Transistoren

Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 10 MHz. Functie: SILICON NPN SWITCHING TRANSISTOR. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 30. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): 2A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Type transistor: NPN. Vcbo: 500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

C(inch): 2600pF. Kosten): 280pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 1700 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaartoepassingen. Id(imp): 80A. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 10uA. Markering op de kast: K20J50D. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 280W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.22 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 150 ns. Td(aan): 100 ns. Technologie: Veldeffect POWER MOS-type (MOSVII). Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 500V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 800pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 1200 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 10uA. Markering op de kast: K6A60D. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 60 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVI). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1050pF. Kosten): 100pF. Kanaaltype: N. Trr-diode (min.): 1300 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelregelaar. Id(imp): 24A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 10uA. ID s (min): 10uA. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.95 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 75 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: Veldeffecttransistor. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 4 v. Vgs(th) min.: 2V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 470pF. Kosten): 13pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 230 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: voor schakelende spanningsregelaars. Id(imp): 28A. ID (T=25°C): 7A. Idss (max): 10uA. Markering op de kast: TK7P60W. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.50 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 55 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: MOSFET (DTMOSIV). Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Behuizing (volgens datablad): TO-252 ( DPAK ) ( SOT428 ) ( DPAK-5 ). Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 600V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.7V. Vgs(th) min.: 2.7V. Aantal aansluitingen: 2. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

C(inch): 1350pF. Kosten): 135pF. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Schakelende voedingen (SMPS). Id(imp): 30Ap. Idss (max): 10uA. Markering op de kast: K8A65D. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.7 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 75 ns. Td(aan): 60 ns. Technologie: Field Effect (TT-MOSVII). Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): 2-10U1B. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 650V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 0.3A. Idss (max): 0.3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Aan-weerstand Rds Aan: 2.3 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: 9.31k Ohms. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 240V. Aantal per doos: 1

Functie: SAMSUNG 0505-001417. Aantal aansluitingen: 8:1. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: SMD SO-8. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Aantal per doos: 2

Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 400V. Collectorstroom: 1A. Vermogen: 1W. Behuizing: TO-92

Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Collector-emitterspanning VCEO: 50V. Collectorstroom: 3A. Vermogen: 0.75W. Maximale frequentie: 90MHz. Behuizing: TO-92

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: PDFN56. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 58 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 7150pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 136W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: PDFN56. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 161A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0025 Ohm @ 24A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6435pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 136W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: PDFN56. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 3 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 47 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 4456pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 107W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: PDFN56. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerbronspanning Uds [V]: 40V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 121A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0033 Ohm @ 21A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 7 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 35 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 5022pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 107W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: PDFN56. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 104A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.005 Ohm @ 16A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 56 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6870pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 136W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: PDFN56. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerbronspanning Uds [V]: 60V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 107A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.0048 Ohm @ 16A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 2.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 4 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 78 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 6253pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 136W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, P-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerbronspanning Uds [V]: -30V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -4.9A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.05 Ohms @ -4.9A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: -1.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 9 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 75 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 745pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2.5W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SO8. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 8:1. Afvoerbronspanning Uds [V]: 20V. Drain Current Id [A] @ 25°C: -6A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.021 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 0.6V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 8.1 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 21.8 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 562pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 1.6W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Hoge snelheid.. Maximale hFE-versterking: 15. Minimale hFE-versterking: 4. Collectorstroom: 18A. Ic(puls): 35A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 85W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Transistor . Tf(max): 0.2us. Behuizing (volgens datablad): TO-3PMLH. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Spec info: Ultrahigh-Hor. Deflection CRT Display. CE-diode: ja

Kosten): 110pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Vbe(sat)1.5V. Maximale hFE-versterking: 10. Minimale hFE-versterking: 5. Collectorstroom: 6A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FI. Type transistor: NPN. Vcbo: 800V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: met polarisatieweerstand Rbe. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 110pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Kleuren-tv Horizontale afbuiging Uitgangstoepassingen. Maximale hFE-versterking: 8:1. Minimale hFE-versterking: 5. Collectorstroom: 6A. Ic(puls): 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Silicon Transistor . Tf(max): 0.3us. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FI. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Vebo: 6V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: met polarisatieweerstand Rbe. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 80pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Kleuren-tv Horizontale afbuiging Uitgangstoepassingen. Maximale hFE-versterking: 10. Minimale hFE-versterking: 5. Collectorstroom: 8A. Ic(puls): 20A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Triple Diffused Planar Silicon Transistor . Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Spec info: Vbe(sat) 1.5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 80pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Spec info: TT2206-YD TO-3PML. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Markering op de kast: H21. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: *SMD SO6*. Behuizing (volgens datablad): EMT6. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 6. Let op: zeefdruk/SMD-code H21

Markering op de kast: H9C. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: *SMD SO6*. Behuizing (volgens datablad): EMT6. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 6. Let op: zeefdruk/SMD-code H9C