Transistoren

Aantal per doos: 1. Functie: P-FET S. ID (T=25°C): 6mA. Idss (max): 6mA. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-18 ( TO-206 ). Behuizing (volgens datablad): TO-18

Kosten): 4pF. Conditioneringseenheid: 2000. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Maximale hFE-versterking: 600. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 100mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 4.5V. Functie: HI-FI geluidsarme voorversterker. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N5401. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 160V. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: PNP-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Spec info: 2N5401

C(inch): 75pF. Kosten): 15pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 30. Collectorstroom: 1A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +200°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Type transistor: PNP. Vcbo: 200V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Vebo: 4 v. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C(inch): 75pF. Kosten): 15pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: High Speed ​​Switching en lineaire versterker. Maximale hFE-versterking: 120. Minimale hFE-versterking: 30. Collectorstroom: 1A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 350V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

C(inch): 4.5pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: JFET. Functie: Uni sym. Idss (max): 9mA. ID s (min): 2mA. IGF: 10mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: JFET-transistor voor algemeen gebruik. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 25V. Poort-/bronspanning Vgs: 3.5V. Poort/bronspanning (uit) max.: 7V. Poort/bronspanning (uit) min.: 1V. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2250pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 53 ns. Type transistor: FET. Functie: Uni sym. Idss (max): 16mA. ID s (min): 4mA. IGF: 10mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 4mA. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: JFET-transistor voor algemeen gebruik. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 25V. Poort-/bronspanning Vgs: 4.5V. Poort/bronspanning (uit) max.: 8V. Poort/bronspanning (uit) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 5pF. Kosten): 2pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: JFET. Idss (max): 5mA. ID s (min): 1mA. IGF: 10mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 350mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: J-FET. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 25V. Vgs(th) min.: 3V. Functie: VHF/UHF, RF-versterker

RoHS: ja. Behuizing: TO-92. Weerstand B: ja. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-92. Kosten): 6pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: VIDEO-versterker.. Maximale hFE-versterking: 250. Minimale hFE-versterking: 80. Collectorstroom: 0.6A. Ic(puls): +150°C. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.625W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 180V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.15V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Vebo: 6V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 5551. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 160V. Collectorstroom Ic [A], max.: 600mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 100 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.625W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 25A. Ic(puls): 50A. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +200°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: PNP. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N5886

Kosten): 500pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Maximale hFE-versterking: 100. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 25A. Ic(puls): 50A. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +200°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.8us. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N5884. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N5886G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 25mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 4 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: PUT.. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Bedrijfstemperatuur: -50...+100°C. Spec info: Programmeerbare Unijunction-transistor

RoHS: ja. Componentfamilie: Bipolaire transistor, enkele laag (PUT). Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N6027G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 150mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +100°C

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: PUT.. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Bedrijfstemperatuur: -50...+100°C. Spec info: Programmeerbare Unijunction-transistor

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: PUT.. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Bedrijfstemperatuur: -50...+100°C. Spec info: Programmeerbare Unijunction-transistor

RoHS: ja. Componentfamilie: Bipolaire transistor, enkele laag (PUT). Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-226AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N6028G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 150mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -50°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +100°C

Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Minimale hFE-versterking: 750. Collectorstroom: 12A. Let op: b>750. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 100V

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 175 MHz. Functie: VHF-O Tr. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 12W. Behuizing (volgens datablad): M135. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 36V. Spec info: SD1012. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Collectorstroom: 7A. Let op: hFE 20. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Type transistor: PNP. Vcbo: 50V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Spec info: TO-220AB

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Collectorstroom: 2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Type transistor: PNP. Vcbo: 275V. Collector-emitterspanning Vceo: 225V

BE-weerstand: 8k Ohms (R1), 60 Ohms (R2). Kosten): 400pF. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 2. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: hFE 750...180000. Maximale hFE-versterking: 18000. Minimale hFE-versterking: 750. Collectorstroom: 20A. Ic(puls): 40A. Aantal aansluitingen: 2. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Gewicht: 11.8g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2N6287. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

RoHS: ja. Componentfamilie: Darlington PNP-vermogenstransistor. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-204AA. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2N6287G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 20A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 160W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 5 MHz. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-66. Behuizing (volgens datablad): TO-66. Type transistor: PNP. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 130V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Vebo: 5V