Transistoren

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Functie: CSC2342. Collectorstroom: 0.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Aantal per doos: 1. Spec info: hoogte 5 mm

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 600. Minimale hFE-versterking: 70. Collectorstroom: 2A. Ic(puls): 5A. Markering op de kast: C2500. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: NPN epitaxiale siliciumtransistor. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Type transistor: NPN. Vcbo: 30 v. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 90V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 200V. Collectorstroom Ic [A], max.: 17A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO3P ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. Vcbo: 450V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D17/C. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 150V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.75W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D8/C. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D6/C. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/30V. Collectorstroom Ic [A], max.: 20mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.1W

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Collectorstroom: 1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Collectorstroom: 0.1A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 8W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126F. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. Functie: hFE 100...200. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 19pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 155 MHz. Functie: HF. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 160. Collectorstroom: 1.2A. Ic(puls): 2.5A. Markering op de kast: C2690A Y. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.7V. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Vebo: 5V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1220A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 1.8pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Functie: audio-versterker. Maximale hFE-versterking: 160. Minimale hFE-versterking: 80. Collectorstroom: 50mA. Ic(puls): 800mA. Markering op de kast: C2705. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92MOD ( 2-5J1A ). Type transistor: NPN. Vcbo: 150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Let op: 9mm. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1145. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 700. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 0.1A. Markering op de kast: DG. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150mW. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 300mV. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code DG. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1163. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: SOT-103. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 25V/20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 20mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-236. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.15W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V. Collectorstroom Ic [A], max.: 100mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.4W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 180V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: Voor dempen en schakelen. Maximale hFE-versterking: 1200. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 300mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 400mW. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 130 ns. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.042V. Collector-emitterspanning Vceo: 20V. Vebo: 25V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Silicon NPN Epitaxial Type

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 180V/160V. Collectorstroom Ic [A], max.: 70mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W

RoHS: ja. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2SC2910. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 180V/160V. Collectorstroom Ic [A], max.: 70mA. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 400. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.2us. Tf(min): 0.2us. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Type transistor: NPN. Vcbo: 180V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.08V. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): 70mA. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): 140mA. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1208

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: Snelle schakelsnelheid. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 0.14A. Ic(puls): 0.2A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Behuizing (volgens datablad): TO-126. Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Collector-emitterspanning Vceo: 180V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1209. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V/50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 150mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Collectorstroom: 7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 500V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D18/C. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V/100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1W

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Functie: Hoge stroom schakelen. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 70. Collectorstroom: 5A. Markering op de kast: C3074. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: Silicon NPN Epitaxial Type (PCT process). Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 2. Let op: voor schakeltoepassingen. Aantal per doos: 1. Let op: complementaire transistor (paar) 2SA1244. Spec info: Lo-sat--Vce(sat)--0.2V