N-kanaal FETs en MOSFETs

N-kanaaltransistor, 9A, 300uA, 1.1 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 900V. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 300uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.1 Ohms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 1300pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: High Speed, tr--25nS tf--20nS. Id(imp): 27A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 100 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: Veldeffecttransistor MOS II.5. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V

N-kanaaltransistor, 3.2A, 5.5A, 5.5A, 1.2 Ohms, 400V. Binnendiameter (T=100°C): 3.2A. ID (T=25°C): 5.5A. Idss (max): 5.5A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Spanning Vds(max): 400V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: DC-DC-spanningsomvormer. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Technologie: V-MOS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, TO-220, 250V, 10A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: TO-220. Afvoerbronspanning Uds [V]: 250V. Drain Current Id [A] @ 25°C: 10A. RoHS: NINCS. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: K1393. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 0.5 Ohms @ 5A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 4 v. Inschakeltijd ton [nsec.]: 150 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 200 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 675pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 50W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 2.5A, 5A, 5A, 1.5 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 2.5A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 5A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.5 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage

N-kanaaltransistor, 2A, 3.6A, 3.6A, 3.6 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 3.6A. Idss (max): 3.6A. Aan-weerstand Rds Aan: 3.6 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 900V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 40W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS

N-kanaaltransistor, 2A, 5A, 1mA, 2.8 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3BP, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 2A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 1mA. Aan-weerstand Rds Aan: 2.8 Ohms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3BP. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 700pF. Kosten): 300pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 10A. Markering op de kast: K1461. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 200 ns. Td(aan): 15 ns. Technologie: V-MOS, S-L. Bedrijfstemperatuur: -...+150°C. Poort-/emitterspanning VGE(th) min.: 2V. Poort-/emitterspanning VGE(th)max.: 3V. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, PCB-solderen, 21F1B, 1 kV, 12A. Behuizing: PCB-solderen. Behuizing: 21F1B. Afvoerbronspanning Uds [V]: 1 kV. Drain Current Id [A] @ 25°C: 12A. RoHS: ja. Componentfamilie: MOSFET, N-MOS. Configuratie: PCB-doorvoermontage. Aantal aansluitingen: 3. Markering van de fabrikant: 2SK1489. Afvoerstroom door weerstand Rds [Ohm] @ Ids [A]: 1 Ohms @ 6A. Poortdoorslagspanning Ugs [V]: 3.5V. Inschakeltijd ton [nsec.]: 140 ns. Uitschakelvertraging tf[nsec.]: 500 ns. Ciss-poortcapaciteit [pF]: 2000pF. Maximale dissipatie Ptot [W]: 200W. Bedrijfstemperatuurbereik min (°C): -55°C. Max bedrijfstemperatuurbereik (°C): +150°C

N-kanaaltransistor, 9A, 500uA, 0.85 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 500uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.85 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 1200pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 27A. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: K1507. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 160 ns. Td(aan): 30 ns. Technologie: F-II Series POWER MOSFET. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 10A, 1mA, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), 2-16C1B, 180V. ID (T=25°C): 10A. Idss (max): 1mA. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): 2-16C1B. Spanning Vds(max): 180V. C(inch): 700pF. Kosten): 150pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Toepassing met hoogvermogenversterker. Markering op de kast: K1529. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 120W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Veldeffect Silicium N-kanaal MOS-type. Bedrijfstemperatuur: -55...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Poort/bronspanning (uit) max.: 2.8V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.8V. Spec info: complementaire transistor (paar) 2SJ200. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 4A, 8A, 8A, 1 Ohm, TO-220FP, TO-220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 4A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 8A. Aan-weerstand Rds Aan: 1 Ohm. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: Power MOSFET. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: FAP-IIA Series

N-kanaaltransistor, 3A, 5A, 300uA, 1.9 Ohms, TO-3PN ( 2-16C1B ), TO-3PN, 900V. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 5A. Idss (max): 300uA. Aan-weerstand Rds Aan: 1.9 Ohms. Behuizing: TO-3PN ( 2-16C1B ). Behuizing (volgens datablad): TO-3PN. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 690pF. Kosten): 120pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 1450 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: hoge snelheid. Id(imp): 15A. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 150W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 210 ns. Td(aan): 70 ns. Technologie: V-MOS. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 1.5V. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 1A, 2A, 1mA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220FI, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 1A. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 1mA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.2 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220FI. Spanning Vds(max): 600V. C(inch): 400pF. Kosten): 55pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Trr-diode (min.): 100 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Ultrahigh-Speed Switching. Id(imp): 8A. Markering op de kast: K2043. Aantal aansluitingen: 3. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 65 ns. Td(aan): 10 ns. Technologie: silicium MOSFET-transistor. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Poort/bronspanning (uit) max.: 4 v. Poort/bronspanning (uit) min.: 2V. Bescherming afvoerbron: ja. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 20mA, 12mA, TO-92, TO-92, 20V. ID (T=25°C): 20mA. Idss (max): 12mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Spanning Vds(max): 20V. C(inch): 4pF. Kosten): 4pF. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: FET. Functie: FM-tunertoepassingen. ID s (min): 0.6mA. Aantal aansluitingen: 3. Pd (vermogensdissipatie, max.): 200mW. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Bedrijfstemperatuur: -55...+125°C. Poort/bronspanning (uit) max.: 2.5V. Bescherming afvoerbron: NINCS. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 7A, 8A, 8A, 0.4 Ohms, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 7A. ID (T=25°C): 8A. Idss (max): 8A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.4 Ohms. Spanning Vds(max): 200V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 100W. Technologie: V-MOS

N-kanaaltransistor, 3A, 6A, 6A, 0.8 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 600V. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 6A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.8 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 600V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: schakelcircuits. Id(imp): 24A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: MOSFET-transistor

N-kanaaltransistor, 4.5A, 9A, 9A, 0.35 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 200V. Binnendiameter (T=100°C): 4.5A. ID (T=25°C): 9A. Idss (max): 9A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.35 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 200V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 25W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: V-MOS-L

N-kanaaltransistor, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 2A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 250V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: FAP-IIA Series

N-kanaaltransistor, 2A, 2A, 1.2 Ohms, TO-220, TO-220AB, 250V. ID (T=25°C): 2A. Idss (max): 2A. Aan-weerstand Rds Aan: 1.2 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 250V. Kanaaltype: N. Aantal per doos: 1. Type transistor: MOSFET. Functie: High speed switching, td(on)--25nS, dt(off)--50nS. Id(imp): 8A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 20W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: FAP-IIA Series

N-kanaaltransistor, 27A, 100uA, 0.09 Ohms, TO-220, TO-220AB, 100V. ID (T=25°C): 27A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.09 Ohms. Behuizing: TO-220. Behuizing (volgens datablad): TO-220AB. Spanning Vds(max): 100V. C(inch): 1100pF. Kosten): 180pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 155 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Auto-elektronica. Id(imp): 108A. Markering op de kast: K2314. Pd (vermogensdissipatie, max.): 75W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 140us. Td(aan): 30us. Technologie: Vermogensveldeffecttransistor. Bedrijfstemperatuur: -50...+150°C. Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Spec info: ESD Protected--2000V min. G-S-bescherming: ja

N-kanaaltransistor, 3A, 6A, 6A, 2 Ohms, 700V. Binnendiameter (T=100°C): 3A. ID (T=25°C): 6A. Idss (max): 6A. Aan-weerstand Rds Aan: 2 Ohms. Spanning Vds(max): 700V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Pd (vermogensdissipatie, max.): 50W. Technologie: V-MOS (F). Let op: 70/160ns. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 25A, 100uA, 0.23 Ohms, TO-3P ( TO-218 SOT-93 ), TO-3P, 500V. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.23 Ohms. Behuizing: TO-3P ( TO-218 SOT-93 ). Behuizing (volgens datablad): TO-3P. Spanning Vds(max): 500V. Kosten): 700pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 500 ns. Type transistor: MOSFET. Id(imp): 100A. Markering op de kast: K2372. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 160W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 160 ns. Td(aan): 40 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) min.: 2.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 30. C(inch): 3600pF. Functie: Chopper Regulator, DC-DC Converter. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 7.5A, 7.5A, 0.42 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 250V. ID (T=25°C): 7.5A. Idss (max): 7.5A. Aan-weerstand Rds Aan: 0.42 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 250V. Kanaaltype: N. Type transistor: MOSFET. Functie: N MOSFET-transistor. Id(imp): 30A. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Technologie: Veldeffecttransistor. Aantal per doos: 1

N-kanaaltransistor, 3mA, 14mA, TO-92, TO-92. ID (T=25°C): 3mA. Idss (max): 14mA. Behuizing: TO-92. Behuizing (volgens datablad): TO-92. Kanaaltype: N. ID s (min): 6mA. Markering op de kast: K246BL. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Poort-/bronspanning Vgs: -30V. Poort/bronspanning (uit) max.: 6V. Poort/bronspanning (uit) min.: 0.7V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Functie: complementaire transistor (paar) 2SJ103

N-kanaaltransistor, 3A, 100uA, 3.2 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 900V. ID (T=25°C): 3A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 3.2 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 900V. C(inch): 900pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Bescherming afvoerbron: diode. Trr-diode (min.): 650 ns. Type transistor: MOSFET. Functie: Hoogspanningsschakeltoepassingen. Id(imp): 12A. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 35W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 63 ns. Td(aan): 17 ns. Technologie: MOSFET-transistor. Poort-/bronspanning Vgs: 30 v. Vgs(th) max.: 3.5V. Vgs(th) min.: 2.5V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. G-S-bescherming: NINCS

N-kanaaltransistor, 25A, 100uA, 0.046 Ohms, TO-220FP, TO-220F, 50V. ID (T=25°C): 25A. Idss (max): 100uA. Aan-weerstand Rds Aan: 0.046 Ohms. Behuizing: TO-220FP. Behuizing (volgens datablad): TO-220F. Spanning Vds(max): 50V. C(inch): 900pF. Kosten): 130pF. Kanaaltype: N. Conditionering: plastic buis. Bescherming afvoerbron: diode. Type transistor: MOSFET. Functie: Yfs--8-16S. Id(imp): 75A. ID s (min): 10uA. Markering op de kast: K2507. Temperatuur: +150°C. Pd (vermogensdissipatie, max.): 30W. RoHS: ja. Montage/installatie: PCB-doorvoermontage. Td(uit): 110 ns. Td(aan): 25 ns. Technologie: Veldeffect MOS-type (L2-TT-MOSV). Poort-/bronspanning Vgs: 20V. Vgs(th) min.: 0.8V. Aantal aansluitingen: 3. Aantal per doos: 1. Conditioneringseenheid: 50. G-S-bescherming: ja