Transistoren

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 400 MHz. Functie: Hi-def. Collectorstroom: 0.2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 15W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1476

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-92. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 50V/20V. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.5W

C(inch): 4pF. Kosten): 10pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Vcbo: 900V. Collector-emitterspanning Vceo: 550V. Aantal per doos: 1

Weerstand B: 22. BE-weerstand: 22. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 260 MHz. Collectorstroom: 2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.5W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-126F. Behuizing (volgens datablad): TO-126LP. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Functie: hFE 800. Aantal per doos: 1. Spec info: Hi-Ube, lo-sat.

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-98. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V/30V. Collectorstroom Ic [A], max.: 20mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.1W

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-98. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Collectorstroom Ic [A], max.: 50mA. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.2W

Weerstand B: 47. BE-weerstand: 10. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 300 MHz. Functie: TV-ZF-E. Collectorstroom: 0.05A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.3W. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 75V. Aantal per doos: 1

Kosten): 50pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 15 MHz. Minimale hFE-versterking: 500. Collectorstroom: 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): MF20 TO220F. Type transistor: NPN. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Vebo: 6V. Aantal per doos: 1. Functie: Stuurprogramma voor solenoïde en motor. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 160V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Collectorstroom: 15A. Markering op de kast: C3856. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PB. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SA1492

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Collectorstroom: 5A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Spec info: MONITOR

Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Spec info: MONITOR

Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 8A. Markering op de kast: C3886A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: MONITOR. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 450 MHz. Functie: TV/IF. Collectorstroom: 0.02A. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: HA, Hi-res. Collectorstroom: 7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing (volgens datablad): TO-3PF. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Rbe 60 Ohms. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A)

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: HA, Hi-res. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Spec info: MONITOR

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: HA, Hi-res. Collectorstroom: 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 600V. Aantal per doos: 1. Spec info: MONITOR

RoHS: NINCS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: M31/J. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 180V. Collectorstroom Ic [A], max.: 12A. Maximale dissipatie Ptot [W]: 130W

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: HA hi-def.. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 180W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Spec info: MONITOR

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 70 MHz. Functie: Hoogspanningsdrivertoepassingen. Collectorstroom: 0.2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.6W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. Spec info: hFE 100...200

Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 130W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Type transistor: NPN. Vcbo: 600V. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Aantal per doos: 1. Functie: S-L. Spec info: 500/2200ns

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: UHF. Collectorstroom: 0.065A. Vermogen: 200mW. Type transistor: NPN. Vcbo: 20V. Collector-emitterspanning Vceo: 10V. Vebo: 1.5V. Aantal per doos: 1. Spec info: 9000MHZ. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Collectorstroom: 7A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Vcbo: 500V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. Spec info: 2SD4106M

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: Snelle schakelsnelheid. Maximale hFE-versterking: 50. Minimale hFE-versterking: 15. Collectorstroom: 10A. Ic(puls): 20A. Markering op de kast: C4107. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.3us. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Type transistor: NPN. Vcbo: 500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 30 MHz. Functie: DC/DC-spanningsomvormer. Maximale hFE-versterking: 220. Minimale hFE-versterking: 70. Collectorstroom: 7A. Ic(puls): 14A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Vcbo: 200V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: COB--110pF (VCB=10V, f=1MHzC)