NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 5A, 400V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Type transistor: NPN. Vcbo: 850V

NPN-transistor, 5A, TO-3PN, 450V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: hoogspanning, snel schakelend. Maximale hFE-versterking: 35. Minimale hFE-versterking: 10. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.8us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 5A, 400V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. Type transistor: NPN. Vcbo: 850V

NPN-transistor, 10A, TO-247, TO-247, 450V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 50. Minimale hFE-versterking: 15. Ic(puls): 20A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.8us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 9V

NPN-transistor, 10A, 400V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 32W. Type transistor: NPN. Vcbo: 850V

NPN-transistor, 15A, TO-3PN, 400V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-3PN. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 175W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 15A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BUX48A. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 450V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 175W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +200°C

NPN-transistor, 2A, 400V. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 8 MHz. Functie: S. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Vcbo: 450V

NPN-transistor, 2A, TO-220, TO-220, 450V. Collectorstroom: 2A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 4 MHz. Functie: S-L. Maximale hFE-versterking: 50. Minimale hFE-versterking: 30. Ic(puls): 3A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V

NPN-transistor, 0.5A, TO-126 (TO-225, SOT-32), TO-126, 450V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-126 (TO-225, SOT-32). Behuizing (volgens datablad): TO-126. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Functie: S-L. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-126, 500mA. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-126. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-82. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BUX87P. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 450V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 42W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 10A, TO-3 ( TO-204 ), TO-3, 200V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3 ( TO-204 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 25 MHz. Functie: S-L. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 15A. Aantal aansluitingen: 2. Temperatuur: +200°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 300V

NPN-transistor, 2A, 800V. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Vcbo: 2200V

NPN-transistor, 10A, 200V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Type transistor: NPN. Vcbo: 280V

NPN-transistor, 10A, TO-220, TO-220, 80V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. BE-diode: NINCS. Kosten): 130pF. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Minimale hFE-versterking: 60. Ic(puls): 20A. Markering op de kast: D44H11. Equivalenten: Fairchild D44H11TU, KSE44H11TU. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. RoHS: ja. Spec info: complementaire transistor (paar) D45H11. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Epitaxiale siliciumtransistor . Tf(max): 140 ns. Tf(min): 140 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 80V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: D44H11G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, TO-220, TO-220, 60V, 10A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Collectorstroom: 10A. Type transistor: NPN. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. BE-diode: NINCS. Kosten): 90pF. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Spec info: complementaire transistor (paar) D45H8. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-220, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: ja. Componentfamilie: NPN-vermogenstransistor. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-220. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: D44H8G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 60V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 50 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 70W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 15A, TO-220, TO-220AC, 80V. Collectorstroom: 15A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AC. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: S-L, Low-sat. Maximale hFE-versterking: 35. Minimale hFE-versterking: 20. Ic(puls): 20A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 83W. Spec info: complementaire transistor (paar) D45VH10. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 90 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 100V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.4V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.2V. Vebo: 7V

NPN-transistor, 50mA, SOT-23 ( TO-236 ), SC-59, 50V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SC-59. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Weerstand B: 10k Ohms. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 10k Ohms. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 250 MHz. Functie: DTR.. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: 24. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.2W. RoHS: ja. Spec info: zeefdruk/SMD-code 24. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Vermogen: 0.2W. Type transistor: NPN. Vcbo: 50V

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Weerstand B: 4.7k Ohms. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Transistor met ingebouwde voorspanningsweerstand. Minimale hFE-versterking: 200. Let op: zeefdruk/SMD-code 33. Markering op de kast: *33, P33, t33, w33. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Spec info: R1 typ=4.7k Ohms, R2 typ=NC (open). Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Vebo: 5V

NPN-transistor, 100mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 50V. Collectorstroom: 100mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Productiedatum: 2014/49. Minimale hFE-versterking: 100. Ic(puls): 100mA. Markering op de kast: 18. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 50V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Vebo: 10V

NPN-transistor, 0.03A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 50V. Collectorstroom: 0.03A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Weerstand B: 47k Ohms. BE-diode: NINCS. BE-weerstand: 47k Ohms. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Markering op de kast: 26. Spec info: zeefdruk/SMD-code 26. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.1A, SC-72. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: SC-72. Type transistor: NPN-transistor. Polariteit: NPN. Vermogen: 0.3W. BE-weerstand: 47k+22k Ohms. Maximale frequentie: 250MHz

NPN-transistor, 100A, ISOPLUS247 ( TO-247 ), ISOTOP ( SOT-227 ), 400V. Collectorstroom: 100A. Behuizing: ISOPLUS247 ( TO-247 ). Behuizing (volgens datablad): ISOTOP ( SOT-227 ). Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Power Darlington NPN-transistormodule. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 300. Ic(puls): 150A. Let op: Geschroefd. Aantal aansluitingen: 4. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 225W. RoHS: ja. Spec info: Single Dual Emitter. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.35us. Type transistor: NPN & NPN. Vcbo: 300V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.25V. Vebo: 7V