Transistoren

Kosten): 180pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Collectorstroom: 0.1A. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 180pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: 0.2W. Collectorstroom: 0.1A. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Spec info: zeefdruk/SMD-code 6B. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 180pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: 0.2W. Collectorstroom: 0.1A. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Spec info: zeefdruk/SMD-code 6D. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: INFI->PANAS. Collectorstroom: 0.1A. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

C(inch): 75pF. Kosten): 15pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: 1.6mm. Collectorstroom: 0.1A. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: PNP. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. ID (T=25°C): 0.47A. Idss (max): 0.47A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Aan-weerstand Rds Aan: 3 Ohms. Technologie: V-MOS. Spanning Vds(max): 60V. Aantal per doos: 1

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: VNB10N07. Afvoerbronspanning Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.1 Ohms @ 5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 100 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 900ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +135°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: VNB14N04. Afvoerbronspanning Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 14A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.07 Ohms @ 7A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 120ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 500 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +135°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: VNB35N07-E. Afvoerbronspanning Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 200 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 800 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +135°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: D²-PAK. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-263. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: VNB49N04. Afvoerbronspanning Uds [V]: 42V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 49A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.04 Ohms @ 25A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 600 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 2400 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +135°C

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 1.7A. Idss (max): 75uA. ID s (min): 30uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 7W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.25 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Spanning Vds(max): 45V. Aantal per doos: 1. Let op: zeefdruk/SMD-code 1NV04P

Kosten): 350pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: Zenerdiode. Trr-diode (min.): 125 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Volledig automatisch beveiligde power-mosfet. G-S-bescherming: Zenerdiode. Id(imp): 14A. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 200uA. ID s (min): 50uA. IGF: 50mA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.10 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 230 ns. Td(aan): 50 ns. Technologie: OMNIFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Spanning Vds(max): 70V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Lineaire stroombeperking

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: Volledig automatisch beveiligde power-mosfet. ID (T=25°C): 20A. Idss (max): 200uA. ID s (min): 50uA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.05 Ohms. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: OMNIFET. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 70V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 83W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +135°C. Spec info: Voltage Clamp 70V, I limit 20A

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Behuizing (JEDEC-standaard): MOSFET. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: VNP35N07. Afvoerbronspanning Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 35A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.028 Ohms @ 18A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 200 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 1000 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 100 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 125W. Gebruikt voor: Ilim= 35A IR= -50A. Spanning Vds(max): 70V. Vin-ingangsspanning (max): 18V. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +135°C

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: VNP5N07-E. Afvoerbronspanning Uds [V]: 70V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 5A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.2 Ohms @ 2.5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 100 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 250 ns. Maximale dissipatie Ptot [W]: 31W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +135°C

Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 107ns. Type transistor: MOSFET. ID (T=25°C): 3.5A. Idss (max): 75uA. ID s (min): 30uA. Let op: zeefdruk/SMD-code S3NV04DP. Markering op de kast: S3NV04DP. Pd (vermogensdissipatie, max.): 4W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.12 Ohms. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Td(uit): 450 ns. Td(aan): 90 ns. Technologie: OMNIFET II fully autoprotected Power MOSFET. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SO-8. Spanning Vds(max): 45V

RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220AB. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Afvoerbronspanning Uds [V]: 650V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 38A. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.099 Ohms @ 15A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 53 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 193 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2940pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 277W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 130A. Vermogen: 260W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0055 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): 100V

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 200A. Vermogen: 260W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0029 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): 60V

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: P. Maximale afvoerstroom: 30A. Vermogen: 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.056 Ohms. Behuizing: TO-220AB. Afvoerbronspanning (Vds): -100V

Type transistor: MOSFET-vermogenstransistor. Kanaaltype: N. Maximale afvoerstroom: 70A. Vermogen: 125W. Aan-weerstand Rds Aan: 0.0086 Ohms. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning (Vds): 100V

Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 10A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Advanced Power MOSFET. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 200V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1

Spanning: 60V. Maximale hFE-versterking: 100 (500mA, 2V). Collectorstroom: 100nA (ICBO). Aantal aansluitingen: 8:1. Max: 140 MHz. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Vermogen: 2.75W. Behuizing: SO. Behuizing (volgens datablad): SM-8. Type transistor: PNP & PNP. Bedrijfstemperatuur: -55°C ~ 150°C. Aantal per doos: 2. Verzadigingsspanning VCE(sat): 500mV (200mA, 2A)

Kosten): 120pF. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 180 MHz. Maximale hFE-versterking: 1200. Minimale hFE-versterking: 200. Collectorstroom: 4A. Ic(puls): 20A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -50...+200°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.03V. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 2000. Functie: unijunction-transistor UJT, hi-beta, lo-sat. Spec info: complementaire transistor (paar) ZTX788. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

Kosten): 15pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 100. Collectorstroom: 1A. Ic(puls): 2A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: PLANAR TRANSISTOR. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Type transistor: NPN. Vcbo: 60V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Collector-emitterspanning Vceo: 45V. Vebo: 5V. Aantal aansluitingen: 3. Spec info: complementaire transistor (paar) ZTX550. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS