Hoeveelheid | excl. BTW | incl. BTW |
---|---|---|
1 - 1 | 9.63€ | 11.65€ |
2 - 2 | 9.14€ | 11.06€ |
3 - 4 | 8.95€ | 10.83€ |
5 - 9 | 8.66€ | 10.48€ |
10 - 19 | 8.47€ | 10.25€ |
20 - 29 | 8.18€ | 9.90€ |
30 - 56 | 7.89€ | 9.55€ |
Hoeveelheid | U.P | |
---|---|---|
1 - 1 | 9.63€ | 11.65€ |
2 - 2 | 9.14€ | 11.06€ |
3 - 4 | 8.95€ | 10.83€ |
5 - 9 | 8.66€ | 10.48€ |
10 - 19 | 8.47€ | 10.25€ |
20 - 29 | 8.18€ | 9.90€ |
30 - 56 | 7.89€ | 9.55€ |
N-kanaaltransistor, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V - 2SK1529. N-kanaaltransistor, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 1mA. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): 2-16C1B. Spanning Vds(max): 180V. C(inch): 700pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: NINCS. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Toepassing met hoogvermogenversterker. G-S-bescherming: NINCS. Markering op de kast: K1529. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SJ200. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Veldeffect Silicium N-kanaal MOS-type. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) max.: 2.8V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.8V. Origineel product van fabrikant Toshiba. Aantal op voorraad bijgewerkt op 15/06/2025, 14:25.
Informatie en technische hulp
Betaling en levering
Levering binnen 2-3 dagen, met posttracking!
Alle rechten voorbehouden, RPtronics, 2024.