 13:25.

Technische documentatie

Informatie en technische hulp

Per telefoon :

Per email

Verkoopvoorwaarden

Betaling en levering

Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!