NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 8A, 700V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 34W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, PCB-solderen, ISOWATT-218, 8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ISOWATT-218. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BU508DFI. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 700V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 7 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, 480V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 480V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-SN. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1100V. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 7A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 330V/200V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 90W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 7A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 7A. RoHS: NINCS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 330V/ 200V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 90W

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220FH, 700V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FH. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 42W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Aantal per doos: 1. Spec info: TO-220FH

NPN-transistor, 8A, ISOWATT218FX, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 8A. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218FX. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-weerstand: 42 Ohms. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Maximale hFE-versterking: 230. Minimale hFE-versterking: 60. Ic(puls): 10A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 0.8us. Tf(min): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.6V. Vebo: 5V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 2. Spec info: ICM--(tp < 5ms)

NPN-transistor, 8A, ISOWATT218, 700V, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Collectorstroom: 8A. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). BE-weerstand: 260 Ohms. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Ic(puls): 10A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 62W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1400V. Vebo: 5V. Aantal per doos: 2. Aantal aansluitingen: 3. Functie: hFE 60...230, geïsoleerde kunststof behuizing. Spec info: valtijd 0,8us

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-247, 15A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-247. Collectorstroom Ic [A], max.: 15A. RoHS: ja. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BU941ZP. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 350V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 155W. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +175°C

NPN-transistor, 15A, 400V. Collectorstroom: 15A. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 65W. Type transistor: NPN. Vcbo: 500V. Let op: >300. Aantal per doos: 1

NPN-transistor, 10A, D2PAK ( TO-263 ), D2PAK ( TO-263 ), 350V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: D2PAK ( TO-263 ). Behuizing (volgens datablad): D2PAK ( TO-263 ). Collector-emitterspanning Vceo: 350V. Darlington-transistor?: ja. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: valtijd 625ns. Maximale hFE-versterking: 3400. Minimale hFE-versterking: 500. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Aantal per doos: 1. Spec info: 360-450V Clamping

NPN-transistor, 0.5A, D-PAK ( TO-252 ), 450V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: D-PAK ( TO-252 ). Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 20 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Aantal per doos: 1. Spec info: HV-POWER

NPN-transistor, 30A, TO-247, TO-247, 450V. Collectorstroom: 30A. Behuizing: TO-247. Behuizing (volgens datablad): TO-247. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Ic(puls): 60A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: High Voltage Multi Epitaxial Planar-technologie . Tf(max): 0.1us. Tf(min): 0.05us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.8V. Vebo: 7V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Snel schakelende hoogspanningstransistor

NPN-transistor, 14A, ISOWATT218FX, TO-218-ISO, 700V. Collectorstroom: 14A. Behuizing: ISOWATT218FX. Behuizing (volgens datablad): TO-218-ISO. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 14. Minimale hFE-versterking: 7. Ic(puls): 18A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 220 ns. Tf(min): 110 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Let op: hi-res, monitor 19. Spec info: Icmax--18A <5mS

NPN-transistor, 16A, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-218 ( SOT93 ), 700V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-218 ( SOT93 ). Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Snel schakelende hoogspanningstransistor. Maximale hFE-versterking: 14. Minimale hFE-versterking: 5. Ic(puls): 22A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 210 ns. Tf(min): 110 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: Icm.22A <5ms

NPN-transistor, 5A, 700V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge resolutie . Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Aantal per doos: 1. Spec info: MONITOR

NPN-transistor, 5A, ISOWATT218FX, ISOWATT218, 700V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: ISOWATT218FX. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Hoge resolutie . Maximale hFE-versterking: 9. Minimale hFE-versterking: 2.5. Ic(puls): 12A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 44W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 200 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: MONITOR

NPN-transistor, 8A, ISOWATT218, ISOWATT218, 700V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: ISOWATT218. Behuizing (volgens datablad): ISOWATT218. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge resolutie . Maximale hFE-versterking: 6. Minimale hFE-versterking: 4. Ic(puls): 15A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Tf (type): 190 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 1700V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Vebo: 10V. Aantal per doos: 1. Spec info: MONITOR. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 10A, 700V. Collectorstroom: 10A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Hoge resolutie . Pd (vermogensdissipatie, max.): 57W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Let op: MONITOR. Aantal per doos: 1. Spec info: Ts 2.1/3.1us

NPN-transistor, 4A, 400V. Collectorstroom: 4A. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 32. Minimale hFE-versterking: 10. Ic(puls): 8A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Tf (type): 0.2us. Type transistor: NPN. Vcbo: 700V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.5V. Aantal per doos: 1. Functie: hoogspanning, snel schakelend. Spec info: TO-220. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220, 800V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Maximale hFE-versterking: 40. Minimale hFE-versterking: 10. Ic(puls): 6A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 90W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 720 ns. Tf(min): 450 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 1600V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 9V. Functie: hoogspanning snel schakelend, voor het schakelen van voedingen. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 500V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 500V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Maximale hFE-versterking: 14. Minimale hFE-versterking: 6. Ic(puls): 10A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 150us. Tf(min): 80us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1000V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: Snel schakelen voor schakelende voedingen

NPN-transistor, 5A, TO-220FP, TO-220F, 500V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 500V. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Functie: Snel schakelend hoogspanning. Maximale hFE-versterking: 13.5. Minimale hFE-versterking: 8:1. Ic(puls): 10A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 36W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 150 ns. Tf(min): 80 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 1150V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 5A, TO-220, TO-220, 450V. Collectorstroom: 5A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: SMPS S-L. Ic(puls): 10A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 80W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 0.8us. Type transistor: NPN. Vcbo: 800V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.1V. Vebo: 9V. Aantal per doos: 1. Spec info: Snel schakelen

NPN-transistor, 4A, TO-220, TO-220, 450V. Collectorstroom: 4A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 450V. Darlington-transistor?: NINCS. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Snelle commutatie voor schakelende voeding. Maximale hFE-versterking: 10. Minimale hFE-versterking: 4. Ic(puls): 8A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 100 ns. Tf(min): 50 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 850V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.13V. Vebo: 9V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: IFMS 8A, tp <5 ms