Transistoren

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D8A/C. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/19V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.3W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D6/C. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 150mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V/50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 150mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: TV-NF/E. Collectorstroom: 1.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1249. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32)

Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Vcbo: 900V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 20. Collectorstroom: 3A. Ic(puls): 10A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Silicon Transistor . Tf(max): 0.7us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Vcbo: 900V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Vebo: 7V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Functie: S-L. Collectorstroom: 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PB. Type transistor: NPN. Vcbo: 900V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2SC3157. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1265

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 550 MHz. Collectorstroom: 0.02A. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 660 MHz. Functie: TV-ZF. Collectorstroom: 0.05A. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 130 MHz. Functie: algemeen gebruik. Collectorstroom: 0.15A. Markering op de kast: C3198. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.4W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Weerstand B: NINCS. BE-weerstand: PCB-solderen. C(inch): TO-92. Kosten): 3.5pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 700. Minimale hFE-versterking: 70. Collectorstroom: 150mA. Temperatuur: +125°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: vervanging KTA1267. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: Hi-Beta, lo-sat.. Minimale hFE-versterking: 500. Collectorstroom: 2A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type . Tf(max): 1.2us. Tf(min): 1us. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Vebo: 7V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: 9mm. Aantal per doos: 1

Kosten): 250pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Maximale hFE-versterking: 140. Minimale hFE-versterking: 40. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-93. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 230V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 2V. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1294. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Collectorstroom: 17A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1295

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Collectorstroom: 17A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 230V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: met dit hoesje alleen zolang de voorraad strekt!

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: NF-E HI-FI. Collectorstroom: 12A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1301

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: NF-E HI-FI. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-264 ( TOP-3L ). Behuizing (volgens datablad): TO-264. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1302. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 60 MHz. Collectorstroom: 14A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1303

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: geïsoleerde pakkettransistor. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 70. Collectorstroom: 1.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Behuizing: TO-220FP. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Vebo: 5V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1306

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 70. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 8A. Markering op de kast: C3303. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 7V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 8A. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( D-PAK ). Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Vebo: 8V. Aantal per doos: 1. Functie: NF/SL. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: Hoogspanningsschakeltoepassingen. Collectorstroom: 0.7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.7W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. Let op: hFE 140...280. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1319

Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Type transistor: NPN. Vcbo: 900V. Collector-emitterspanning Vceo: 500V. Aantal per doos: 1