Transistoren

C(inch): 2040pF. Kosten): 230pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 1300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Chopper Regulator, DC-DC Converter and Motor Drive. Id(imp): 40A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. ID s (min): na. Markering op de kast: K2843. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 190 ns. Td(aan): 58 ns. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F ( 2-10R1B ). Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. Technologie: Veldeffecttransistor, MOS-type (TT.MOSV). G-S-bescherming: ja

C(inch): 950pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 900ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 200uA. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.87 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 110 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: TT-MOSV. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Bedrijfstemperatuur: -...+150°. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 740pF. Kosten): 380pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoge snelheid stroomschakeling. Binnendiameter (T=100°C): 15A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.045 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 10 ns. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO–220FM. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 2150pF. Kosten): 220pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 30A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.05 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: FIELD EFFECT MOS Type--(TT-MOS-III). Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): 2-16C1B. Spanning Vds(max): 900V. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: DC-DC-omzetter, relais en motoraandrijving. G-S-bescherming: ja

C(inch): 790pF. Kosten): 240pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 40 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 75A. Binnendiameter (T=100°C): 12.5A. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 10uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.028 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 65 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 2V. Vgs(th) min.: 1V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: ja

C(inch): 160pF. Kosten): 85pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 8A. Binnendiameter (T=100°C): 1.6A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 10uA. Markering op de kast: KE. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.32 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 120ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: MOS FET. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89 ( MTP3 ). Spanning Vds(max): 60V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 1.5V. Vgs(th) min.: 0.8V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code KE. G-S-bescherming: ja

C(inch): 550pF. Kosten): 115pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 1.3us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 16A. ID (T=25°C): 4A. Idss (max): 100uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.6 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 12 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) min.: 2.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: POWER-schakelende MOSFET, industrieel gebruik. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 5400pF. Kosten): 1900pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 270 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 60.4k Ohms. Binnendiameter (T=100°C): n/a. ID (T=25°C): 30A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 10uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Aan-weerstand Rds Aan: 38m Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 190 ns. Td(aan): 55 ns. Technologie: Veldeffecttransistor MOS-V. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): 2-16C1B. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Spanning Vds(max): 200V. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Schakelmodus Regelaar, DC-DC-converter, motordriver. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 650pF. Kosten): 250pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 2us. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 20A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. ID s (min): 0.1uA. Equivalenten: FS5KM-10-AW. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 18 ns. Technologie: V-MOS (F). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO220F-3L. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal per doos: 1

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 28A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.62 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: SILICON POWER MOS-FET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F15. Spanning Vds(max): 800V. Aantal per doos: 1. Functie: High Speed Switching, Low on-res, Low driving power

C(inch): 1200pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 0.75us. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 40A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.58 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 35 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: Panasonic--B1CERR000022. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 2280pF. Kosten): 290pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 0.7us. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 84A. ID (T=25°C): 21A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.29 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 78 ns. Td(aan): 26 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 740pF. Kosten): 105pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 2.3 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 28A. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.46 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 40 ns. Td(aan): 21 ns. Technologie: Super FAP-G Series POWER MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 800V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1050pF. Kosten): 110pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 32A. Binnendiameter (T=100°C): 8A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: K3561. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.75 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 38 ns. Td(aan): 26 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: ja

C(inch): 1050pF. Kosten): 110pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1000 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 24A. Binnendiameter (T=100°C): 6A. ID (T=25°C): 6A. Idss: 100uA. Idss (max): 6A. Markering op de kast: K3562. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.9 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 130 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 550pF. Kosten): 70pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1400 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 20A. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Idss: 100uA. Idss (max): 5A. Markering op de kast: K3563. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.35 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 20 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 500V. G-S-bescherming: ja

C(inch): 700pF. Kosten): 75pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 850 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 9A. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: K3564. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 3.7 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 125 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: ja

C(inch): 1150pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 900ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 15A. Binnendiameter (T=100°C): 5A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: K3565. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 2 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 170 ns. Td(aan): 70 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: ja

C(inch): 470pF. Kosten): 50pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 720 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 7.5A. Binnendiameter (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 2.5A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: K3566. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 5.6 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: ja

Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 14A. Binnendiameter (T=100°C): 3.5A. ID (T=25°C): 3.5A. Idss: 100mA. Idss (max): 3.5A. Markering op de kast: K3567. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.7 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. G-S-bescherming: ja

C(inch): 1500pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 48A. Binnendiameter (T=100°C): 12A. ID (T=25°C): 12A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: K3568. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 170 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2V. G-S-bescherming: ja

C(inch): 1500pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Conditioneringseenheid: 50. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 40A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: K3569. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.54 Ohms. RoHS: ja. Gewicht: 1.7g. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 180 ns. Td(aan): 50 ns. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): SC-67, 2-10U1B. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Technologie: Veldeffecttransistor, MOS-type (TT-MOSVI). Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 700pF. Kosten): 75pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 850 ns. Type transistor: MOSFET. Idss: 100uA. Aantal aansluitingen: 3. Aan-weerstand Rds Aan: 3.7 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 125 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSIV). Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. G-S-bescherming: ja

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 30A. Binnendiameter (T=100°C): 7.5A. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (max): 100uA. Markering op de kast: K3667. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.75 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: ja

C(inch): 1100pF. Kosten): 140pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 3.2us. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 36A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 250uA. ID s (min): 25uA. Markering op de kast: K3679. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 95W. Aan-weerstand Rds Aan: 1.22 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 50 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: POWER MOSFET Super FAP-G Series. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 900V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 3V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS