NPN bipolaire transistoren

NPN-transistor, 0.2A, 30 v. Collectorstroom: 0.2A. Collector-emitterspanning Vceo: 30 v. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: UHF-A. Type transistor: NPN

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 200mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Collectorstroom Ic [A], max.: 200mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-264. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: BFU590G. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 24V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 8.5GHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 2W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

NPN-transistor, 0.1A, TO-92, TO-92, 140V. Collectorstroom: 0.1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Collector-emitterspanning Vceo: 140V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 150 MHz. Functie: hoogspanningstransistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Spec info: complementaire transistor (paar) BFV421

NPN-transistor, 50mA, TO-72, TO-72, 10V. Collectorstroom: 50mA. Behuizing: TO-72. Behuizing (volgens datablad): TO-72. Collector-emitterspanning Vceo: 10V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 1.6GHz. Functie: VHF-UHF-A. Maximale hFE-versterking: 25. Minimale hFE-versterking: 25. Ic(puls): 100mA. Aantal aansluitingen: 4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+200°C. Vcbo: 20V. Vebo: 2.5V

NPN-transistor, TO-50, 0.025A, TO-50-3, 25V. Behuizing: TO-50. Collectorstroom: 0.025A. Behuizing (volgens datablad): TO-50-3. Collector-emitterspanning Vceo: 25V. Weerstand B: NINCS. BE-weerstand: PCB-solderen (SMD). C(inch): TO-50. CE-diode: opbouwcomponent (SMD). Darlington-transistor?: NINCS. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 3.2GHz. Functie: Breedband RF-versterker tot GHz-bereik.. Maximale hFE-versterking: 150. Minimale hFE-versterking: 20. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 300mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN. Vcbo: 25V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.1V. Spec info: Planaire RF-transistor

NPN-transistor, 1A, 100V. Collectorstroom: 1A. Collector-emitterspanning Vceo: 100V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Functie: NF/S. Let op: b>70. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.8W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), 50V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: NF/HF/S. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.75W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 0.5A, TO-39 ( TO-205 ), TO-39, 75V. Collectorstroom: 0.5A. Behuizing: TO-39 ( TO-205 ). Behuizing (volgens datablad): TO-39. Collector-emitterspanning Vceo: 75V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 80 MHz. Functie: NF/HF/S. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 1.25A, 50V. Collectorstroom: 1.25A. Collector-emitterspanning Vceo: 50V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 860 MHz. Functie: UHF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1.07W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 1A, 36V. Collectorstroom: 1A. Collector-emitterspanning Vceo: 36V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 470 MHz. Functie: UHF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 7.8W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, 2A, 40V. Collectorstroom: 2A. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 860 MHz. Functie: UHF-L. Pd (vermogensdissipatie, max.): 2W. Type transistor: NPN

NPN-transistor, SOT-223 ( TO-226 ), SOT-223. Behuizing: SOT-223 ( TO-226 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-223. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: Slimme High-Side Stroomschakelaar . Equivalenten: ISP452. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Type transistor: NPN. Spec info: miniPROFET. CE-diode: ja

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-223, 500mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-223. Collectorstroom Ic [A], max.: 500mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-261AA. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: AS3. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 80V. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.8W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, 0.8A, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23, 40V. Collectorstroom: 0.8A. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23. Collector-emitterspanning Vceo: 40V. Kosten): 8pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 350 MHz. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 35. Markering op de kast: U8. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.35W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf (type): 60 ns. Tr: 25 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 75V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 6V. Spec info: zeefdruk/CMS-code U8. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 800mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: U8. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.35W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, PCB-solderen (SMD), SOT-23, 800mA. Behuizing: PCB-solderen (SMD). Behuizing: SOT-23. Collectorstroom Ic [A], max.: 800mA. RoHS: ja. Behuizing (JEDEC-standaard): TO-236. Configuratie: opbouwcomponent (SMD). Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: U8. Collector-emitterspanning Uceo [V]: 40V. Afsnijfrequentie ft [MHz]: 300 MHz. Maximale dissipatie Ptot [W]: 0.25W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -65°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C. Componentfamilie: NPN-transistor

NPN-transistor, 1A, SOT-89, SOT89, 80V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: SOT-89. Behuizing (volgens datablad): SOT89. Collector-emitterspanning Vceo: 80V. C(inch): 90pF. Kosten): 12pF. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 100 MHz. Functie: Medium POWER, solenoïde-, relais- en actuatordrivers en DC/DC-modules. Maximale hFE-versterking: 300. Minimale hFE-versterking: 35. Ic(puls): 2A. Markering op de kast: AR4. Pd (vermogensdissipatie, max.): 1W. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf (type): 1000 ns. Tr: 250 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 90V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.25V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 0.5V. Vebo: 5V. Spec info: zeefdruk/SMD-code AR4. BE-diode: NINCS. CE-diode: NINCS

NPN-transistor, 1A, TO-92, TO-92 ( SOT-54 ), 60V. Collectorstroom: 1A. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92 ( SOT-54 ). Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 200 MHz. Maximale hFE-versterking: 2000. Minimale hFE-versterking: 1000. Ic(puls): 2A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.83W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Tf(max): 1300 ns. Tf(min): 500 ns. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -65...+150°C. Vcbo: 80V. Maximale verzadigingsspanning VCE(sat): 1.3V. Vebo: 5V. BE-diode: NINCS. CE-diode: ja

NPN-transistor, 250mA, SOT-23 ( TO-236 ), SOT-23 ( TO236 ), 12V. Collectorstroom: 250mA. Behuizing: SOT-23 ( TO-236 ). Behuizing (volgens datablad): SOT-23 ( TO236 ). Collector-emitterspanning Vceo: 12V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 400 MHz. Functie: algemeen gebruik. Maximale hFE-versterking: 120. Minimale hFE-versterking: 25. Markering op de kast: B2. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 0.225mW. RoHS: ja. Montage/installatie: opbouwcomponent (SMD). Tf(max): 18 ns. Tf(min): 12us. Type transistor: NPN. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Vcbo: 20V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 0.3V. Spec info: zeefdruk/SMD-code B2

NPN-transistor, 1A, 120V. Collectorstroom: 1A. Collector-emitterspanning Vceo: 120V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: 50 MHz. Pd (vermogensdissipatie, max.): 5W. Type transistor: NPN. Spec info: TO39

NPN-transistor, 2.5A, 1500V. Collectorstroom: 2.5A. Collector-emitterspanning Vceo: 1500V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. CE-diode: ja

NPN-transistor, 7A, 60V. Collectorstroom: 7A. Collector-emitterspanning Vceo: 60V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: S-L TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 10W. Type transistor: NPN. Vcbo: 130V

NPN-transistor, 8A, TO-220FP, TO-220F, 700V. Collectorstroom: 8A. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. FT: kHz. Maximale hFE-versterking: 7. Minimale hFE-versterking: 4. Ic(puls): 15A. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: vermogenstransistor. Tf(max): 0.6us. Tf(min): 0.4us. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V. Verzadigingsspanning VCE(sat): 1V. Vebo: 13.5V

NPN-transistor, 8A, 150V. Collectorstroom: 8A. Collector-emitterspanning Vceo: 150V. Darlington-transistor?: ja. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Functie: TV-HA. Pd (vermogensdissipatie, max.): 60W. Type transistor: NPN. Vcbo: 330V

NPN-transistor, 5A, 700V. Collectorstroom: 5A. Collector-emitterspanning Vceo: 700V. Aantal per doos: 1. Halfgeleidermateriaal: silicium. Pd (vermogensdissipatie, max.): 125W. Type transistor: NPN. Vcbo: 1500V