2SD1623S

2SD1623S. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 280. Minimale hFE-versterking: 140. Collectorstroom: 2A. Ic(puls): 4A. Let op: complementaire transistor (paar) 2SB1123S. Markering op de kast: DF. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.5W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Epitaxiale Planaire Siliciumtransistor . Tf(max): 30 ns. Tf(min): 30 ns. Behuizing: SOT-89 4-Pin ( 3+Tab ). Behuizing (volgens datablad): SOT-89. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 6V. Functie: High-Current Switching, lage verzadigingsspanning. Spec info: zeefdruk/SMD-code DF. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal op voorraad bijgewerkt op 14/01/2025, 12:25.