2SC3303

2SC3303. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120 MHz. Maximale hFE-versterking: 240. Minimale hFE-versterking: 70. Collectorstroom: 5A. Ic(puls): 8A. Markering op de kast: C3303. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.1us. Behuizing: TO-251 ( I-Pak ). Behuizing (volgens datablad): TO-251AA ( I-PAK ). Type transistor: NPN. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.2V. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. Vebo: 7V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. Aantal op voorraad bijgewerkt op 13/01/2025, 09:25.