NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 6A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 160V/100V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 25W

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 6A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 6A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 280V/150V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 25W

NPN-transistor, 600V, 10A, TO-3. Collector-emitterspanning VCEO: 600V. Collectorstroom: 10A. Behuizing: TO-3. Type transistor: Darlington-vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Uitvoering: Darlington-transistor. Vermogen: 175W. Maximale frequentie: 10MHz. DC Collector/Base Gain HFE Min.: 150

NPN-transistor, 7A, TO-220, TO-220, 200V. Collectorstroom: 7A. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 6 MHz. Functie: TV-HA. Maximale hFE-versterking: 20. Minimale hFE-versterking: 12:1. Ic(puls): 15A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 400V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V

NPN-transistor, 7A, TO-220, 200V. Collectorstroom: 7A. Behuizing: TO-220. Collector-emitterspanning Vceo: 200V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Type transistor: NPN. Vcbo: 400V

NPN-transistor, PCB-solderen, TO-3, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-3. Collectorstroom Ic [A], max.: 10A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: NPN bipolaire transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 175V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 60W

NPN-transistor, 12A, 375V. Collectorstroom: 12A. Collector-emitterspanning Vceo: 375V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Type transistor: NPN. Vcbo: 850V

NPN-transistor, 12A, 400V. Collectorstroom: 12A. Collector-emitterspanning Vceo: 400V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Type transistor: NPN. Vcbo: 900V

NPN-transistor, 6A, 375V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 375V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L TV-SN. Pd (vermogensdissipatie, max.): 70W. Type transistor: NPN. Vcbo: 800V

NPN-transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): SOT-399. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA/Monitor. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 8A, SOT-199, SOT-199, 800V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: SOT-199. Behuizing (volgens datablad): SOT-199. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA/Monitor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 8A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): SOT-399. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA/Monitor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 8A, SOT-199, SOT-199, 800V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: SOT-199. Behuizing (volgens datablad): SOT-199. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA/Monitor. Maximale hFE-versterking: 7.3. Minimale hFE-versterking: 4.2. Ic(puls): 15A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 45W. RoHS: ja. Spec info: Rbe 25 Ohms. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 400 ns. Tf(min): 300 ns. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 3V. Vebo: 13.5V

NPN-transistor, 12A, TO-3PF (SOT399, 2-16E3A), SOT-399, 800V. Collectorstroom: 12A. Behuizing: TO-3PF (SOT399, 2-16E3A). Behuizing (volgens datablad): SOT-399. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV/Monitor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 55W. Spec info: CTV-HA (geïsoleerd). Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 16A, SOT-430, SOT-430, 800V. Collectorstroom: 16A. Behuizing: SOT-430. Behuizing (volgens datablad): SOT-430. Collector-emitterspanning Vceo: 800V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV/Monitor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Spec info: CTV-HA. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 6A, 700V. Collectorstroom: 6A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: CTV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 2.5A, 700V. Collectorstroom: 2.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 2.5A, 700V. Collectorstroom: 2.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, 700V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA SMPS. Let op: Vce(sat) 1.0V, Vbe(sat) 1.3V. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Spec info: TO-220AB. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 5A, 700V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: SMPS (F). Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Spec info: TO-220F (SOT186). Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, PCB-solderen, ITO-218, 8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ITO-218. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Behuizing (JEDEC-standaard): SOT-199. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BU508AF. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 700V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 34W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 8A, 700V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 34W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, 1500V, 8A, TO-247. Collector-emitterspanning VCEO: 1500V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-247. Type transistor: vermogenstransistor. Polariteit: NPN. Toepassingen: schakel. Vermogen: 125W

NPN-transistor, 8A, 700V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 34W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V

NPN-transistor, PCB-solderen, ISOWATT-218, 8A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: ISOWATT-218. Collectorstroom Ic [A], max.: 8A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: hoogspanning NPN-transistor. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BU508DFI. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 700V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 7 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C