Transistoren

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Collectorstroom Ic [A], max.: 300mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Collectorstroom Ic [A], max.: 300mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 550 MHz. Collectorstroom: 0.1A. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 35V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: S-L. Minimale hFE-versterking: 30. Collectorstroom: 2A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 1us. Tf(min): 1us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Vebo: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 175 MHz. Maximale hFE-versterking: 180. Minimale hFE-versterking: 10. Collectorstroom: 0.3A. Temperatuur: +135°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epytaxial Planar Type. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 40V. Collector-emitterspanning Vceo: 17V. Vebo: 4 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: RF-versterkers op VHF-band

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/25V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: D18/C. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/32V. Collectorstroom Ic [A], max.: 700mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.75W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: E-33. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/25V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Collectorstroom: 1.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA940. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 27 MHz. Collectorstroom: 4A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 6W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 75V. Aantal per doos: 1

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 120MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 900mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 30 v. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Vebo: 5V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA966. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Collectorstroom: 1.5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA968

Kosten): 3pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: Laag geluidsniveau, audioversterker. Maximale hFE-versterking: 700. Minimale hFE-versterking: 350. Collectorstroom: 0.1A. Markering op de kast: C2240BL. Temperatuur: +125°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA970BL. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 3pF. Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Maximale hFE-versterking: 400. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 0.1A. Markering op de kast: C224GR. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiaal type (PCT-proces) . Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA970GR. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V/50V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.6W

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 35. Collectorstroom: 1.5A. Ic(puls): 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 120V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: VID-L. Collectorstroom: 0.1A. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 300V. Aantal per doos: 1

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-236. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

Kosten): 30pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100MHz. Maximale hFE-versterking: 200. Minimale hFE-versterking: 60. Collectorstroom: 1.5A. Ic(puls): 3A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Vcbo: 180V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Vebo: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Hoogspanningsschakeling, AF-eindversterker. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1011. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 30mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 120V/100V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W

Kosten): 20pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: CTV-NF/VA. Maximale hFE-versterking: 320. Minimale hFE-versterking: 160. Collectorstroom: 1A. Markering op de kast: C2383 Y. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.9W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92M ( 9mm ). Type transistor: NPN. Vcbo: 160V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Vebo: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1013. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Maximale hFE-versterking: 390. Minimale hFE-versterking: 180. Collectorstroom: 0.15A. Markering op de kast: BQ. Temperatuur: +155°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200mW. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 400mV. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code BQ. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1037. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: P22/U. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 30V/20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W